You, Young Chul;Kim, Ki Do;Lim, Hyung Sup;Kim, Hee Taik
Applied Chemistry for Engineering
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v.19
no.1
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pp.27-30
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2008
Nano-sized phosphor powders were synthesized by the liquid phase method to confirm the size and morphology. By using the process, red phosphor particles with a size of 80 nm were obtained. The characteristic comparison of $Y_2O_3:Eu^{3+}$ and $YBO_3:Eu^{3+}$ was carried out and, as a result, $YBO_3:Eu^{3+}$ powders using boric salt showed an aggregated morphology and lower PL performance compared to $Y_2O_3:Eu^{3+}$.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.25
no.6
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pp.272-279
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2015
$Y_2O_3:Eu^{3+}$ is an excellent red-emitting phosphor, which has been widely used for display devices due to highly luminescent property and chemical stability. In this study, $Y_2O_3:Eu^{3+}$ red phosphors were prepared using the solid state reaction and RF thermal plasma synthesis. The particle size of $Y_2O_3:Eu^{3+}$ phosphors obtained by the solid state reaction varied from 10 to $20{\mu}m$, and 30~100 nanometer sized $Y_2O_3:Eu^{3+}$ particles were obtained from a liquid form of raw material through RF thermal plasma synthesis without an additional heat treatment. Photoluminescence measurements of the obtained $Y_2O_3:Eu^{3+}$ particles showed a red emission peak at 611 nm ($^5D_0{\rightarrow}^7F_2$). PL intensity of red nano phosphors prepared by RF thermal plasma synthesis was comparable to that of red phosphors prepared by the solid state reaction, indicating that nano-sized $Y_2O_3:Eu^{3+}$ red phosphors could be successfully synthesized using one-step process of RF thermal plasma.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.10
no.6
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pp.400-406
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2000
The fired Precursor (Y,Gd,Eu)(OH)$CO_3$.$H_2O$$900^{\circ}C$ was used to synthesize the red phosphor $(Y,Gd)_2O_3$: Eu for plasma display panel. Rounded and ~l $\mu\textrm{m}$ diameter phosphor $(Y,Gd)_2O_3$: Eu can be obtained by the reaction of aformentioned powder with a small amount addition of flux at $1350^{\circ}C$ for 2 hours. Emission spectra of these phosphors were measured under excitation wavelength at 254 nm and 147 nm and the optimum concentrations of activator ion were determined at around 15 mo1e % and 10 mole % under these conditions, respectively. $BaCO_3$flux had the best property in emission intensity among the prepared $BaCO_3AlF_3$and $Li_3PO_4$phosphors. The properties of optimized sample were improved in terms of relative luminance and color coordinate comparing with commercial phosphor such as $Y_2O_3$: Eu.
To fabricate white LED having a high color rendering index value, red color phosphor mixed with the green color phosphor together in the blue chip, namely the blue chips with RG phosphors packaging is most favorable for high power white LEDs. In our previous papers, we reported on successful syntheses of $Sr_{2-}$$Si_5N_8:Eu^{2+}$ and $CaAlSiN_3$ phosphors for red phosphor. In this work, for high power green phosphor, greenemitting ternary nitride $Ba_3Si_6O_{12}N_2:Eu^{2+}$ phosphor was synthesized in a high frequency induction furnace under $N_2$ gas atmosphere at temperatures up to $1400^{\circ}C$ using $EuF_3$ as a raw material for $Eu^{2+}$ dopant. The effects of molar ratio of component and experimental conditions on luminescence property of prepared phosphors have been investigated. The structure and luminescence properties of prepared $Ba_3Si_6O_{12}N_2:Eu^{2+}$ phosphors were investigated by XRD and photoluminescence spectroscopy. The excitation spectra of $Ba_3Si_6O_{12}N_2:Eu^{2+}$ phosphors indicated broad excitation wavelength range of 250 - 500 nm, namely from UV to blue region with distinct enhanced emission spectrum peaking at ${\approx}530nm$.
In order to apply to the White light emitting diodes (WLEDs), The $Y_2SiO_5:Eu^{3+}$ as red phosphor was synthesized by solid state reaction method. The highest emission of $Y_2SiO_5:Eu^{3+}$ was shown when the $Eu^{3+}$ concentration was 0.02. A single phase was observed from X-ray diffraction (XRD) analysis of synthesized samples and secondary phase wasn't found.
Kim, Sue-Jin;Won, Hyung-Il;Won, Chang-Whan;Nersisyan, Hayk
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.48
no.3
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pp.241-245
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2011
A red strontium aluminate phosphor ($Sr_3Al_2O_6:Eu^{3+},Eu^{2+}$) is synthesized using a solid state reaction method in air and reducing atmosphere. The investigation of firing temperature indicates that a single phase of $Sr_3Al_2O_6$ is formed when the firing temperature is higher than $1300^{\circ}C$. The effect of firing temperature and doping concentration on luminescent properties are investigated. $Sr_3Al_2O_6$ phosphor exhibits the typical red luminescent properties of $Eu^{3+}$ and $Eu^{2+}$.
The co-doping effect of aliovalent metal ions such as Mg2+, Ca2+, Sr2+, Ba2+, and Zn2+ on the photoluminescence of the Y2O3:Eu3+ red phosphor, prepared by spray pyrolysis, is analyzed. Mg2+ metal doping is found to be helpful for enhancing the luminescence of Y2O3:Eu3+. When comparing the luminescence intensity at the optimum doping level of each Mg2+ ion, the emission enhancement shows the order of Zn2+ ≈ Ba2+ > Ca2+ > Sr3+ > Mg2+. The highest emission occurs when doping approximately 1.3% Zn2+, which is approximately 127% of the luminescence intensity of pure Y2O3:Eu3+. The highest emission was about 127% of the luminescence intensity of pure Y2O3:Eu3+ when doping about 1.3% Zn2+. It is determined that the reason (Y, M)2O3:Eu3+ has improved luminescence compared to that of Y2O3:Eu3+ is because the crystallinity of the matrix is improved and the non-luminous defects are reduced, even though local lattice strain is formed by the doping of aliovalent metal. Further improvement of the luminescence is achieved while reducing the particle size by using Li2CO3 as a flux with organic additives.
We have synthesized an $Eu^{2+}$-activated $Sr_3MgSi_2O_8$ blue phosphor and $Ba_2SiO_4$ green phosphor and $Ba^{2+}$ co-doped $Sr_3SiO_5$ red phosphor investigated an attempt to develop white LEDs by combining it with a GaN blue LED $chip(\lambda_{em}=405 nm)$. Three distinct emission bands from the GaN-based LED and the $(Sr_3MgSi_2O_8:Eu\; +\; Ba_2SiO_4:Eu\; +\; Ba^{2+}\; co-doped\; Sr_3SiO_5:Eu)$ phosphor are clearly observed at 460nm, 520 nm and at around 600 nm, respectively. These three emission bands combine to give a spectrum that appears white to the naked eye. Our results show that GaN (405 nm chip)-based $(Sr_3MgSi_2O_8:Eu\; +\; Ba_2SiO_4:Eu\; +\; Ba^{2+}\; co-doped\; Sr_3SiO_5:Eu) exhibits a better luminous efficiency than that of the industrially available product InGaN (460 nm chip)-based YAG:Ce.
In this study we have synthesized Zno:Eu phosphors under various sintering atmospheres and temperatures. The analysis of X-ray diffractometer measurement indicates that for Zno:EuCl$_3$ phosphors sintered in air and vacuum 뗘 exists in the host lattice as Eu$_2$O$_3$and EuOCl respectively. From the photoluminescence for the phosphors sintered in vacuum Eu removes the broad-band emission of the ZnO host consequently isolating the red emission due to Eu$^{3+}$ ion and improves the color purity of red emission. The photoluminescence excitation and time resolving spectrum measurements suggest that energy-transfer process occurres from the self-activated defect center in ZnO host the Eu$^{3+}$ ion which exist in the host lattice in the form of EuOCl.
Red-emitting nitride phosphors recently attracted considerable attention because of their high thermal stability and high color rendering index properties. For excellent phosphor of white light-emitting-diode, ternary nitride phosphor of $Sr/SmSi_5N_8:Eu^{2+}$ with different $Eu^{2+}$ ion concentration were synthesized by solid state reaction method. In this work, red-emitting nitride $Sr/SmSi_5N_8:Eu^{2+}$ phosphor was successfully synthesized by using multi-step high frequency induction heat treatment. The effects of molar ratio of component and experimental conditions on luminescence property of prepared phosphors have been investigated. The structure and luminescence properties of prepared $Sr/SmSi_5N_8:Eu^{2+}$ phosphors were investigated by XRD and photoluminescence spectroscopy. The excitation spectra of $Sr/SmSi_5N_8:Eu^{2+}$ phosphors indicated broad excitation wavelength range of 300 - 550 nm, namely from UV to visible area with distinct enhanced emission peaks. With an increase of $Eu^{2+}$ ion concentration, the peak position of emission in spectra was red-shifted from 613 to 671 nm. After via multi-step heat treatment, prepared phosphor showed excellent luminescence properties, such as high emission intensity and low thermal quenching, better than commercial phosphor of $Y_3Al_5O_{12}:Ce^{3+}$. Using $Eu_2O_3$ as a raw material for $Eu^{2+}$ dopant with nitrogen gas flowing instead of using commercial EuN chemical for $Sr/SmSi_5N_8:Eu^{2+}$ synthesis is one of characteristic of this work.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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