• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
• /
• 2000.08a
• /
• pp.184-185
• /
• 2000

1 차원 자성 포토닉 결정은 원하는 파장에서 큰 페러데이 회전각과 투과율을 얻을 수 있기에 아주 흥미롭다. 두 종류의 유전체 층(S: $SiO_2$, T:T $a_2$ $O_{5}$)을 주기적으로 적층한 구조에, Bi를 다량 치환한 가네트 박막(M:B $i_{1.07}$ $Y_{1.93}$F $e_{5}$ $O_{12}$)을 결함층으로 삽입한 (A/B)$_{k}$ M/(B/A)$_{k}$ 의 구조를 갖는 1차원 자성 포토닉 결정의 자기 광학 특성을 수치해석하였다. 가시광과 적외선 영역에서 1차원 자성 포토닉 결정의 자성체 층의 두께( $d_{M}$ )와 유전체 층의 적층수(k)를 변화시키며, 투과율(T)과 페러데이 회전각($ heta$$_{F}$ ) 및 성능지수(Q)를 조사하였다. (중략). (중략)(중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
• /
• 2000.08a
• /
• pp.188-189
• /
• 2000

1차원 자성 포토닉 결정은 결함 층으로 삽입된 자성 층에 빛이 국재화되어 거대한 자기광학 효과를 나타낸다. 그 구조를 적절하게 설계하면 원하는 파장에서 거대한 자기광학 효과와 큰 투과율을 얻을 수 있다는 점에서 주목을 받고 있다. [1] 본 연구에서는 (A/B)$_{k}$ M/(A/B)$_{k}$ 의 구조를 갖는(여기서 A는 SiO$_2$, M은 Bi:YIG) 1차원 자성 포토닉 결정에 대해 B유전체 층의 굴절율을 변화시켰을 때의 투과율(T), 페러데이 회전각 ($ heta$$_{F}$ ), 성능지수(Q)를 수치 해석한 결과를 보고한다. (중략)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.08a
• /
• pp.2-2
• /
• 2010

텐덤형 태양전지는 다양한 에너지 대역을 동시에 흡수할 수 있도록 제작할 수 있어 단일접합 태양전지에 비해 높은 에너지변환효율을 기대할 수 있다. 본 연구에서는 GaAs를 기반으로 양자점 혹은 양자우물 구조를 이용한 고효율 텐덤형 태양전지를 설계하고, 완충층 및 활성층의 특성을 분석하였다. 분자선 단결정 성장 장비를 이용하여 GaAs 기판 위에 메타모픽 (metamorphic)성장법을 이용하여 convex, linear, concave 형태로 조성을 변화시켜 $In_xAl_1-_xAs$ 경사형 완충층을 성장한 후 그 특성을 비교하였다. 또한, 최적화된 경사형 완충층 위에 1.1 eV와 1.3 eV의 에너지 대역을 각각 흡수할 수 있는 적층 (5, 10, 15 층)된 InAs 양자점 구조 또는 InGaAs 양자우물구조를 삽입하여 p-n 접합을 성장하였다. 그리고 GaAs/AlGaAs층을 이용한 터널접합에서는 GaAs층의 두께 (20, 30, 50 nm)에 따른 터널링 효과를 평가하였다. 그 결과, 경사형 완충층을 통해 조성 변화로 인한 결함을 최소화하여 다양하게 조성 변화가 가능한 고품위의 구조를 선택적으로 성장할 수 있었으며, 적층의 양자점 구조 및 양자우물 구조를 이용해 고효율 텐덤형 태양전지의 구현 가능성을 확인하였다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
• /
• v.13 no.5
• /
• pp.436-444
• /
• 2002

This paper presents a new method, which uses defected ground structure (DGS) on the ground planes of planar transmission lines such as microstrip and coplanar waveguide (CPW), to reduce the size of amplifiers. The main idea can be summarized as follow; DGS on the ground plane of microstrip or CPW line shows an increased slow-wave effect due to the additional equivalent L-C components. So the electrical length of the transmission line with DGS is longer than that of the standard transmission line for the same physical length. Then, the length of the transmission line with DGS can be shortened in order to maintain the original electrical length to be the same. This leads the matching of the original amplifier to be kept. In order to show the proposed method is valid, two kinds of amplifiers, the original amplifier and reduced amplifier, are fabricated, measured, and compared using both microstrip and CPW. The measured performances of the reduced amplifiers with DGS are quite similar to the ones of the original amplifiers for both microstrip and CPW amplifiers, even though the size of matching networks of the amplifiers with DGS are much smaller than those of the original amplifiers.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
• /
• v.29 no.8
• /
• pp.576-582
• /
• 2018

In this paper, a planar equi-phase power divider is proposed using fixed phase shifters. As the integrability of a phased array antenna increases for accurate beam steering, a conventional method to excite equi-phase signals to all element antennas, extending the feedline, has spatial limitations. Therefore, the planar equi-phase power divider is designed using a defected ground structure with a planar phase shift function without intentional feedline extension. The defected ground structure has been considered for a low insertion loss and a controllable phase shift, whereas the power divider has been designed and implemented with a port-to-port isolation and a planar configuration.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
• /
• v.14 no.5
• /
• pp.2443-2448
• /
• 2013

In this paper, a design of size-reduced microwave oscillator using common defected ground structure (common DGS) is described. At first, an oscillator is designed using the normal stub resonator, and the conventional DGS patterns are inserted for the first trial of size-reduction. Finally, the DGS resonator section is folded by half size in order to adopt the common DGS, and this produces the proposed size-reduced oscillator. Common DGS pattern is inserted for a better size-reduction than when conventional DGSs are used. The folded transmission line is connected using the 3-dimensional signal via-holes. For an example of design, a 2.1GHz oscillator is designed and fabricated using a small signal transistor and common DGS, which shows the size-reduction of 11 mm. The measurement shows 6.7dBm of output power and -133dBc/Hz@1MHz of phase noise. The measured performances are so similar to those of the oscillators before size-reduction and prove the proposed size-reduction method of oscillators using common DGS.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
• /
• v.10 no.4
• /
• pp.765-770
• /
• 2009

This paper presents a new open stub structure of Kuroda low-pass filter using DGS(Defected Ground Structure). The open stub having 130ohm is made with equivalent new structure using DGS. This method enable to the fabrication of Kuroda low-pass filter by extending width of the line. In case of FR4(er=4.8, h=0.7874mm), the width of open stub(130ohm) is under 0.1mm. But, the width of open stub using DGS can extend to the width of 0.5mm. 5th order Kuroda low-pass filter design using open stub with DGS shows excellent agreement between theoretical simulation and experimental results.

• Journal of the Korean Magnetics Society
• /
• v.13 no.2
• /
• pp.53-58
• /
• 2003

Annealing effects of exchange bias fields ($H_{2ex}$(top), $H_{lex}$ (bottom)) on composite type NiFe/[FeMn/Mn]$_{80}$/NiFe multilayers have been studied. Three samples with ultra-thin Mn inserted layers on glass/Ta(50 $\AA$)/NiFe(150 $\AA$)/[F $e_{53}$M $n_{47}$(1.25 $\AA$)/Mn(0 $\AA$, 0.11 $\AA$, 0.3 $\AA$)]$_{80}$/NiFe(90 $\AA$)/Ta(50 $\AA$) were prepared by ion beam sputtering. The average x-ray diffraction peak ratios NiFe(111) of FeMn (111) fcc textures for the Mn inserted total thicknesses of 0 $\AA$, 9 $\AA$, and 24 $\AA$ were about 0.65, 0.90, and 1.5, respectively. For the sample without Mn inserted layer, the $H_{2ex}$ of 260 Oe up to 300 $^{\circ}C$ disappeared at 350 $^{\circ}C$. For two multilayer samples with ultra-thin Mn layers of 0.11 $\AA$ and 0.3 $\AA$, the $H_{2exs}$ of 310 Oe and 180 Oe up to 300 $^{\circ}C$ endured of 215 Oe and 180 Oe at 350 $^{\circ}C$, respectively. The $H_{ex}$ (bottom)s of three samples decreased from 100 Oe to 70 Oe up to 250 $^{\circ}C$, while these values increased beyond 300 $^{\circ}C$. This observation can be attributed to less diffusive path of Mn atoms in bottom NiFe than top NiFe layer. The top and bottom coercive fields slightly varied about 5 Oe∼10 Oe. From these results, we could obtain the enhancement of exchange coupling intensity and thermal stability by an ultra-thin Mn inserted layer on NiFe/[FeMn/Mn]$_{80}$/NiFe Multilayers.

• Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
• /
• v.36 no.5
• /
• pp.370-376
• /
• 2016

Corrosion on the surface of a structure can generate cracks or cause walls to thin. This can lead to fracturing, which can eventually lead to fatalities and property loss. In an effort to prevent this, laser imaging technology has been used over the last ten years to detect thin-plate structure, or relatively thin piping. The most common laser imaging was used to develop a new technology for inspecting and imaging a desired area in order to scan various structures for thin-plate structure and thin piping. However, this method builds images by measuring waves reflected from defects, and subsequently has a considerable time delay of a few milliseconds at each scanning point. In addition, the complexity of the system is high, due to additional required components, such as laser-focusing parts. This paper proposes a laser imaging method with an increased scanning speed, based on excitation and the measurement of standing waves in structures. The wavenumber of standing waves changes at sections with a geometrical discontinuity, such as thickness. Therefore, it is possible to detect defects in a structure by generating standing waves with a single frequency and scanning the waves at each point by with the laser scanning system. The proposed technique is demonstrated on a wall-thinned plate with a linear thickness variation.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.02a
• /
• pp.123-123
• /
• 2010

3족 질화물계 물질은 발광다이오드와 같은 광전자소자적용에 있어서 매우 우수한물 질이다.일반적으로, GaN 에피 성장에 있어서 저온 중간층을 삽입한 2 단계 성장 방법은 낮은 결함밀도와 균일한 표면을 얻기 위해 도입된 기술이다. 특히 AlN 중간층은 GaN 중간층과 비교하였을 때 결정성뿐만 아니라 높은 온도에서의 열적안정성, GaN 기반의 자외선 검출기서의빛 흡수 감소 등의 장점을 가지고 있다. 또한 패턴 사파이어 기판위 GaN 에피 성장은 측면성장 효과를 통해 결함 밀도 감소와 광 추출 효율을 향상시키는 것으로 알려져 있다.또한 열응력으로 인한 기판의 휨 현상은 박막성장중 기판의 온도 분포를 불균일하게 만드는 원인이 되며 이는 결국 박막 조성 및 결정성의 열화를 유도하게 되고 최종적으로 소자특성을 떨어 뜨리는 원인이 되는데 AlN 중간층의 도입으로 이것을 완화시킬 수 있는 효과가 있다. 하지만, AlN 중간층이 패턴된 기판 위에 성장시킨 GaN 에피층에 미치는 영향은 명확하지 않다. 본 연구팀은 일반적인 c-plane 사파이어 기판과 플라즈마 건식 에칭을 통한 렌즈 모양의 패턴된 사파이어 기판을 이용해서 AlN 중간층과 GaN 에피층을 유기금속 화학기상증착법으로 성장하였다. 특히, 렌즈 모양의 패턴된 사파이어 기판은 패턴 모양과 패턴 밀도가 성장에 미치는 영향을 연구하기 위해 두가지 패턴의 사파이어 기판을 이용하였다. AlN 중간층 두께를 조절함으로써 최적화된 GaN 에피층을 90분까지 4단계로 시간 변화를 주어 성장 양상을 관찰한 결과, GaN 에피박막의 성장은 패턴 기판의 trench 부분에서 시작하여 기판의 패턴부분을 덮는 측면 성장을 보이고있다. 또한 TEM과 CL을 통해 GaN 에피박막의 관통 전위를 분석해 본 결과 측면 성장과정에서 성장 방향을 따라 옆으로 휘게 됨으로 표면까지 도달하는 결정결함의 수가 획기적으로 줄어드는 것을 확인함으로써 고품질의 GaN 에피층을 성장시킬 수 있었다. 그리고 패턴밀도가 높고 모양이 볼록할수록 측면 성장 효과로 인한 결정성 향상과 난반사 증가를 통한 임계각 증가로 광추출 효율이 향상 되는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 결과를 바탕으로 최적화된 AlN 중간층을 이용하여 패턴 기판위에서 고품질의 GaN 에피층을 성장시킬 수 있었다.