• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권6호
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• pp.490-495
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• 1994

We investigated photoreflectance of semi-insulating GaAs with respect to modulation sources, that is, modulation beam intensity, modulation frequency, temperature, and thickness of sample. PR spectra by each modulation source turned out to be signals of low electric field third differential, and band gap values of sample were fitted by least square root method for Aspnes' theoretical equation.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2007년도 춘계학술대회A
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• pp.518-520
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• 2007

Since all essential property of semiconductor materials are structure-sensitive, the understanding of the deformation mechanism and the deformed structure which can be formed in the nanometer-scale devices is very crucial. To investigate the deformation mechanism and the corresponding structures, nanometer-scale contact loading simulations are carried out using molecular dynamics in silicon and gallium-arsenide.

• 한국마린엔지니어링학회:학술대회논문집
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• 한국마린엔지니어링학회 2005년도 전기학술대회논문집
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• pp.401-405
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• 2005

This paper proposed a miniaturization passive element employing the multiple microstrip line. As a result of this method, we realized the transmission line miniaturized. The applying structure designed and evaluated a power divider on GaAS MMIC circuit. It draws a plan in a center Frequency as the observation could do good characteristic.

• 한국통신학회:학술대회논문집
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• 한국통신학회 1991년도 추계종합학술발표회논문집
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• pp.210-214
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• 1991

We briefly compared GaAs MESFET model and s셔요 on the method of parameter extraction for PSPICE simulation. The parameter determined from above method were substituded into a commercial version of PSPICE which supports the hyperbolic tangentent model. The result of simulation is reasonably good at the lower VGS and is significantly fitted overall by optimization.

• Journal of Oral Medicine and Pain
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• 제21권1호
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• pp.153-171
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• 1996

저수준레이저를 이용하여 창상이나 병소의 치유과정에 대한 효과를 조사하기 위하여 많은 연구가 시행되었다. 연구에 의하면 갈륨비소 레이저광이 생체자극효과를 가진다고 하며, 저수준레이저를 조사하면 단백질과 핵산 (DNA) 합성을 자극하여 치은섬유아세포의 증식을 촉진한다고 보고하였다. 외상병소나 근육병소의 치료에 사용된 레이저치료법에 관한 관심이 점증함에 따라 저수준레이저요법 (LLLI)의 치유효과를 설명하기 위하여 분자생물학적 수준의 연구를 시행하기에 이르렀다. 보고에 의하면 Mutans Streptococcide 는 LLLI를 사용시 증식이 촉진되며, 다른 세균에서도 유사한 증식효과가 나타날 것이라고 주장하였다. 그러므로 LLLI가 피부감염을 야기하는 가장 흔한 원인인 Staphylococcus aureus 도 마찬가지로 증식이 촉진되는 지를 조사해볼 필요가 있으며, 또한 감염과 같이 특정 병적 상태에서의 저수준레이저광의 효과는 아직까지 명확하게 밝혀져 있지 않았다. 그러므로 본 연구의 목적은 첫째, Staphyloc occus aureus 의 증식에 대한 저수준레이저광의 효과를 조사하는 실험이며, 둘째 Staphylococcus aureus 로 가염된 피부창상에 대한 저수준레이저광의 효과를 판정하는데 있다. 34개의 Staphylococcus aureus 배양표본을 사용하여 48시간의 세포주기동안 조사기간과 조사시간, 그리고 레이저 펄스(laser pulse)형에 따라 3가지 실험을 시행하여 증식에 가장 효과적인 상태와 가장 비효과적인 상태의 갈륨비소 반도체 레이저펄스를 결정하였다. 이후 지름 약 6 mm의 개방창상을 44마리 백서의 양측 대퇴부에 형성하여 모든 창상에 S. aureus를 감염시켰다. 모든 표본은 펄스형과 조사방법 (중앙조사법과 주변조사법)에 따르는 실험을 하기 위하여 4가지로 분류하였다. 각 백서의 양측 창상중 하나는 1,3,5,7일 마다 각 실험의 방법에 따라 레이저를 조사하고 실험동물의 다른 창상은 대조군으로서 사용하였다. 모든 창상의 면적은 실험 1,3,5,7 일째에 일정한 거리에서 사진촬영하여 면적계를 이용, 측정한 후 통계적인 의의를 조사하였다. 본 연구의 결과는 저수준레이저는 특정 조건하에서 S. aureus의 증식을 촉진하였다. 그러나 S. aureus에 감염된 창상을 저수준레이저로 조사시 치유가 촉진되었다. 중앙 조사법고 주변조사법에 의한 창상치유효과는 통계적인 의의가 보이지 않았다. 따라서 결론적으로 S. aureus 에 감염된 창상에 직접 또는 간접적이든 pulse의 종류에 관계없이 조사하는 경우 치유효과가 나타나는 것은 정사주위 조직의 LLLI 자극효과가 염증의 확산을 억제한다고 말할수 있다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1992년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.1260-1262
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• 1992

We have developed an optical switch array, which consists of 16X8 reflective symmetric self electrooptic effect devices(RS-SEED), from MOCVD-grown GaAs/AlGaAs low-barrier(LB) multiple quantum well (MQW) structures.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2003년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.860-864
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• 2003

Recently. use of compound semiconductor is widely increasing in the area of LED and RF device. In this study, wafer bonding module is designed and optimized to bond 6 inches device wafer and carrier wafer. Bonding process is performed in vacuum environment and resin is used to bond two wafers. Load spreader and double heating mechanisms are adopted to minimize wafer warpage and void. Structure and heat transfer analyses show the designed mechanisms are very effective in performance improvement.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.104-104
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• 2014

미래형 전자소자는 높은 성능과 더불어 소형화, 박막화를 거쳐 휘어질 수 있고(flexible), 착용이 가능하며(wearable), 접을 수 있거나(foldable) 늘어날 수 있는(stretchable) 방향으로 발전해 가고 있다. 실리콘, 갈륨비소 등 무기소재를 기반으로 하는 전자소자의 경우 그 성능은 우수하나 딱딱하고 휘어질 수 없는 반면, 유기소재를 기반으로 하는 경우 보다 유연한 구조를 가질 수 있지만 성능이나 신뢰성면에서 아직 개선할 점이 많이 남아있다. 최근에는 성능이 우수한 무기소재를 초박막 형태로 구성하여 이를 휘거나 늘어날 수 있는 기판에 부착하는 형태의 소자들이 많이 개발되고 있으며 이를 통해 박막트랜지스터, LED, CMOS 회로, 태양 전지 및 각종 센서 등이 휘거나 심하게 변형될 수 있는 형태로 진화하였으며, 기존에 구현하기 어려웠던 피부에 부착이 가능한 전자소자, 반구형 구조를 갖는 이미지 센서 등의 구현이 가능하게 되었다. 무기소재 박막을 플렉서블 기판에 부착시키는 데에는 전사 프린팅(transfer printing) 방법이 핵심기술로서 주로 이용된다. 본 튜토리얼은 플렉서블/스트레쳐블 전자소자의 구현을 위한 전사 프린팅 방법을 소개하고, 구체적인 공정 방법과 이를 이용한 독특한 형태 전자소자의 개발에 대해 다루고자 한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.241-245
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• 2001

In this paper, we present parameter optimization technique for GaAs/AlGaAs multiple quantum well avalanche photodiodes used for image capture mechanism in high-definition system. Even under flawless environment in semiconductor manufacturing process, random variation in process parameters can bring the fluctuation to device performance. The precise modeling for this variation is thus required for accurate prediction of device performance. The precise modeling for this variation is thus required for accurate prediction of device performance. This paper will first use experimental design and neural networks to model the nonlinear relationship between device process parameters and device performance parameters. The derived model was then put into genetic algorithms to acquire optimized device process parameters. From the optimized technique, we can predict device performance before high-volume manufacturign, and also increase production efficiency.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권7호
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• pp.469-473
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• 2003

적외선 영상기법을 이용해 반절연 GaAs 기판 내의 EL2 영상에 대한 Photoquenching의 영향을 성장원상태(as-grown)의 샘플과 열처리 샘플을 중심으로 분석하였다. 본 논문에서 Quenching 메커니즘은 샘플에 의존적이고 또한 Quenching율은 샘플의 성장조건과 Quenching 온도에 따라 다르다는 것을 영상적으로 정확히 증명하고 있는데 이 기존의 연구내용과는 다소 상충된 새로운 내용이다.