LED는 다른 광원에 비해 동작수명이 길고, 친환경적이며, 에너지 효율이 높은 장점을 가지고 있다. 최근 LED 기술의 발전으로 인해 고휘도, 고용량의 LED가 개발됨에 따라, 표시장치에만 적용되던 LED를 조명장치에도 적용하는 기술이 확산되고 있다. 조명장치에 적용되는 파워 LED는 발열문제로 인한 소손을 막기 위해 구동전류를 일정한 전류값 이하로 제어할 필요성이 있다. 본 논문은 파워 LED의 구동전류를 설정된 값 이하로 제어하는 전류제 한 기능을 갖는 파워 LED 태양광 보안등 개발에 관한 연구이다. 태양광 발전에 의해 생산된 전력을 DC12[V] 축전지에 저장한 후, 야간에 승압형 DC-DC 컨버터를 통해 DC24[V]로 승압시켜 파워 LED로 공급한다. 태양광 보안등 제어기, 승압형 DC-DC 컨버터, 72[W]급 파워 LED 램프를 개발하여 동작을 확인하고 관련 데이터를 도출함으로써 제안된 시스템의 타당성을 입증하였다.
밝기가 동작 전류에 비례하는 LED 조명은 다수의 LED를 직렬 연결하여 정전류원으로 구동하는 방식을 널리 사용하고 있다. 이러한 방식에서는 일부 LED가 고장으로 개방되면 전류 통로가 끊어져 직렬 연결된 모든 LED가 꺼지게 된다. 본 논문에서는 LED 동작 전압보다 약 0.4V 정도 높은 항복전압을 갖는 제너 다이오드를 개별 LED와 병렬로 연결하여 LED 고장 시 전류 우회로를 확보하므로 이러한 문제점을 해결하는 회로를 설계하였다. 시뮬레이션과 실험을 통해 LED 정상 동작 시에는 제너 다이오드로 전류가 거의 흐리지 않고, LED 고장 시에는 제너 다이오드가 안정적으로 전류 우회로로 동작함을 확인하였다.
무접합 나노선 터널 전계 효과 트렌지스터(junctionless nanowire tunnel field-effect transistor; JLNW-TFET)에서 소스(p+), 채널(i), 드레인(n) 물질으로 실리콘 및 게르마늄을 사용하여 이 구조에 대한 문턱전압 이하 기울기(subthreshold swings; SS)와 구동전류를 관찰했다. 소스-채널을 게르마늄-실리콘일 때 실리콘-실리콘, 실리콘-게르마늄, 게르마늄-게르마늄 구조보다 구동전류가 최대 1000배 증가하였고, 실리콘-실리콘 구조가 다른 구조에 비해 최소 SS가 최대 5배 이상 감소하였다.
본 논문에서는 12펄스 위상제어 정류기 및 수동 필터와 능동필터로 구성된 KCCH 싸이클로트론 전자석용 고정밀, 고안정 전류 전원장치를 위한 각 구성 부분의 제어 및 설계 특징은 다음과 같다. 12펄스 싸이리스터 컨버터의 출력전압 제어를 위하여 아날로그 phase-locked oscillator 점호방식과 함께 부하에 비해 빠른 동특성을 가지는 내부 전압제어 루프를 구성하여, 입력전원과 변압기의 불평형에 의해 발생하는 저차고조파를 줄어들게 하였다. LC 수동필터와 MOSFET으로 구성된 능동필터를 직렬로 연결하여 출력전압 리플을 허용치 이하로 낮추었다. 12펄스 컨버터 출력전압 리플의 최대 peak-to-peak값이 0.1% 이하가 되도록 수동필터 값을 설계하였으며 설계과정을 제시하였다. 16bit D/A와 A/D에 의해 디지털로 제어되는 pass bank MOSFET 레귤레이터는 출력리플의 slow drift 제어와 설정치 값의 정확한 제어를 가능하게 한다. 또한 MOSFET는 전압 구동형 소자이며 turn-on 전류 도통 시에 양의 저항계수를 갖기 때문에, 첫째 전류 구동소자에 비해 간단한 구동회로를 가지며, 둘째 소자의 병렬 연결이 용이하다는 이점을 갖는다. 본 논문에서는 전류 전원장치 각 부분의 설계에 대하여 상세한 설계결과를 제시하며, 실험결과를 통하여 제안된 설계방식의 우수한 정적 및 동적 특성을 입증한다.
[ $0.25{\mu}m$ ] N-well CMOS 공정기술을 이용하여 전류 구동형 A/D 변환기 회로를 설계하였다. 설계된 회로도에는 트랜스컨덕턴스(transconductance), 선형 폴더(folder) 회로 및 1 비트 A/D 변환기로 구성되어 있다. 트렌스컨덕턴스 회로를 이용하여 입력전압을 전류로 변환시킨 후 변환된 전류신호를 이용하여 선형성이 매우 양호한 폴더 회로를 얻을 수 있었다. 폴더 회로를 다단으로 종속접속시킴으로써 n비트 A/D 변환기로 확장할 수 있다. 본 연구에서 설계된 A/D 변환기는 대략 25MSPS으로 구동할 수 있는 6비트 A/D 변환기 회로이다.
본 논문에서는 ESD 보호회로의 전류구동 특성을 향상시키기 위해 일반적인 저전압용 ESD 보호회로인 LVTSCR의 구조적 변경을 적용한 ESD 보호회로를 제안한다. LVTSCR 구조에서의 electric field와 ESD 전류 경로가 형성 되는 영역을 분리하여 전력 소모를 최소화 하였으며 이에 대한 전기적 특성을 분석하고 전류 구동 특성을 개선하였다. 시뮬레이션을 통한 System-level 특성 저하에 기인하는 구조적인 문제를 분석하였으며 이를 반영하여 특성을 검증하였다. 제안된 ESD 보호회로의 전기적 특성은 TCAD 시뮬레이션을 통해 검증하였으며 HBM 모델링 및 System-level 모델링을 통해 분석하였다. 또한, DB-Hitek사의 0.18um BCD 공정을 통해 silicon 제작 및 HBM 10kV 특성 검증하였다.
본 논문은 단락회로 전류를 없애기 위한 CMOS 버퍼회로에 대한 것이다. 최종 구동소자는 풀-업 PMOS와 풀-다운 NMOS로 구성하고 이를 구동하기 위해 두가지 경로를 입력신호로 선택되도록 하였다. 이러한 기법으로 최종 구동회로가 짧은 시간동안 tri-state가 되어 단락회로 전류를 차단하였다. 모의 실험결과 전원전압 3.3V에서 전력-지연 곱을 기존의 Tapered 버퍼[1]와 비교하여 약 42% 줄일 수 있었다
본 논문은 원자로 제어봉구동장치 각 기구의 동작을 감시하여 이 장치에 의한 제어봉의 이동 여부를 검출하는 방법에 관한 것이다. 제어봉구동장치의 일부에서 전기적, 기계적 결함이 생기면 제어봉의 스텝 이동이 제대로 수행되지 못하고, 결국 해당 제어봉은 원자로의 목표 열적 출력을 위한 바른 위치에 도달하지 못하게 된다. 이렇게 되면 제어봉들 사이에 위치 편차가 발생하여 원하는 원자로 열적 출력을 얻을 수 없게 되므로 제어봉구동장치 각 기구의 동작을 신속하고 정확하게 파악하여 해당 제어봉의 이동 여부를 검출할 수 있어야 한다. 제어봉구동장치의 기구들은 각자의 여자 코일의 전류 파형 변화를 통해 동작 여부를 확인할 수 있는데 본 논문에서는 코일 전류 파형을 분석하기 위하여 국소적인 왜곡 검출 능력이 우수한 웨이블릿 변환 기법을 사용하였다.
LCD TV의 대형화 추세에 따라 백라이트 구동용 인버터의 가격을 낮추고 휘도의 균일성을 보장하기 위해 다수개의 CCFL을 병렬로 구동하는 방식을 채택하고 있다. 그러나 다수개의 CCFL 중에 어느 하나가 먼저 점등되면, 등가 병렬저항이 점등된 램프 하나의 저항으로 나타나게 된다. 이 경우, 점등되지 못한 나머지 CCFL은 전등을 위한 충분한 전압을 받지 못하게 되어 전등이 되지 않은 상태로 머물러 있게 되고, 각 CCFL간의 과전류 편차로 인한 휘도 불균형이 문제점으로 나타나고 있다. 본 논문에서는 LCD 백라이트 구동용 인버터에서 발생하는 전압 전류의 출력 블균형에 대해서 연구하였으며, 이를 바탕으로 OVP(Over Voltage Protection), LCC(Limited Current Circuit), OLP(Open Lamp Protection)의 기존 Analog IC의 보호회로를 통합하여 하나의 MCU로 구성하였다.
본 논문은 LabVIEW를 이용하여 온도측정과 amperometry 측정을 동시에 하며, amperometry 측정오차와 구동전압의 세팅 시간을 줄일 수 있는 시스템을 설계한 내용을 담고 있다. Amperometry는 구동전압을 인가하여, 전류를 측정하는 방법인데, 정확한 측정을 위해서는 구동전압을 균일하게 인가해야 한다. 또한 바이오 분야에서의 amperometry 측정은 온도에 따라 측정 결과가 다르게 나타날 수 있기 때문에 온도의 측정과 amperometry 측정이 동시에 이루어져야 측정오차를 줄일 수 있다. 본 논문에서는 이상(異常) 구동전압의 배제 알고리즘을 통하여 전류측정의 오차를 ${\pm}$70pA에서 ${\pm}$50pA이내로 줄였으며, proportional control을 응용한 알고리즘을 사용하여 307초의 측정시간을 105초로 단축하였다. 또한 amperometry 측정 과정에서 온도를 실시간으로 측정함으로써 측정상태를 보다 정확히 파악하는 시스템을 구성하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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