• Proceedings of the Acoustical Society of Korea Conference
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• 1998.06e
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• pp.31-34
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• 1998

배경 잡음에 의해 저하된 음성을 복원하는 기술은 이미 오래 전부터 여러 가지 기법들이 연구되어왔다. 이들 기법 중, Spectral Subtraction 기법은 단일 채널에 의한 Speech Enhancement의 대표적인 방법이다. 그러나, 기존의 단일 채널 Speech Enhancement 기법의 중요한 단점은 Musical Noise라 불리는 잔존 Noise의 발생 및 목적신호가 왜곡된다는 것이다. 이 잔존 Noise에 의해 지금까지 연구 보고된 단일 채널 Speech Enhancement기법들은 거의 대부분 SNR은 향상되었지만 명료도의 향상이 곤란하였다고 보고되어왔다. 그러므로, 본 연구에서는 인간의 청각기구의 지각과정을 충실히 모방한 ROEX(Rounded Exponential) 청각 Filter를 이용하여 잔존 Noise인 Musical Noise를 억제시키는 기법을 제안하고자 한다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.21 no.7
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• pp.1299-1305
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• 2017

In this paper, we consider a beamforming game between the transmitters in a two-user multiple-input single-output interference channel using limited feedback and investigate how each transmitter is able to find a modified strategy from the quantized channel state information (CSI). In the beamforming game, each of the transmitters (i.e., a player) tries to maximize the achievable rate (i.e., a payoff function) via a proper beamforming strategy. In our case, each transmitter's beamforming strategy is represented by a linear combining factor between the maximum ratio transmission (MRT) and the zero forcing (ZF) beamforming vectors, which is the Pareto optimal achieving strategy. With the quantized CSI, the transmitters' strategies may not be valid because of the quantization errors. We propose a modified solution, which takes into account the effects of the quantization errors.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.05a
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• pp.829-831
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 문턱전압 및 전도중심의 변화를 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 전압에 의하여 전류흐름을 제어할 수 있어 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 그러나 채널길이가 감소하면 필연적으로 발생하는 문턱전압의 급격한 변화는 소자 특성에 커다란 영향을 미치고 있다. 특히 상하단의 게이트 전압, 상하단의 게이트 산화막 두께 그리고 도핑분포변화에 따라 발생하는 전도중심의 변화는 문턱전압을 결정하는 중요 요소가 된다. 해석학적으로 문턱전압 및 전도중심을 분석하기 위하여 해석학적 전위분포를 포아송방정식을 통하여 유도하였다. 다양한 채널길이 및 채널두께에 대하여 전도중심과 문턱전압을 계산한 결과, 채널길이와 채널두께의 비 등 구조적 파라미터뿐만이 아니라 도핑분포 및 게이트 전압 등에 따라 전도중심과 문턱전압은 크게 변화한다는 것을 알 수 있었다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.7 no.3
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• pp.485-491
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• 2003

In this paper, We designed the multi-stage amplifier having high gain/low noise characteristics for terrestial repeater of direct digital satellite broadcasting system. In the design the amplifier, we optimized the parameters to have the stable operation between gain, noise figure and stability. The first stage of amplifier can be specified low noise impedance matching, 2nd stage to 5th stage show constant gain and stable operation and final stage of amplifier shows high gain impedance matching. As a result of experiment at the frequency of digital satellite terrestial, show 68dB gain under 2,4dB noise figure and 63dB dynamic range in the 11.7GHz-12.7GHz frequency range, it is a good agreement of communication channel amplifier requirements for satellite terrestial repeater.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2004.10c
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• pp.667-669
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• 2004

IEEE 802.15.3 High-Rate WPAN(Wireless Personal Area Network)은 TDMA방식을 사용하며 10m내외에서 멀티미디어와 같은 실시간, 대용량 데이터의 전송을 목적으로 한 기술이다. TDMA방식을 사용하는 기술은 디바이스들이 통신을 하기 전에 미리 채널시간을 할당받아야 한다. IEEE 002.15.3 High-Rate WPAN 환경에서 TCP stream을 전송할 경우 TCP ACK을 전송하기 위해 새로운 채널시간을 할당받아야 한다 송신단은 전송할 데이터와 할당받은 채널시간이 남아있더라도 TCP ACK을 수신할 때까지 아무런 전송도 할 수 없게 된다. 본 논문에서는 High-rate WPAN환경에서 TCP stream을 효과적으로 지원하기 위해 송신단이 할당받은 채널시간동안 송신단과 수신단이 충돌없이 채널을 사용하며 네트워크의 성능을 향상시키는 방법을 제안한다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.35D no.12
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• pp.68-74
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• 1998

Improved performance and suppressed short-channel effects of polysilicon thin film transistors (poly-Si TFTs) with very thin electron cyclotron resonance (ECR) $N_2$O-plasma gate oxide have been investigated. Poly-Si TFTs with ECR $N_2$O-plasma oxide ($N_2$O-TFTs) show better performance as well as suppressed short-channel effects than those with conventional thermal oxide. The fabricated $N_2$O-TFTs do not show threshold voltage reduction until the gate length is reduced to 3 ${\mu}{\textrm}{m}$ for n-channel and 1 ${\mu}{\textrm}{m}$ for p-channel, respectively. The improvements are due to the smooth interface, passivation effects, and strong Si ≡ N bonds.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• v.9 no.2
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• pp.887-890
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• 2005

The double gate(DG) MOSFET is a promising candidate to further extend the CMOS scaling and provide better control of short channel effect(SCE). DGMOSFETs, having ultra thin updoped Si channel for SCEs control, are being validated for sub-20nm scaling, A channel effects such as the subthreshold swing(SS), and the threshold voltage roll-off(${\Delta}V_{th}$). The propsed model includes the effects of thermionic emission and quantum tunneling of carriers through the source-drain barrier. The proposed model is used to design contours for gate length, channel thickness, and gate oxide thickness.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2017.03a
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• pp.448-452
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• 2017

단층 $MoS_2$와 단층 실리콘을 채널 물질로 사용한 TMD FET과 UTB FET의 소자 특성 분석 시뮬레이션을 진행하였다. TMD FET과 UTB FET의 채널과 oxide 두께를 변화시켜가며 각 각의 게이트 전압과 드레인 전류의 특성과 subthreshold swing 등을 분석하였으며, 채널과 oxide 두께가 얇을수록 단채널 효과가 줄어든다는 것을 알 수 있었다. 얇은 채널을 사용하는 트랜지스터의 최적 구동 조건은 채널과 oxide 층의 두께가 1 nm 정도 되어야 한다는 시뮬레이션 결과를 바탕으로 TMD FET과 UTB FET의 소자 특성을 상호 비교해 보았으며 TMD FET의 SS값이 더 좋다는 것을 확인할 수 있었다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.20 no.5
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• pp.992-997
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• 2016

This paper analyzes the deviation of tunneling current for the ratio of top and bottom gate oxide thickness of short channel asymmetric double gate(DG) MOSFET. The ratio of tunneling current for off current significantly increases if channel length reduces to 5 nm. This short channel effect occurs for asymmetric DGMOSFET having different top and bottom gate oxide structure. The ratio of tunneling current in off current with parameters of channel length and thickness, doping concentration, and top/bottom gate voltages is calculated in this study, and the influence of tunneling current to occur in short channel is investigated. The analytical potential distribution is obtained using Poisson equation and tunneling current using WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin). As a result, tunneling current is greatly changed for the ratio of top and bottom gate oxide thickness in short channel asymmetric DGMOSFET, specially according to channel length, channel thickness, doping concentration, and top/bottom gate voltages.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.11 no.2
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• pp.29-34
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• 2011

In this paper, we propose antenna and relay selection system by considering channel environment between nodes. Each node has multiple antennas in each hop. And, we analyze the performance of proposed system. A General MIMO system receives signals through multiple channels and obtains diversity gain. But MIMO system causes performance degradation due to poor received signals. The proposed system consider transmitters-relays channels, relays-receivers channels and select a best channel. This channel selection prevents performance degradation and increase total system's performance. Therefore, we must select best antennas and a best relay, simultaneously.