Fabrication and optoelectrical properties for cdSSe photoconductive cell by using print/sintering

인쇄/소결 방법에 의한 CdSSe 광전도 셀 제작과 광전기적 특성

인쇄/소결 방법으로 가시영역에서 광감도가 매우 큰 CdSSe 다결정 후막을 만들고 이를 이용하여 광전도 젤을 제작하였다. 후막의 낱알 크기는 $5{\mu}m$ 정도이였다. 광전도 셀은 소결 촉진제로 첨가한 $cucl_2$ 양이 CdSSe 1 g 당 3.06~0.10 mg 정도이변 감도, 광전류와 암전류의 비율이 각각 0.7과 $10^5$ 이상을 나타내었고, Cds 와 CdSe 의 질량비가 1:0, 9:1, 8:2, 7:3, 6:4, 5:5일 때 응답파장은 각각 500nm, 520nm, 540nm, 570nm, 620nm, 660nm였다. 또한 주파수 특성을 나타내는 응답시간은 오름시간과 감쇠시간이 각각 30관 20ms 정도 이였으며 최대허용 소비 전력은 80mw 이상이었다. 이상과 같이 인쇄/소결 방법으로 제작된 광전도 셀은 $cucl_2$ 양이 CdSSe 1g 당 0.06~0.10 mg 정도 주입되면 센서로써 좋은 특성을 나타내었다.