• 한국산학기술학회논문지
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• 제11권11호
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• pp.4529-4536
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• 2010

본 논문에서는 배전계통 모의장치와 태양광전원 모의장치, LabVIEW를 이용한 감시제어장치로 구성된 태양광전원 계통연계 시험장치를 제작하여, 태양광전원의 연계용량과 계통의 선로 구성특성, 역율(역율1, 지상/진상역율)의 3가지 Parameter에 대한 태양광전원의 정상상태 운용특성을 모의하였다. 즉, 태양광전원의 연계 운용이 배전계통(수용가)에 미치는 영향과 배전계통이 태양광전원에 미치는 영향을 분석하여, 태양광전원의 계통연계 운용 시에 발생 가능한 기술적인 사항을 검토하였다. 그리고 계통연계 시험장치의 실험 결과치를 분석하기 위하여, 태양광전원 대응형 전압강하 계산 알고리즘을 제안하여, 이론적인 값과 시험치를 비교하여 태양광전원의 정상상태 특성에 대한 시험결과의 유용성을 확인하였다.

• 에너지공학
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• 제3권1호
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• pp.36-43
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• 1994

광전기화학전지의 전극으로 TiO2 반도체 전극을 선택하여, sol 용액을 dip-coating 방법으로 티타늄 금속위에 입혀 만든 TiO2 필름의 광전기화학특성을 연구하였다. Dipping 횟수와 TiO2 필름의 두께간에는 선형적인 비례관계가 나타났으며, 15회 코팅하여 얻은 5.5$\mu\textrm{m}$에서 가장 큰 광전류값을 얻을 수 있었다. 전극의 최종열처리를 50$0^{\circ}C$에서 20분간 행하였을 때 광전류값이 가장 컸고, 열처리시간을 증가시키고, 열처리 온도가 50$0^{\circ}C$ 이상이 되면 광전류는 감소하였다. 유기첨가제로 HPC를 사용한 경우 sol 용액의 점도 및 제조된 전극의 광전류값이 가장 크게 나타났다.

• ETRI Journal
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• 제9권2호
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• pp.4-13
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• 1987

국내에서 연구 개발되어 현재 사용되고 있는 6Mbit/s 광전송시스팀, 45Mbit/s 광전송시스팀, 90Mbit/s 광전송시스팀의 구성 및 특성을 기술하였다. 6Mbit/s 광전송시스팀은 1:1의 절체구성이 가능하며 최대 중계거리가 다중모드인 경우는 31km, 단일모드인 경우는 35km이다. 45Mbit/s 광전송시스팀은 11 : 1의 절체 구성이 가능하고 텔리메트리를 위하여 동선을 사용하며 최대 중계거리가 다중모드인 LD인 경우 31km, LED 경우는 16km이다. 90Mbit/s 광전송시스팀은 11 : 1의 절체 구성이 가능하며 다양한 성능 감시, 수집, 표시기능이 있고 최대 중계거리가 다중모드 LD인 경우 29km, LED 경우는 14km, 단일모드 LD인 경우는 30.6km이다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2010년도 추계학술발표논문집 1부
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• pp.80-84
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• 2010

본 논문에서는 기존의 배전계통에 연계된 태양광전원에서 발생하는 양방향 보호협조에 대한 문제점을 분석하였다. 모의배전계통과 통합 보호기기장치, 모의 태양광전원장치로 구성된 태양광전원용 보호협조시험장치를 제작하여, 단락사고시험(OCR)과 지락사고시험(OCGR)에 대한 보호기기의 특성시험을 수행하였다. 태양광전원 연계에 의한 사고전류 공급으로 보호기기의 정정치 변동과 보호기기의 오동작, 부동작에 대한 동작특성을 분석하여, 기존의 배전계통에 연계된 태양광전원의 문제점을 분석하고, 그 대안을 제시하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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• pp.1092-1093
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• 2015

태양광전원이 수용가 연계하여 발전하는 경우 전원측에서 계측된 역률이 저하되는 현상이 발생 할 수 있다. 특히 전력산업구조 개편에 따라 전력공급자와 소비자 모두 전력품질과 계통의 안정성에 관심이 증대되어 계통의 역률은 중요한 부분이 되고 있다. 또한, 태양광전원 운용자들은 한전에서 제시하는 연계지점 역률 0.9이상을 만족시키도록 운용해야 하며, 연계지점의 역률의 변화에 따라 운용자의 이익에 영향을 미치므로 역률유지하기 위해 노력이 필요하다. 따라서 본 논문에서는 태양광전원이 연계되는 경우 역률이 저하되는 현상을 PSCAD/EMTDC로 이용하여 문제점을 분석하고, 태양광전원 수용가용 SVC를 개발하였다. 태양광전원용 실증시험 장치에 모의계통을 구성하여 개발한 SVC의 유효성을 입증하기 위해 특성시험을 수행하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 반도체 재료 센서 박막재료 전자세라믹스
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• pp.46-50
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• 2004

인쇄/소결 방법으로 가시영역에서 광감도가 매우 큰 CdSSe 다결정 후막을 만들고 이를 이용하여 광전도 젤을 제작하였다. 후막의 낱알 크기는 $5{\mu}m$ 정도이였다. 광전도 셀은 소결 촉진제로 첨가한 $cucl_2$ 양이 CdSSe 1 g 당 3.06~0.10 mg 정도이변 감도, 광전류와 암전류의 비율이 각각 0.7과 $10^5$ 이상을 나타내었고, Cds 와 CdSe 의 질량비가 1:0, 9:1, 8:2, 7:3, 6:4, 5:5일 때 응답파장은 각각 500nm, 520nm, 540nm, 570nm, 620nm, 660nm였다. 또한 주파수 특성을 나타내는 응답시간은 오름시간과 감쇠시간이 각각 30관 20ms 정도 이였으며 최대허용 소비 전력은 80mw 이상이었다. 이상과 같이 인쇄/소결 방법으로 제작된 광전도 셀은 $cucl_2$ 양이 CdSSe 1g 당 0.06~0.10 mg 정도 주입되면 센서로써 좋은 특성을 나타내었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제18권8호
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• pp.2029-2036
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• 2014

본 논문에서는 반도체 레이저의 직접 변조를 이용한 광전 발진기의 성능에 대한 이론적인 해석을 수행하였다. 먼저 광전 발진기를 구성 하는 각 부분의 응답 특성을 해석 하고, 이를 이용하여 광전 발진기 전체의 개방 루프 응답 특성을 얻었다. 다음으로 개방 루프 응답 특성의 크기 응답과 위상 응답 해석 결과에 루프 발진기의 발진 원리를 적용하여 광전 발진기의 발진 주파수, 스퓨리어스 톤의 간격, 위상 잡음의 성능을 도출하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.1432-1433
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• 2011

본 연구에서는 나노입자 이산화티타늄을 이용한 광전화학셀을 제작하여 제작된 광전기화학셀의 광전변환특성을 연구 하였다. 광전기화학셀을 제작함에 있어 광전극에는 나노입자 이산화티타늄을 페이스트로 하여 스크린 프린팅 하고 열처리 하였으며 상대전극의 경우 $H_2PtCl_6$를 2-propanol에 10mM로 녹인 용액을 도포하였다. 나노 페이스트와 용액처리를 한 광전극과 상대전극을 접합 후, 전해질을 주입 후 밀봉하여 셀을 제작하였다. 이때 사용된 전해질은 LiI, $I_2$, t-butylpyridine, 1-butyl-3-methylimidazolium iodide, 3-methoxypropionitrile이 사용되었다. 제작한 셀의 광전 변환 효율은 개방전압 Voc는 16.3v, 충진율 FF는 0.65로 나타났으며 이때의 변환 효율 7.55%로 나타났다.

• 공업화학전망
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• 제24권5호
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• pp.30-46
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• 2021

페로브스카이트 나노결정의 뛰어난 광전기적 특성과 표면 개질 용이성, 그리고 다양한 용액 공정 응용 가능성을 바탕으로 나노결정을 활용한 태양전지 응용 기술에 대한 연구가 폭넓게 진행되고 있다. 나노결정의 표면 및 결점 제어에 대한 화학적 이해와 공학적 제어 기술을 적용하여 다양한 광전소자의 효율을 향상시켜 왔으며, 최근 16.6% 광전효율의 페로브스카이트 나노결정 태양전지가 발표되었다. 나노결정을 태양전지에 활용하기 위해서는 광전특성 뿐만 아니라 연속적인 구동 안정성이 확보되어야 하며, 이를 위해서는 나노결정의 반응성이 높은 표면을 효율적으로 개질해야 한다. 이 총설에서는 페로브스카이트 나노결정의 표면 화학에 대한 기본 이해와 이를 제어하기 위한 리간드 치환 방법, 그리고 나노결정을 태양전지에 적용하기 위한 공학적 접근법에 대한 다양한 연구를 소개하고자 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.329.2-329.2
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• 2014

지난 수년간 태양전지의 광전변환효율을 높이기 위해 자가 조립된 InAs 또는 GaSb와 같은 양자점을 GaAs 단일 p-n 접합에 적용하는 연구를 개발해 왔다. 그러나 양자점의 흡수 단면적에 의한 광 흡수도는 양자점층을 수십 층을 쌓으면 증가하지만 활성층에 결함을 생성시킨다. 생성된 결함은 운반자트랩으로 작용하여 태양전지의 광전변환효율을 감소시킨다. 본 실험에서는 양자점이 적용된 태양전지와 적용되지 않은 태양전지의 광전변환 효율을 비교하고, 깊은준위 과도용량 분광법을 이용하여 결함상태를 측정 및 비교함으로써, 활성층 내부에 생성된 결함이 광전변환 효율에 미치는 영향을 분석하였다. 소자구조는 분자선 증착 방법을 이용하여, 먼저 n+-형 GaAs기판위에 n+-형 GaAs를 250 nm 증착한 후, 도핑이 되지 않은 GaAs활성층을 $1{\mu}m$ 두께로 증착하였다. 마지막으로 n+ 와 p+-형 GaAs를 각각 50, 750 nm 증착함으로써 p-i-n구조를형성하였다. 여기서, n+-형 GaAs 과 p+-형 GaAs의 도핑농도는 동일하게 $5{\times}1018cm-3$로 하였다. 또한 양자점을 태양전지 활성층에 20층을 형성하였다. 이때 p-i-n 태양전지 와 양자점 태양전지의 광전변환 효율은 각각 5.54, 4.22 % 를 나타내었다. p-i-n 태양전지의 개방 전압과 단락전류는 847 mV, 8,81 mA이며 양자점 태양전지는 847 mV, 6.62mA로 확인되었다. 태양전지의 전기적 특성을 측정하기 위해 소자구조 위에 Au(300nm)/Pt(30nm)/Ti(30nm)의 전극을 전자빔증착장치로 증착하였으며, 메사에칭으로 직경 $300{\mu}m$의 태양전지 구조를 제작하였다. 정전용량-전압 특성 및 깊은준위 과도용량 분광법을 이용하여 태양전지의 결함분석 및 이에 따른 광전변환 특성인자와의 상관관계를 논의할 것이다.