• The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.13 no.2
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• pp.60-70
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• 2002

최근 고성능/고집적 RF 소자 및 시스템들의 경박 단소화 추세에 따라 RF 무선 통신 분야에도 초소형미세 가공 기술인 MEMS 기술이 크게 주목받고 있다. 이에 본 고에서는 RF 부품 및 시스템을 MEMS 기술로서 실장하는 RF MEMS 패키지 기술에 대하여 간단히 살펴보았다. 우선, 실리콘 기반의 MEMS 패키지가 우수한 열 전달 특성과 저 손실의 고주파특성으로 인해 RF 시스템의 실장에 매우 적합함을 확인하였다. 또한, MEMS 기술을 이용함으로써 RF회로와 패키지 제작 공정이 동시에 이루어질 수 있도록 하는 일괄터리공정에 대하여 소개하였다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2003.07b
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• pp.695-698
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• 2003

This paper presents a Si power LDMOSFET for power amplifiers in the 1.8-2.2GHz frequency range for the base station of personal communication systems. To improve the cut-off frequency, the proposed Si power LDMOSFET has small gate to drain capacitance by shielding the electric fields with extended source electrode and forming the field oxide structure in drain region. The proposed Si power LDMOSFET can be used for a power amplifier and it has 32% of power added efficiency and 39.5dBm of output power when the supply voltage is 28V and the operating frequency is 1.9GHz.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.274-274
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• 2009

고효율 결정질 실리콘 태양전지 구조를 갖기 위해서는 기본적으로 광포획 기능이 고려된 기판이 고려되어야 한다. 본 실험에서는 2-step 습식공정을 이용하여 기판의 반사율을 기존 대비 절반 이하로까지 줄일 수 있는 저반사율을 갖는 표면구조를 얻을 수 있었다. 일반적인 텍스처링 공정을 NaOH와 TMAH등을 이용하여 10um이하의 피라미드 구조를 통해 평균반사율을 10~13%수준을 얻었고, metal assist etching을 이용하여 추가적인 나노 텍스처링을 적용하였다. 전체적인 2-step에칭을 적용하여 평균 반사율을 5%이하까지 줄일 수 있었다. 이는 전반적으로 나노구조 형성으로 인하여 단파장쪽의 반사율이 적게 나오고 IR 파장쪽의 반사율도 같이 낮아짐으로써 저반사율이 달성되었다. 2-step을 이용한 나노 텍스처링 공정 최적화와 반사방지막을 증착하여 이에 대한 효과를 연구하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.263-263
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• 2016

최근 반도체 시장에서는 저비용으로 고성능 박막 트랜지스터(TFT)를 제작하기 위한 다양한 기술들이 연구되고 있다. 먼저, 재료적인 측면에서는 비정질 상태에서도 높은 이동도와 가시광선 영역에서 투명한 특성을 가지는 산화물 반도체가 기존의 비정질 실리콘이나 저온 폴리실리콘을 대체하여 차세대 디스플레이의 구동소자용 재료로 많은 주목받고 있다. 또한, 공정적인 측면에서는 기존의 진공장비를 이용하는 PVD나 CVD가 아닌 대기압 상태에서 이루어지는 용액 공정이 저비용 및 대면적화에 유리하고 프리커서의 제조와 박막의 증착이 간단하다는 장점을 가지기 때문에 활발한 연구가 이루어지고 있다. 특히 산화물 반도체 중에서도 indium-gallium-zinc oxide (IGZO)는 비교적 뛰어난 이동도와 안정성을 나타내기 때문에 많은 연구가 진행되고 있지만, 산화물 반도체 기반의 박막 트랜지스터가 가지는 문제점 중의 하나인 문턱전압의 불안정성으로 인하여 상용화에 어려움을 겪고 있다. 따라서, 본 연구에서는 기존의 산화물 반도체의 불안정한 문턱전압의 문제점을 해결하기 위해 마이크로웨이브 열처리를 적용하였다. 또한, 기존의 IGZO에서 suppressor 역할을 하는 값비싼 갈륨(Ga) 대신, 저렴한 지르코늄(Zr)과 하프늄(Hf)을 각각 적용시켜 용액 공정 기반의 Zr-In-Zn-O (ZIZO) 및 Hf-In-Zn-O (HIZO) TFT를 제작하여 시간에 따른 문턱 전압의 변화를 비교 및 분석하였다. TFT 소자는 p-Si 위에 습식산화를 통하여 100 nm 두께의 $SiO_2$가 열적으로 성장된 기판 위에 제작되었다. 표준 RCA 세정을 진행하여 표면의 오염 및 자연 산화막을 제거한 후, Ga, Zr, Hf 각각 suppressor로 사용한 IGZO, ZIZO, HIZO 프리커서를 이용하여 박막을 형성시켰다. 그 후 소스/드레인 전극 형성을 위해 e-beam evaporator를 이용하여 Ti/Al을 5/120 nm의 두께로 증착하였다. 마지막으로, 후속 열처리로써 마이크로웨이브와 퍼니스 열처리를 진행하였다. 그 결과, 기존의 퍼니스 열처리와 비교하여 마이크로웨이브 열처리된 IGZO, ZIZO 및 HIZO 박막 트랜지스터는 모두 뛰어난 안정성을 나타냄을 확인하였다. 결론적으로, 본 연구에서 제안된 마이크로웨이브 열처리된 용액공정 기반의 ZIZO와 HIZO 박막 트랜지스터는 추후 디스플레이 산업에서 IGZO 박막 트랜지스터를 대체할 수 있는 저비용 고성능 트랜지스터로 적용될 것으로 기대된다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.16 no.5
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• pp.1029-1034
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• 2012

This paper presents a cost-effective and high-performance film bulk acoustic resonator (FBAR) duplexer module for US-PCS handset applications. The FBAR device uses a glass wafer level packaging process, which is a more cost-effective alternative to the typical silicon capping process. The maximum insertion losses of the FBAR duplexer at the Tx and Rx bands are of 1.9 and 2.4 dB, respectively. The total thickness of the duplexer module is 1.2 mm, including the glass-wafer bonded Tx/Rx FBAR devices, PCB board, and transfer molding material.

• KIPS Transactions on Computer and Communication Systems
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• v.4 no.2
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• pp.41-46
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• 2015

The demand on low power and high performance system is soaring due to the extending of mobile and small electronic device market. The 3D die-stacking technology is widely studying for next generation integration technology due to its high density and low access time. We proposed the 3D die-stacked DRAM including a reconfigurable accelerator in a logic layer of DRAM. Also we discuss and suggest a cache-based local memory for a reconfigurable accelerator in a logic layer. The reconfigurable accelerator in logic layer of 3D die-stacked DRAM reduces the overhead of data management and transfer due to the characteristics of its location, so that can increase the performance highly. The proposed system archives 24.8 speedup in maximum.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.50 no.11
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• pp.124-129
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• 2013

This paper proposes a high-performance vector inner product calculation circuit for real-time object recognition based on SVM algorithm. SVM algorithm shows a higher detection rate than other object recognition algorithms. However, it requires a huge amount of computational efforts. Since vector inner product calculation is one of the major operations of SVM algorithm, it is important to implement a high-performance vector inner product calculation circuit for real-time object recognition capability. The proposed circuit adopts the pipeline architecture with six stages to increase the operating speed and makes it possible to recognize objects in real time based on SVM. The proposed circuit was described in Verilog HDL at RTL. For silicon verification, an MPW chip was fabricated using TSMC 180nm standard cell library. The operation of the implemented MPW chip was verified on the test board with test application software developed for the chip verification.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2008.05a
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• pp.46-48
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• 2008

나노복합 블레이드가 반도체 웨이퍼 가공을 위한 마이크로급 나노장치나 그 이상의 나노급 구조체를 위해 사용되었다. 금속 블레이드는 실리콘 웨이퍼 가공을 위해 사용되어 왔다. 그러나, 최근 레진 복합 블레이드는 반도체나 핸드폰의 쿼츠 웨이퍼 가공에 사용된다. 유기 또는 비유기 재료 선정은 기계가공성, 전기 전도성, 강도, 연성 및 웨이퍼 저항을 가진 블레이드를 만드는데 중요하다. 고성능 응용의 증대 요구에 따라 개발된 고기술 비유기성 재료의 혼합은 낮은 가격에 고기능의 신뢰도를 필요로 한다. 나노 입자의 크기를 가진 레진 복합물의 마이크로 설계는 입자간 상호작용의 제어가 필요하다. 형상 제작 동안 마이크로 차원에 두께를 유지하기 위해서는 마이크로/나노급 제작을 위한 가공기술이 중요한 것 중의 하나이다. 본 연구에서는 핫 프레스 구조물이 원래 설계 기준과 두께 차이의 실험 접근법을 사용해 만들어졌다. 다른 습식 공정 기술은 차원의 허용치를 개선하기 위해 만들었다. 실험들과 해석들은 신뢰성 결과가 사용가능함을 보여주었다. 반도체 시장에 사용될 레진 복합 블레이드의 개선 효과가 논의되었다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.40 no.5
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• pp.285-289
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• 2003

This paper proposes a 10 ${\mu}{\textrm}{m}$ thick oxide air-bridge structure which can be used as a substrate for RF circuits. The structure was fabricated by anodic reaction, complex oxidation and rnicrornachining technology using TMAH etching. High quality films were obtained by combining low temperature thermal oxidation (50$0^{\circ}C$, 1 hr at $H_2O$/O$_2$) and rapid thermal oxidation (RTO) process (105$0^{\circ}C$, 2 min). This structure is mechanically stable because of thick oxide layer up to 10 ${\mu}{\textrm}{m}$ and is expected to solve the problem of high dielectric loss of silicon substrate in RF region. The properties of the transmission line formed on the oxidized porous silicon (OPS) air-bridge were investigated and compared with those of the transmission line formed on the OPS layers. The insertion loss of coplanar waveguide (CPW) on OPS air-bridge was (about 1 dB) lower than that of CPW on OPS layers. Also, the return loss of CPW on OPS air-bridge was less than about - 20 dB at measured frequency region for 2.2 mm. Therefore, this technology is very promising for extending the use of CMOS circuitry to higher RF frequencies.

• Journal of the Korea Convergence Society
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• v.8 no.8
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• pp.9-15
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• 2017

With the development of semiconductor integration technology, central processing units and storage devices have been miniaturized and performance has been rapidly developed, interconnection network technology is becoming a more important factor in terms of the performance of high performance computing system. In this paper, we analyze the trend of interconnection network technology used in high performance computing. Interconnect technology, which is the most widely used in the Supercomputer Top 500(2017. 06.), is an Infiniband. Recently, Ethernet is the second highest share after InfiniBand due to the emergence of 40/100Gbps Gigabit Ethernet technology. Gigabit Ethernet, where latency performance is lower than InfiniBand, is preferred in cost-effective medium-sized data centers. In addition, top-end HPC systems that demand high performance are devoting themselves from Ethernet and InfiniBand technologies and are attempting to maximize system performance by introducing their own interconnect networks. In the future, high-performance interconnects are expected to utilize silicon-based optical communication technology to exchange data with light.