• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.04a
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• pp.167-168
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• 2007

고속 동도금 공정을 확립하기 위하여 선행실험으로 알카리계 동도금 용액을 이용하여 고속 동도금의 가능성을 실험하였다. 전류밀도와 극간거리, 유속의 조절을 통하여 최대 $17.6{\mu}m/min$. 속도의 도금속도를 확보하였으며, Hv 120 내외의 경도를 확보하였다. 고속 동도금을 실현하기 위해서는 높은 전류밀도를 필요로 하고, 낮은 용액 저항을 위해 극간거리는 짧게 유지하되, 빠른 유속을 필요로 하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.05a
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• pp.162-162
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• 2015

본 연구는 환경 및 인체에 유해한 포르말린을 사용하지 않은 무전해 동 도금액을 개발한 후 도금액을 전자파 차폐 섬유도금에 적용하기 위해 도금 조건에 따른 특성을 파악하였다. 본 연구에서는 무전해 동 도금액의 온도, pH, Bath loading, 도금시간을 변화시켜 도금액의 도금속도 및 도금피막의 형상을 관찰하였으며, 전자파 차폐를 위한 섬유에 개발된 도금액을 적용하고자 현재 상용 전처리 공정을 통해 도금실험을 수행하였다. 여러 도금조건을 변화하여 실험한 결과 $50^{\circ}C$의 도금액 온도, 12.8~13.5의 pH 조건에서 현재 사용 중인 포르말린 도금액과 유사하거나 더 우수한 도금속도를 나타내었으며 현재 사용중인 도금액의 대체가 가능할 것으로 판단되었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.11a
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• pp.79-80
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• 2007

연속 동판재 생산을 위하여 전주도금 기술과 고속동도금 기술을 응용하여 동도금 공정을 개발하였다. 동 연속 전주 장비를 개발하고 적절한 동도금 조건의 개발을 통하여 연속적인 동도금 판재의 생산이 가능하게 하였다. 연속 전주 장치에서 제작된 동판재의 최종 물성을 살펴보면 두께 형성 속도는 $20{\mu}m/min$. 속도이고, 동판재의 두께 편차는 5%이내의 두께 편차를 나타내었다. 제작된 동 판재의 비저항은 $2.2{\times}10-6\;{\Omega} cm$를 나타내었으며, SEM을 이용한 표면관찰에서 void-free한 형태를 나타내었다. 판재상의 피막의 불순물은 500ppm 이하의 물성을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2014.11a
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• pp.123-123
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• 2014

본 연구는 환경 및 인체에 유해한 포르말린을 사용하지 않은 동 도금액 개발에 관한 것이다. 본 연구에서는 여러 착화제 및 환원제를 혼합하여 각각의 환원제 및 착화제가 동 도금액의 안정성에 미치는 영향을 관찰하고자 하였다. 연구결과 환원제로 두 가지 성분 이상의 환원제가 혼합될 경우 동 도금액의 구동에 용이한 것을 확인할 수 있었으며 착화제의 경우 일반적으로 무전해 동 도금액에서 사용되는 착화제에 제 2의 착화제가 포함될 경우 도금액의 안정성을 향상시킴을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2014.11a
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• pp.130-131
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• 2014

자동용접용 솔리드와이어를 위한 치환동도금층 밀착력 향상을 위해 착화제로 Alanine을 사용하였다. 테이프 시험결과 Alanine 첨가에 따라 밀착력이 현저히 증가하였다. 또한 도금층내에 혼입되는 H와 Fe 분석결과 Alanine을 첨가하지 않았을 때 도금층 전체 영역에서 H와 Fe의 검출강도가 높게 나타났으나, Alanine 10g/l추가시 도금층내에서 미량 검출되었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2017.05a
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• pp.129-129
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• 2017

열전재료는 열에너지를 전기에너지로 또는 전기에너지를 열에너지로 직접 변환하는데 가장 널리 사용되는 재료이다. $Bi_2Te_3$계 열전 재료는 400K 이하의 비교적 저온 영역에서 높은 성능지수(Dimensionless Figure of merit, ZT($={\alpha}2{\sigma}T/{\kappa}$, ${\alpha}$: 제백계수, ${\sigma}$: 전기전도도, T: 절대온도, ${\kappa}$: 열전도도))를 나타내는 열전재료이며 자동차 시트나 정수기 등에 응용되고 있다. 열전모듈은 제조시 수십 개에서 수백 개 이상의 n형 및 p형 열전소자를 알루미나($Al_2O_3$)와 같은 세라믹 기판(substrate) 상에 접합된 동 전극 위에 전기적으로 서로 직렬로 접합시켜 제조한다. 기존의 열전모듈의 제조방법에는 동 전극 위에 위에 Sn합금 분말과 플럭스(flux)의 혼합물인 솔더페이스트를 스크린 인쇄법을 사용하여 동 전극에 도포한 다음, 그 위에 열전소자를 얹고 약 520K의 열풍을 가하여 솔더를 용융시켜 열전소자와 동 전극을 접합시킨다. 스크린 인쇄법에서는 인쇄 압력이 일정하지 않으면, 솔더페이스트 층의 두께가 균일하지 않게 되어 열전소자 접합부의 불량을 유발시킨다. 그러나 열모듈은 단 하나의 접합 불량이 모듈 전체의 열전변환성능에 심각한 영향을 줄 수 있기 때문에 본 연구에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해, 솔더페이스트를 도포하지 않고 열전소자를 직접 동 전극과 접합할 수 있는 방법을 고안하였다. 무전해도금을 이용한 니켈층을 형성시킨 $Bi_2Te_3$계 열전소자 표면에 약 $50{\mu}m$의 주석도금층을 전기도금법을 구사하여 형성시켰다. 그 후, wire cutting을 통하여 $3mm{\times}3mm{\times}3mm$의 크기로 절단한 주석도금된 열전소자를 동 전극에 얹고 1.1KPa의 압력을 가하면서 523K의 핫플레이트 위에서 3분간 방치하여 직접(direct) 열압착 접합을 실시하였다. 접합부의 단면을 SEM을 이용하여 관찰한 결과, 동 전극과 열전소자 사이의 계면에 용융 후 응고된 주석층이 결함없이 균일하게 형성된 양호한 접합부를 관찰할 수 있었다. 따라서, 솔더페이스트를 이용하지 않고, 열전소자 표면에 주석도금을 실시한 후, 동 전극과 직접 열압착 본딩을 실시하는 방법은 균일한 접합계면을 얻을 수 있는 새로운 공정으로 기대된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.11a
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• pp.77-78
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• 2007

AZ31 마그네슘 판재의 장식 도금을 공정 개발을 적용하기 위한 기초 연구로서 전처리 특성에 따른 마그네슘 AZ31 판재의 아연치환도금의 특성을 연구하였다. AZ31 판재는 다이캐스팅으로 사용되는 AZ91 소재에 비해 산세에 대해 민감한 반응을 나타내었다. 소재의 균일화는 시편 E와 F에서 균일하고 광택 있는 표면을 얻었고, 질산은 표면 에칭효과만을 가진다는 것을 알 수 있었다. 아연치환도금을 위한 전처리에 있어서는 시편 E에서 우수한 밀착력을 나타내었다. 이후 청화동 도금과 황산동 도금, 니켈도금 3가 크롬도금을 실시하여, X-cutting 테이핑 테스트에서 양호한 밀착성과 내식성 72시간, 열탕시험을 만족하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.264-264
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• 2015

전기동도금의 경우 도금후 박막의 구조와 특성이 변화하는 단점이 있다. 공정조건 중 인가전류 밀도에 따른 우선결정성장방위, 미세조직, 혼입불순물 및 인장강도 변화를 조사하였다. 혼입불순물이 적은 저전류 밀도($2A/dm^2$)에서는 동도금후 시간이 지남에 따라 초기 인장강도를 유지하였으나, 고전류 밀도(5, $8A/dm^2$)로 갈수록 혼입불순물이 많아지며 동도금후 인장강도 또한 초기값에 비해 약 60%이상 감소하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.133-134
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• 2013

본 연구는 비전도성 소재 상에 무전해 동도금(Electroless Copper)시 수행되는 씨앗층이나 촉매공정 없이 직접 구리 석출물을 얻는 방법 중 하나에 관한 연구이다. 실리콘 웨이퍼상에 확산방지를 위한 Ta 금속확산방지(Metal barrier)막층 형성 후 무전해 동도금에 침지 후 최소한의 전류를 인가한 결과 균일한 구리피막을 얻을 수 있었으며, 표면 및 단면 조직 분석결과 이를 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2005.11a
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• pp.126-126
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• 2005