• Journal of Acupuncture Research
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• 제27권5호
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• pp.105-115
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• 2010

목적 : 침은 다양한 질환의 치료에 보편적으로 쓰이고 있으며 고혈압, 당뇨, 정신질환 등을 포함한 스트레스성 질환에도 활용되고 있다. 결박 스트레스는 스트레스 호르몬(코르티코스테론, 멜라토닌)의 혈장 농도를 크게 증가시키는 간단하고 효과적인 스트레스 요인이다. 본 연구는 결박 스트레스를 시행한 백서의 스트레스 호르몬의 혈중 농도에 대한 전기침의 효과를 조사하였다. 방법 : 결박 그룹은 2시간의 결박 스트레스를 받았으며 결박 스트레스 및 고주파수 전침그룹과 결박 스트레스 및 저주파수 전침그룹은 결박 스트레스와 고주파수 전침, 또는 결박 스트레스와 저주파수 전침을 동시에 각각 시행하였다. 급성 스트레스 유발 시에는 결박 스트레스를 1차례, 만성 스트레스 유발 시에는 7차례 시행하였다. 전기침 자극에는 우측 족삼리($ST_{36}$)를 사용하였다. 결박 스트레스 및 전기침으로 유도된 코르티코스테론과 멜라토닌의 농도를 측정하기 위해서 결박 스트레스 및 전기침 자극이 시작된 30분, 60분, 90분, 120분 후에 백서를 단두하여 혈액 샘플을 채취하였다. 결과 : 급성 스트레스 유발 시에는 고주파수 전침그룹의 코르티코스테론 혈장 농도가 증가하였고 멜라토닌 농도의 시간적 패턴을 변화시켰으나 저주파수 전침그룹에서는 유의한 변화가 없었다. 만성 스트레스 유발 시에는 고주파수 전침그룹의 혈장 코르티코스테론과 멜라토닌 농도가 유의하게 감소되었으나 저주파수 전침그룹에서는 변화가 없었다. 결론 : 이러한 결과는 전침이 결박 스트레스로 유도된 스트레스 호르몬의 혈장 농도 및 시간적 분비패턴을 변화시키는 효과가 있으나 스트레스 호르몬 반응을 변화시키는 데 있어서 주파수에 따른 유의한 차이가 있다는 것을 의미한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제49권4호
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• pp.1-6
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• 2012

본 논문에서는 고주파에서 동작하는 터널링 전계효과 트랜지스터 (TFET)의 소신호 파라미터 추출과 이에 대한 분석을 다루고 있다. 시뮬레이션으로 구현된 TFET의 채널 길이는 50 nm에서 100 nm 사이에서 변화되었다. Conventional planar MOSFET 기반의 quasi-static 모델을 이용하여 TFET의 파라미터 추출이 이루어졌으며 다른 채널 길이를 갖는 TFET에 대한 소신호 파라미터의 값을 게이트 바이어스 변화에 따라서 추출하였다. 추출 결과로부터 effective gate resistance와 transconductance, source-drain conductance, gate capacitance 등 주요 파라미터의 채널 길이 변화에 따른 경향성이 conventional MOSFET과 상당히 다른 것을 확인하였다. 그리고 $f_T$는 MOSFET과 달리 게이트 길이 역수의 값에 정확히 반비례하는 특성을 보였으며 TFET의 고주파 특성 향상을 transconductance의 개선이 아닌 gate capacitance의 감소에 의하여 가능함을 알 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2003년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.276-278
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• 2003

본 논문에서는 축대칭 유한요소법을 이용하여 고주파에서 사용하는 스파이럴 인덕터를 분석하였다. 스파이럴 인덕터는 고주파 운용시 인덕터 도체에서 발생하는 표피 효과와 근접 효과, 실리콘 기판의 전도성으로 인한 와전류에 의한 저항 손실, 그리고 대류 전류에 의한 기생 용량으로 인덕턴스의 감소와 같은 현상이 발생한다. 이러한 다양한 전자기적 기생 효과들이 실리콘 기판에서 스파이럴 인덕터의 성능을 저하시키게 된다. 그러므로 이러한 점들이 실리콘 기판에서 스파이럴 인덕터를 설계 및 모델링 함에 있어서 동기를 부여해 준다. 그래서 우리는 복잡한 형상에도 적용이 용이한 유한요소법을 이용하여 스파이럴 인덕터를 해석 및 설계하였다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.959-964
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• 2018

본 논문에서는 고주파에서 동작하는 공핍형 SOI MOSFET의 드레인 전류가 유도성 기생성분에 의해서 응답지연이 일어나는 것을 처음으로 확인하였다. 공핍형 SOI MOSFET는 드레인전압 변동에 따른 드레인전류의 응답지연이 발생하기 때문에 일반적인 MOSFET 고주파모델로는 해석할 수가 없다. 이러한 응답지연은 non-quasi-static 효과로 설명될 수 있으며 SOI MOSFET에서는 일반적인 MOSFET에 비해 유도성 기생성분에 의해 응답지연이 크게 발생하게 된다. 본 논문에서 제시한 고주파모델을 이용하여 공핍형 SOI MOSFET의 드레인 응답지연을 잘 표현하는지 확인한다.

• 전력전자학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.64-69
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• 2003

전류모드 제어시 전류루프에는 표본화 효과에 의해 저주파 모델로는 예측하기 어려운 고주파 성분이 존재한다. 본 논문에서는 영전압 스위칭 하프 브리지 컨버터의 정상상태에서의 출력전압 관계식을 구한다 또 이를 바탕으로 전류모드로 제어할 때 전류루프에 존재하는 표본화 효과를 고려하여 저주파 소신호 모델이 예측하기 어려운 고주파 성분의 특성을 표본화 이득을 통하여 더욱 정확히 예측할 수 있는 방법을 제시한다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2018년도 전력전자학술대회
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• pp.306-307
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• 2018

본 논문은 지능형 반도체 변압기 (Solid-state transformer, SST)용 다권선 고주파 변압기의 최적 설계 방안을 제안한다. 설계된 변압기는 10 kHz의 스위칭 주파수를 운전 조건으로 하며, 60 kVA의 정격 용량을 가진다. 특히 13.2 kV의 중전압 계통에 적용하기 위해 30 kV 이상의 절연 내력으로 설계하였으며, SST 시스템의 부피가 커지는 것을 억제하기 위해 3 입력-1 출력으로 구성된 4-권선 방식으로 구성하였다. 절연 내력을 만족시키기 위해 teflon PTFE를 이용한 내부 보빈과 외부 보빈 및 가드를 제작하였으며, 누설 인덕턴스 최소화 및 근접 효과와 표피 효과로 인한 AC 손실을 최소화하기 위해 쉘-타입으로 설계하였다. 시제품 제작 후 60 kVA의 정격 하에 동작 검증을 완료하였으며, 내전압 시험을 이용하여 30 kV급의 절연 내력을 검증하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2017년도 전력전자학술대회
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• pp.248-249
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• 2017

본 논문은 지능형 반도체 변압기용 고압 절연 내력을 갖는 고주파 변압기의 설계 순서와 방안을 제안하고 시제품을 제작하여 동작 검증 및 절연 시험을 완료한 결과를 서술한다.제작된 변압기는 10 kHz의 스위칭 주파수 하에 정격은 15 kW이며, 3권선 방식을 이용하였다. SST의 입력 전압인 $13.2kV_{rms}$및 출력단의 전압 플로팅 현상을 고려하여, polycarbonate를 이용한 내부 보빈과 teflon PTFE를 이용한 외부 보빈 및 가드를 제작해, 30 kV의 절연이 가능하도록 설계되었다. 또한, 정전 유도 현상으로 인해 고려해야 하는 코어와 권선 간의 고압 절연을 최소화하는 방안을 적용하였으며, 근접 효과와 표피 효과를 최소화하는 구조로 설계되었다. 시제품 제작 후 15 kW의 정격 하에 동작 검증을 완료하였고, 내전압 시험을 이용하여 30 kV의 절연 내력을 검증하였다.

• 대한영상의학회지
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• 제82권4호
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• pp.914-922
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• 2021

목적 이 연구는 갑상선 미세유두암을 고주파 절제술로 치료한 후 10년 이상 경과 관찰한 환자들의 결과를 통해 효과와 안전성을 평가하고자 했다. 대상과 방법 2006년 11월부터 2009년 12월까지 갑상선 미세유두암을 고주파 절제술로 치료받은 환자 5명을 대상으로 하였다. 이 환자들은 모두 조직검사를 통해 갑상선 미세유두암으로 진단을 받았고, 병변은 갑상선 내에 국한되어 있었으며, 전이의 증거가 없었고, 수술이나 전신마취가 의학적으로 부적합하거나 수술을 거부한 환자들이었다. 고주파 절제술은 고주파 발생기와 냉각기를 사용하여 한 명의 영상의학과 의사가 시행하였다. 우리는 시술과 연관된 부작용, 소작된 종양의 변화, 재발 여부, 국소 또는 림프절 전이 등에 대해 초음파 영상 소견과 의무 기록을 토대로 분석하였다. 결과 평균 경과 관찰기간은 130.6개월(범위, 121~159개월) 이었다. 세 명의 환자는 한 번의 고주파 절제술을, 두 명의 환자는 두 번의 시술을 받았다. 다섯 명의 환자 모두 시술과 연관된 부작용은 보이지 않았다. 다섯 개 중 세 개의 종양은 시술 후 완전히 사라졌으며 두 개의 종양은 최소한의 흔적으로 남아 평균 16.8개월의 경과 관찰기간 동안 큰 변화가 없었다. 가장 최근의 경과관찰에서 다섯 명의 환자 모두 국소 전이나 림프절 전이는 보이지 않았고 갑상선 글로불린(thyroglobulin)의 수치도 정상 범위였다. 결론 고주파 절제술은 수술에 부적합하거나 수술을 거부하는 저위험 갑상선 미세유두암 환자들에 대해서 효과적이고 안전한 치료법이 될 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.229-229
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• 2007

나노결정 합금재료를 전력선 통신 커플러용 자심재료로 응용하기 위해서는 고주파 대역에서의 손실 특성이 제어되어야 한다. 즉 고속 전력선 통신을 위한 자심재료의 투자율 및 완화 주파수 등의 전자기적 특성은 30MHz까지 우수하고 안정적으로 유지되어야 하며, 높은 투자율 및 자속밀도, 공진주파수뿐만 아니라 낮은 전력손실 값을 가져야 한다. 따라서 본 연구에서는 나노결점 합금 리본 표면에 딥 코팅, 졸-겔법, 진공함침 등의 방법을 이용하여 PZT, $TiO_2$ 및 $SiO_2$ 등의 산화물 고저항층을 형성시켜 자기적 성질을 유지하면서 고주파 대역의 와전류 손실을 감소시켜 통신용 자심재료로의 응용성을 향상시키고자 하였다. PZT 슬러리의 제타전위 조절을 통해 최적의 분산조건을 얻을 수 있었고, 평균 150nm인 PZT 입자의 초미립자와 가소제, 분산제, 결합제의 첨가조건을 확립할 수 있었다. 딥-코팅은 슬러리 내 유지시간 10초, 인상속도 5mm/min로 30회 반복되었을 때 가정 우수한 특성을 나타내었으며, 고주파 대역에서의 손실 감소효과를 나타내었다. 그리고 졸-겔법에 의해 제조된 슬러리를 이용한 $TiO_2$와 $SiO_2$ 산화물 저항층 코팅을 통해 금속 알콕사이드의 혼합조건 및 저항층 형성용 슬러리의 제조조건을 확립하였고, 합금 리본표면에 균일하고 우수한 점착력을 가지는 저항층을 형성시킬 수 있었으며, 이에 따른 코어손실의 감소효과를 나타낼 수 있었다. 또한 진공 함침법을 통한 저항층 형성에서, $TiO_2$ 나노분말을 표면 저항층으로 코팅했을 때, 가장 높은 코어손실 감소효과를 나타내었다. 한편, 표면 저항층이 형성된 나노결정 합금으로 제조한 자심재료를 이용하여 전력선 통신용 비접촉식 커플러에의 적용과 시험을 통해 고주파 손실 감소효과에 의한 신호전송 특성과 전류특성을 향상시킬 수 있었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제20권3호
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• pp.285-290
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• 2016

고속 인터페이스에서 채널 대역폭에 의해 생기는 ISI는 최대 데이터 전송속도를 제한한다. ISI를 제거하는 가장 보편적인 기술로 DFE가 있다. 빠른 데이터 송수신을 위해서는 DFE가 효과적으로 ISI를 제거하는 것도 중요하지만 피드백 지연 등을 완화시켜 회로 자체의 최대 동작 주파수도 증가시켜야 한다. 또한, 싱글 엔디드 시그널링에서는 DFE가 ISI뿐만이 아닌 고주파 잡음도 효과적으로 제거하여야 한다. 한편, 데이터 전송 속도가 올라감에 따라 늘어 나는 ISI 및 고주파 잡음을 제거하기위한 DFE 구성품의 수가 증가한다. 이는 곧 추가의 전력소모를 야기하므로 고속 동작뿐만 아니라 저전력 동작도 주목할 필요가 있다. 본 논문에서는 ISI와 고주파 잡음을 효과적으로 제거하는 고속 DFE 및 저전력으로 동작하는 DFE의 동작 방식과 이들이 갖고 있는 장단점을 소개한다.