• Title/Summary/Keyword: 반전변환

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Polarity Inversion DC/DC Power Conversion Power Supply with High Voltage Step-up Ratio (고전압 변환비치 극성 반전형 DC/DC 전력 변환 전원장치)

  • Jung, Dong-Yeol;Jung, Yong-Joon;Hong, Sung-Soo;Han, Sang-Kyoo;SaKong, Sug-Chin;Roh, Chung-Wook
    • The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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    • v.13 no.3
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    • pp.196-205
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    • 2008
  • A noble polarity inversion dc/dc power conversion circuit that has the high input-output voltage conversion ration characteristics is presented for high voltage DC power supply applications. The proposed circuit features the reduced voltage stresses of the component compared to those of the conventional ones. The operational principles of the proposed circuit is analyzed and comparative features are presented. The simulation results and experimental results are presented to verify the validity of the proposed circuit.

Resistivity Inversion with Householder's Transformation (Householder 변환을 이용한 비저항반전)

  • Kim, Hee Joon
    • Economic and Environmental Geology
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    • v.18 no.3
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    • pp.217-224
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    • 1985
  • A Householder's transformation is applied to the resistivity inversion problem. The conventional resistivity inversion method is sometimes numerically unstable in interpreting a resistivity sounding data because it usually solves the normal equation derived from an observation equation. The resistivity inversion method using Householder's transformation solves the observation equation directly, so that it is numerically more stable than the conventional method. A theoretical, ill-conditioned Schlumberger sounding data was chosen to test the inversion scheme with Householder's transformation.

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An Efficient Watermarking Technique in Wavelet Transform Domain (웨이브릿 변환 영역에서의 효율적인 워터마킹 기법)

  • Kim, Hyun-Soon;Bae, Sung-Ho
    • Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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    • 2000.04a
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    • pp.1071-1076
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    • 2000
  • 워터마킹은 소유권을 주장하기 위하여 '워터마크'라고 불리는 신호를 눈에 보이지 않게 영상에 첨가하는 것이다. 본 논문에서는 웨이브릿 변환 영역에서 이웃한 계수 쌍의 차이와 평균을 이용한 워터마킹 기법을 제안한다. 제안한 방법에서는 영상을 1계층의 웨이브릿 변환 영역으로 변환한 다음, 이진 도장 영상으로 된 워터마크를 첨가할 이웃한 계수 쌍을 기저 대역에서 선택한다. 워터마크 첨가를 위하여 도장 영상의 이름이 새겨진 부분에 대하여 해당 웨이브릿 계수 쌍의 대소 관계를 반전시킨다. 이러한 방법은 워터마크를 직접 첨가하는 방법에 비하여 손실 압축 및 다양한 영상 처리 등의 공격에 강인하다. 또한 대소 관계를 반전시키는 과정에서 이웃 계수 쌍의 평균과 차이를 구하여, 차이에 반비례하는 일정한 값을 평균에 더함으로써 주관적인 화질의 저하를 줄인다. 실험 결과 제안한 방법은 44 dB 정도의 우수한 화질에서 손실 JPEG 압축, 잡음 첨가, 클리핑, 블러링 등의 공격에 강인함을 알 수 있었다.

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Orthoscopic Integral Imaging Display by Use of Computational Method Based on Lenslet Model (렌즈릿 모델에 기초한 컴퓨터 변환을 통한 Orthoscopic 집적 영상 디스플레이)

  • Shin, Donghak;Hong, Seok-Min;Lee, Byung-Gook;Piao, Yongri;Zhang, Miao
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2012.10a
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    • pp.1015-1018
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    • 2012
  • A computational method of integral imaging is proposed based on the lenslet model which allows that the orthoscopic 3D image can be reconstructed at any arbitrary position without any restrictions. The proposed method is not rigidly adhere to the fixed reconstructed distance, but also requires no additional procedure during the depth conversion process. To show the usefulness of the proposed method, we carry out the preliminary experiments and present the experimental results.

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Self Oscillation DC/DC Converter With High Voltage Step-up Ratio (고전압 변환 비의 자려 발진 DC/DC 컨버터)

  • Jung, Yong-Joon;Han, Sang-Kyoo;Hong, Sung-Soo;Jung, Dong-Yeol;Kim, Jin-Wook;Lee, Hyo-Bum;Roh, Chung-Wook
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2008.06a
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    • pp.286-288
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    • 2008
  • 본 논문은 낮은 입력 DC전압에서 높은 음의 DC전압을 출력하는 높은 전환 비의 극성 반전 형 DC/DC 전력 변환 회로에 관한 것으로써, 하나의 스위치, 하나의 인덕터, 그리고 다수개의 캐패시터와 다이오드로 구성된다. 기존의 극성 반전 형 DC/DC 컨버터 회로와 비교하여, 고압 변환 트랜스포머 대신에 인덕터를 사용할 수 있어, 자기 소자의 부피 및 크기는 물론 원가저감이 가능하다. 또한 자려 발진(Self Oscillation) 방식을 사용하여 별도의 제어 IC가 필요 없으므로, 회로구성이 대단히 간단하고, 저가격의 전원 회로를 만들 수 있다. 또한 다이오드들의 전압 스트레스가 감소하여 저가격 고성능의 고압 변환장치 구현이 가능하다. 제안된 회로의 동작원리를 설명하고, 타당성을 Simulation 및 실험을 통하여 검증한다.

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Research of Charge Control for Fabrication of Periodically Poled LiNbO$_3$ (주기적으로 분극 반전된 리튬나오베이트 제작을 위한 전하량 제어에 대한 연구)

  • 장석우;권재영;송재원
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2003.07a
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    • pp.234-235
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    • 2003
  • 오늘날 급속한 인터넷 사용량 증가로 인해 광통신 시스템의 고속화와 대용량화의 필요성은 점점 커지고 있다. 이에 광신호 처리에 있어서 초고속 광 스위칭과 파장분할 다중화 방식이 활발히 연구되고있으며, 특히 주기적으로 분극 반전된 리튬나오베이트(LiNbO$_3$:PPLN)를 이용한 스위칭 소자나 파장 변환기에 대한 연구가 많이 진행되고 있다. PPLN 제작을 위하여 최근에는 고압의 전계를 리튬나오베이트(LiNbO$_3$)에 인가하는 방법이 우수한 특성으로 인하여 주로 사용되고 있다. (중략)

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Polarity Inversion DC/ DC Converter With High Voltage Step-up Ratio (고전압 변환비의 극성 반전형 DC/ DC 컨버터)

  • Jung, Yong-Joon;Lee, Jae-Kwang;Han, Sang-Kyoo;Hong, Sung-Soo;Jung, Dong-Yeol;Kim, Jin-Wook;Lee, Hyo-Bum;Roh, Chung-Wook
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2008.06a
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    • pp.490-492
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    • 2008
  • 고압 전원 장치(High Voltage Power Supply)는 근래에 와서 산업전반에 응용이 매우 광범위하게 확산되고 있고 고전압 장치가 필수적으로 이용 되어야 하는 분야가 점차 확산되고 있다. 응용분야로는 신소재 개발과 플라즈마 응용을 위한 공업용과 민생용, 의료기기용, 군사용, 또한 프린터에 이르기까지 다양하게 있다. 가정이나 사무실에서 쉽게 접할 수 있는 IT장비인 프린터인 경우에도 전원 공급 장치의 측면에서는 화상형성에 있어 가장 필수적인 안정적이고 다기능을 가지는 고압 전원장치를 적용하고 있고, 수요 또한 증가하고 있다. 본 논문은 낮은 입력 DC전압에서 높은 음의 DC전압을 출력하는 높은 전환 비의 극성 반전 형 DC/DC 전력 변환 회로에 관한 것으로써, 하나의 스위치, 하나의 인덕터, 그리고 다수개의 캐패시터와 다이오드로 구성된다. 기존의 극성 반전 형 DC/DC 컨버터 회로와 비교하여, 고압 변환 트랜스포머 대신에 인덕터를 사용할 수 있어, 자기 소자의 부피 및 크기는 물론 원가저감이 가능하다. 또한 반도체 소자의 Voltage Stress가 감소된다. 제안된 회로의 원리를 분석하고, 종래의 고압 전원장치와 비교함으로써 장점을 알아본 후, 동작원리에 대한 타당성을 Simulation 및 실험을 통하여 검증한다.

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Constant inversion black box model of EDFAs including various loss mechanisms (Loss mechanism을 고려한 밀도 반전이 고정된 EDFA의 black box 모델링에 대한 연구)

  • 민범기;이원재;박재형;박남규
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.12 no.3
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    • pp.205-211
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    • 2001
  • We propose a constant inversion black box model of erbium-doped fiber amplifiers (EDFAs) for exact performance predictions for EDFAs operated in the gain-flattened condition. The validity of the newly proposed model was experimentally verified by predicting the performance of EDFAs for the L band, within 1.9% required pump power discrepancy. The role of ion pairing effects on the power conversion efficiency is also discussed. ussed.

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A Low Power PRAM using a Power-Dependant Data Inversion Scheme (전력-종속 데이터 반전 기법을 이용한 저전력 상변환 메모리)

  • Yang, Byung-Do
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.44 no.11
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    • pp.95-100
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    • 2007
  • A low power PRAM using a power-dependant data inversion (PDI) scheme is proposed. The PRAM consumes large write power because large write currents are required during long time. Also, the power consumptions for storing #1# and #0# are different. The PDI circuit compares the power consumptions to store the original data and its inverted data, and then it stores the less power consuming data. Although the PDI scheme needs an additional inversion bit per data, the maximum and average powers of the PDI can be under 50% and 37.5% of the conventional write scheme, respectively. The average power for storing 8bit data is under 41%, due to the inversion bit. The 1K-bit PRAM chip with 128$\times$8bits was implemented with a 0.8${\mu}m$ CMOS technology with a 0.5${\mu}m$ GST cell.

Fabrication and Characterization of Wavelength Conversion Device with Periodically Poled Ridge-type Waveguide in MgO:LiNbO3 (주기적으로 분극 반전된 MgO:LiNbO3를 이용한 리지형 광도파로 파장가변 소자 제작 및 특성)

  • Lee, H.M.;Yang, W.S.;Kim, W.K.;Lee, H.Y.;Jeong, W.J.;Kwon, S.W.;Koo, K.H.;Song, M.G.
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.19 no.3
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    • pp.199-207
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    • 2008
  • Wavelength converting devices with a ridge-type waveguide in periodically poled $MgO:LiNbO_3$ are made and characterized. The experimental results are compared with theoretical analysis on the effects of waveguide dimension and duty ratio of the periodically poled structure. To show the relationship of the conversion efficiency to those factors, a new measurement system is configured. That experimental results show that the center wavelength, normalized conversion efficiency and full width half maximum of the conversion efficiency curve are 1067.45 nm, 90.7%/$Wcm^2$ and 0.17 nm, respectively. Also, the estimated results of the duty period and full width half maximum of the conversion efficiency from theoretical calculations agreed well with experimental results with the errors of 0.016 ${\mu}m$ and 0.01 nm.