• 제목/요약/키워드: 고분해능 투과전자현미경

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TEM 관련 이론해설 (6): 투과전자현미경의 고분해능 영상이론: 결맞음 (1) (Theory of High Resolution TEM Image Formation: Coherence (1))

  • 이확주
    • Applied Microscopy
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    • 제35권3호
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    • pp.105-112
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    • 2005
  • 고분해능 TEM 영상 이론의 결맞음 조사에서의 결맞음에 관한 개념을 소개하였다. 현미경에서 부분 결맞음 파동으로 인한 transfer function과 envelope의 발생을 설명하고 현미경의 분해능과 관련된 passband와 Scherzer 초점 조건을 소개하였다.

$Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ 고용체에서 고분해능 투과전자현미경을 이용한 구조 규칙화에 대한 연구 (High-resolution Transmission Electron Microscopy of Ordered Structure for Lead Magnesium Niobate Solid Solutions)

  • 박경순
    • Applied Microscopy
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    • 제27권1호
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    • pp.101-109
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    • 1997
  • La이 첨가되고 또한 첨가되지 않은 $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ 고용체에서 Mg과 Nb의 비화학양론적인 구조 규칙화 현상이 고분해능 전자현미경과 컴퓨터 이미지 시뮬레이션에 의해 연구되었다. 고분해능 격자 이미지는 여러 이미지 형성 조건과 대물렌즈 구경에서 얻었다. 컴퓨터 이미지 시뮬레이션은 여러 시편 두께, 초점 거리, 장거리 규칙도에서 실시되었다. 규칙격자 구조를 가지는 영역의 격자 이미지는 장거리 규칙도에 크게 의존되는 것이 발견되었다. 규칙격자 구조를 가지는 영역에 있어서, 실험 격자 이미지와 컴퓨터 시뮬레이션 이미지의 비교로부터, 규칙격자 구조를 가지는 영역의 장거리 규칙도는 $0.2\sim0.7$의 간을 가지고 있는 것이 관찰되었다. 또한 규칙격자는 $(NH_4)_3FeF_6$ 결정구조를 가지고 있었다.

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전곡지역 대동층군 점판암의 일랑트내에 협재된 탄질물의 미세구조 (Microsutructures of Carnonaceous Materials within Illite of the Daedong Group Slate from Jeongok Area, Korea)

  • 안중호;조문섭
    • 한국광물학회지
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    • 제13권1호
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    • pp.15-21
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    • 2000
  • 이 연구에서는 대동층군 탄질 점판암내에 산출하는 탄질물의 미세구조를 고분해능 투과전자현미경(HRTEM)을 이용하여 조사하였다. 관찰된 탄질물은 구조가 부분적으로 흑연화된 흑연화과정의 초기단계 물질로서$ 100\AA$ 이하의 매우 얇은 크기로 일라이트 결정들의 경계면 사이나 일라이트 결정내에 협재되어 나타난다. 탄질물의 층상구조는 휘어있거나 불연속적이며, 부분적으로 원형조직을 보이는 "지문" 조직을 이루고 있다. 이러한 특징은 많은 결함구조를 가지고 구조적으로 충분히 흑연화되지 않은 물질에서 볼 수 있는 전형적인 구조다. 미세한 규모로 협재된 조직을 보이는 탄질물은 퇴적물의 속성작용과 저변성작용시 일라이트가 성장하는 동안에 포획되었거나, 또는 일라이트 이전의 점토광물내에 흡착되었던 물질들로부터 유래된 것으로 보인다. 이처럼 탄질물과 일라이트가 미세한 규모로 협재되어 산출하는 특징은 저변성암에서 일어나는 흑연화작용시 복잡한 미세구조의 변화가 수반되었음을 지시한다. 다양한 미세구조를 보여주는 흑연질 물질의 산출은 탄질물이 고온에서 균질한 흑연으로 생성되기까지 불연속적인 단계를 거쳐 반응할 가능성을 지시한다. 끝으로, 이 연구는 이온 빔을 이용하여 제작한 시료를 관찰함으로써 암석내에 함유된 탄질물들의 조직을 훼손하지 않고 관찰할 수 있음을 보여준다.

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초고전압 투과전자현미경의 원격시범운영 (First Remote Operation of the High Voltage Electron Microscope Newly Installed in KBSI)

  • 김영민;김진규;김윤중;허만회;권경훈
    • Applied Microscopy
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    • 제34권1호
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    • pp.13-21
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    • 2004
  • 최근에 한국기초과학지원연구원에 설치된 초고전압 투과전자현미경은 원자분해능(점분해능 $1.2{\AA}$ 이하)의 구현과 고경사각 tilting 기능(${\pm}60^{\circ}$)에 의해 시편의 원자배열 구조를 3차원적으로 이미징할 수 있는 고성능 투과전자현미경이다. 이에 더하여 FasTEM이라는 원격 운용 시스템이 갖춰져 있어서 장비의 직접운용에 따른 여러 제약을 극복할 수 있게 한다. 초고전압 투과전자현미경의 원격운용을 위해 FasTEM 원격 시스템은 본원 초고전압 투과전자현미경에 설치된 Server 시스템과 서울분소에 설치된 Client 콘솔 시스템을 155 Mbps급 초고속 선도망 KOREN에 연결하여 구성하였으며 서울분소에서 대전본원의 초고전압 투과전자현미경을 운영하여 Au의 [001] 고분해능 영상을 얻는데 성공하였다. 초고전압 투과전자 현미경의 조사계 및 결상계 시스템 파라메타들의 조정, 각각의 detector 시스템 조정과 이미징, goniometer와 aperture 구동을 위한 motor-driven system들의 동작 등 초고전압 투과전자현미경의 원격 조정은 원격 작업자가 현장에 있는 것과 마찬가지로 실시간 운용이 가능하였다. 초고전압 투과전자현미경과 IT 기반기술의 접목에 의해 실현된 원격운용 기능은 국가적 공동연구시설에 대한 e-Science Grid를 구축하는데 중요한 역할을 하리라 기대된다.

고분해능 투과전자 현미경을 이용한 박막 전지용 비정질 산화 바나듐 양극 박막의 충-방전에 따른 구조변화 분석 (An Analysis of Structural Characteristics in Amorphous Vanadium Oxide ($V_2$$O_5$) Cathode Film for Thin Film Batteries after Cycling by High-resolution Electron Microscopy (HREM))

  • 김한기;성태연;전은정;옥영우;조원일;윤영수
    • 한국세라믹학회지
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    • 제38권3호
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    • pp.274-279
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    • 2001
  • Pt/Ti/Si 기판 위에 성장시킨 박막 전지용 비정질 산화 바나듐 박막에 고상 전해질 박막 LiPON을 이용하여 전고상형 박막전지를 제작하여 충-방전 시험을 시행하였다. 이렇게 제작된 전고상형 박막전지는 500 사이클 이상까지 평균 15$\mu$Ah의 방전용량을 나타내었으나 초기 사이클 영역부터 방전 용량의 감소가 일어나기 시작했다. 박막 전지의 방전 용량 감소에 따른 비정질 산화 바나듐 박막의 구조적 특성 변화를 관찰하기 위하여 고분해능 현미경 분석을 시행하였다. 충-방전을 하지 않은 초기의 산화 바나듐 박막은 입계를 갖지 않고 다결정 특성을 보이지 않는 완전한 비정질 특성을 보였고 이는 TED 결과와 일치하였다. 그러나 450번의 반복적인 충-방전을 시행한 후의 비정질 산화 바나듐 박막 내에는 microcrystalline 형태의 산화 바나듐의 형성됨을 고분해능 전자 현미경 분석을 통해 발견할 수 있었다. 비정질 산화바나듐 박막의 방전 용량 감소의 원인인 Li의 비가역적 탈-삽입은 비정질 내에 형성된 microcrystalline에 의해 유발된다고 사료된다. 또한 LiPON 전해질 박막과 산화 바나듐 박막사이의 계면에 Li 이온과 산화바나듐과의 반응에 의해 형성된 계면 층에 발견할 수 있었는데 이러한 계면 층 역시 Li 확산과 계면 저항에 영향을 주어 방전 용량 감소에 원인으로 작용한다.

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플라즈마 분자선 에피탁시 법으로 성장된 비극성 ZnO 박막의 표면 형상 분석 (Surface Morphology Characterization of Nonpolar ZnO Thin Films Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy)

  • 이재욱;이정용;한석규;홍순구
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2007년도 춘계학술발표회 초록집
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    • pp.161-162
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    • 2007
  • (1-102) R-면 사파이어 기판 위에 플라즈마 분자선 에피탁시 법으로 성장시킨 비극성 ZnO 박막의 표면 형상을 원자력간현미경(AFM) 및 투과전자현미경으로 분석하였다. AFM 관찰 결과 ZnO<0001> 방향으로 길쭉한 제방 모양의 표면 형상이 나타남을 알 수 있었고, 고분해능 투과전자현미경 관찰을 통해 박막 성장 중에 관찰되는 V(chevron 모양) 형상의 in-situ RHEED 패턴을 야기시키는 박막 표면의 facet 면을 원자 level에서 확인하였다.

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MBE에 의해 성장된 $\textrm{Zn}_{1-x}\textrm{Fe}_{x}\textrm{Se}$ 반도체 박막의 미세구조 (Microstructure of $\textrm{Zn}_{1-x}\textrm{Fe}_{x}\textrm{Se}$ Epilayers Grown by Molecular Beam Epitaxy)

  • 박경순
    • 한국재료학회지
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    • 제7권9호
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    • pp.805-810
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    • 1997
  • MBE에 의해 성장된 Zn$_{1-x}$ Fe$_{x}$Se박막의 미세구조가 고분해능 투과전자현미경에 의해 연구되었다.Zn$_{1-x}$ Fe$_{x}$Se 박막에서 CuAu-l과 CuPt의 규칙격자가 발견되었다. 이 규칙격자는 전자 회절과 단면 고분해능 격자 이미지에 의해 조사되었다.CuAu-l규칙격자는 (001)InP기판 위에 성장된 Zn$_{1-x}$ Fe$_{x}$Se(x=0.43)에서 관찰되었고, 반면에 CuPt규칙격자는 (001)GaAs기판 위에 성장된 Zn$_{1-x}$ Fe$_{x}$Se(x=0.43)에서 관찰되었다.43)에서 관찰되었다.

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