• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제30권3호
• /
• pp.111-118
• /
• 2023

높은 전기전도도와 우수한 기계적 강도, 열안정성을 가진 2차원 전이금속탄화물 또는 질화물인 MXene은 최근 가볍고 유연한 전자파 차폐 소재로 많은 주목을 받고 있다. 특히, Ti 기반의 Ti₃C₂T_x와 Ti₂CT_x는 방대한 MXene 계열 시스템에서 전기 전도성과 전자파 차폐 특성이 가장 우수한 것으로 보고되고 있다. 따라서, 본 연구에서는 Ti₃AlC₂와 Ti₂AlC의 층간 금속 에칭과 원심 분리법을 통하여 합성된 Ti₃C₂T_x와 Ti₂CT_x 분산용액을 진공 여과법을 이용하여 수 마이크로 두께의 필름을 제작하였으며, 고온 열처리 후에 필름의 전기전도도 및 전자파 차폐 효율을 측정하였다. 그리고, X선 회절법과 광전자 분광법을 이용하여 열처리 후의 Ti₃C₂T_x와 Ti₂CT_x 필름의 구조적 변화와 전자파 차폐에 미치는 영향을 분석하였다. 본 연구의 결과를 바탕으로 향후 소형 및 웨어러블 전자기기에 적용하기 위한 매우 얇고 가벼운 우수한 성능의 MXene 기반 전자파 차폐 필름을 위한 최적 구조를 제안하고자 한다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제40권4호
• /
• pp.328-332
• /
• 2003

Ceramics of xCaTiO$_3$-(1-x)Li$_{0.5}$Nd$_{0.5}$TiO$_3$(xCT-(1-x)LNT) series have been prepared by the mixed oxide route. Powders were calcined at 110$0^{\circ}C$ ; cylindrical specimens were fired at temperatures in the range 1300-150$0^{\circ}C$. Sintered products were typically 90-95% dense. The microstructures were dominated by angular grains typically 1.3${\mu}{\textrm}{m}$ to 3.5 ${\mu}{\textrm}{m}$ in size. Twinning in the microstructures was analysed using Electron Back Scattered Diffraction (EBSD). Microwave dielectric properties of xCT-(1-x)LNT at 2.1 GHz ($\varepsilon$$_{r}$, Qxf, and $\tau$r) were 170,3800 GHz and 744 ppm/$^{\circ}C$ for pure CaTiO$_3$ and 80,2000 GHz and -240 ppm/$^{\circ}C$ for LNT. The $\tau$r decreases almost linearly from 744 for pure CaTiO$_3$ to -240 for pure LNT.LNT.T.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제39권11호
• /
• pp.1017-1022
• /
• 2002

$(Ba_{1-x}Ca_x)(Ti_{1-y}Zr_y)O_3(BCTZ)$ powders for the Ni-electrode Multilayer Ceramic Capacitor(MLCC) were synthesized via hydrothermal treatment using mixed aqueous solutions of $BaCl_2{\cdot}2H_2O,\Ca(NO_3)2{\cdot}4H_2O,\ ZrOCl_2{\cdot}8H_2O$ and $TiCl_4$. Two component and three component systems were also extensively studied for basic data. BT, CT and BZ powders were crystalline but CZ was determined to be amorphous under the same synthetic condition. In BTZ system, Zr and Ti were completely soluble and Ca would be substituted for Ba up to ∼6 mol% in BCT. The submicron-sized $(Ba_{0.95}Ca_{0.05})(Ti_{0.80}Zr_{0.20})O_3$ powder of the target composition was successfully synthesized at $150{\circ}$ for 12h.

• 전기화학회지
• /
• 제24권3호
• /
• pp.52-64
• /
• 2021

Li_1+xFe_xTi_2-x(PO₄)_3-y(BO₃)_y (x = 0.2, 0.5)계 유리에서 Fe doping과 BO₃ 치환이 유리 또는 결정화유리(glass-ceramics) 전해질의 구조적, 열적 및 전기적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 또한, Li_1.5Fe_0.5Ti_1.5(BO₃)₃ 유리분말을 소결하고, 소결 온도에 따른 결정상과 이온전도도 영향도 검토하였다. Li_1+xFe_xTi_2-x(PO₄)_3-y(BO₃)_y 유리에서 Fe²⁺ 및 Fe³⁺ 이온은 network modifier로서 FeO₆ 팔면체를 형성하거나 network former로서 유리망목구조에 들어가 FeO₄ 유사 사면체를 형성하면서 유리의 구조를 변화시키는 것으로 확인되었다. 한편, BO₃는 BO₃ 또는 BO₄ 그룹을 형성하였는데, BO₃ 치환량이 작은 경우 boron은 (PB)O₄ 망목구조를 형성하지만, BO₃ 치환량이 증가하면 붕소이상현상(boric oxide anomaly)이 생겨나면서 BO₄는 BO₃로 변화하고 이로 인하여 비가교산소(non-bridging oxygen)가 증가하였다. BO₃ 치환은 유리전이온도와 결정화 온도를 낮추는 효과가 있으며, Fe 첨가량이 증가하면 Fe³⁺의 일부는 Fe²⁺로 환원되며, 유리전이온도와 연화온도를 낮아지게 하고 결정화온도를 높아지게 하는 것으로 확인되었다. Li_1+xFe_xTi_2-x(PO₄)_3-y(BO₃)_y (x = 0.2, 0.5) 유리에서 BO₃ 함량이 증가함에 따라 이온전도도는 증가하였으며, x = 0.2 및 0.5에서 각각 8.85×10^-4 및 1.38×10^-4S/cm의 이온전도도값을 나타내었다. 본 연구에서 얻어진 높은 이온전도도는 Fe³⁺의 산화상태 변화와 붕소이상현상에 의한 BO₃ 생성 및 이로 인한 비가교산소의 생성에 기인한 것으로 생각된다. Li_1.5Fe_0.5Ti_1.5(BO₃)₃ 유리를 800℃에서 소결한 결과 이온전도도가 급격히 저하되었는데 이는 결정화유리 분말이 고온에서 유리화되었기 때문으로 생각된다. 따라서 유리분말을 800℃에서 소결한 후, 다시 460℃에서 조핵하고, 600℃에서 결정성장을 시킨 결과, 이온전도도가 열처리전과 동등 수준으로 회복되는 것을 확인하였다.

• 대한전기학회논문지
• /
• 제44권12호
• /
• pp.1610-1616
• /
• 1995

The (Sr$_{1-x}$ .Ca$_{x}$)TiO$_{3}$(0.05.leq.x.leq.0.2) ceramics were fabricated to form semiconducting ceramics by sintering at about 1350[.deg. C] in a reducing atmosphere (N$_{2}$ gas). After being fired in a reducing atmosphere, metal oxides, CuO, was painted on the both surface of the specimens to diffuse to the grain boundary. They were annealed at 1100[.deg. C] for 2 hours. The 2nd phase formed by thermal diffusing from the surface lead to a very high apparent dielectric constant. The results of the capacitance-valtage measurements indicated that the grain boundary was composed of the continuous insulating layers. The capacitance is almost unchanged below about 20[V], but decreased slowly over 20[V]. The conduction mechanism of the specimens observed in the temperature range of 25~125[.deg. C], and is divided into three regions having different mechanism as the current increased: the region I below 200[V/cm] shows the ohmic conduction. The region II between 200[V/cm] and 2000[V/cm] can be explained by the Poole-Frenkel emission theory, and the region III above 2000[V/cm] is dominated by the tunneling effect.ct.

• 한국자기학회지
• /
• 제5권5호
• /
• pp.496-499
• /
• 1995

Amorphous $Co_{80+x}TM_{12}B_{8-x}$ (TM = Ti, Zr, Hf, Nb and x = 0, 2, 4 at%) alloys were prepared by single roll melt spinning technique. Saturation magnetization of the amorphous ribbons was measured by SQUID and vibrating sample magnetometer from 5 to 800 K under applied fields up to 10 kOe. Typical thermo-magnetization curves were observed and the average values of the spectroscopic splitting g factor were estimated from the ferromagnetic resonance curve. For all the amorphous alloys studied here the saturation magnetization in the temperature range 5 K up to about $0.3T_{c}$ can be described by the Bloch relation: $M_{s}(T)\;=\;M_{s}(0)(1-BT^{3/2}-CT^{5/2})$. From the values of $M_{s}(0)$, B and spectroscopic splitting g factor the spin wave stiffness constants were calculated.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제53권2호
• /
• pp.129-133
• /
• 2016

$MnO_2$ was added to the $0.95(Na_{0.5}K_{0.5})NbO_3-0.05CaTiO_3$ (NKN-CT) ceramics in order to promote the densification and improve the poling efficiency by increasing the resistance of the specimens. Densification and abnormal grain growth occurred in the $MnO_2$-added NKN-CT ceramics sintered at $1020^{\circ}C$, indicating that $MnO_2$ assisted the liquid-phase sintering of these materials. $Mn^{3+}$ ions were considered to enter the A-site of the matrix, thereby producing the free electrons, which interacted with the holes resulting from the evaporation of alkali ions. This interaction results in an increase in the resistance of the specimens. The increased resistance improved the poling efficiency and, hence, the dielectric and piezoelectric properties of the NKN-CT ceramics. A few of the $Mn^{3+}$ ions that entered the B-site of the NKN-CT matrix led to a slight increase in the mechanical quality factor.

• 한국의학물리학회지:의학물리
• /
• 제19권2호
• /
• pp.102-112
• /
• 2008

살아있는 마우스 영상화를 목적으로 겐트리 회전형과 평판영상검출기를 기반으로 한 고분해능 마이크로 컴퓨터단층촬영 장치를 개발하였다. 이 장치는 주로, 마이크로 크기 광원사이즈를 갖는 X-선 광원, Csl (TI)과 결합된 평판형 상보성 금속산화 반도체 영상검출기(CMOS), 선형이송 카우치, 위치정보 엔코더와 결합된 겐트리, 그리고 영상데이터 처리를 위한 병렬처리 시스템으로 구성되었다. 본 장치는 겐트리 회전형으로 설계되었는데, 이는 살아있는 마우스를 CT 영상을 얻는데 있어서 마우스 움직임에 기인한 영상결점의 최소화에 유리하고 촬영하는 동안 쥐의 호흡마취시행에 여러 가지 장점을 갖기 때문이다. CT팬텀을 이용하여 개발한 CT장치의 공간해상도, 영상대비도 그리고 영상균일도를 평가하였다. 결과로써, 본 장치의 공간해상도는 MTF 곡선으로부터 10%에 해당하는 약 11.3 cycles/mm을 얻었으며, 마우스에 대한 방사선 피폭선량은 81.5 mGy의 결과를 얻었다. 저대비 영상팬텀을 이용한 영상실험에서 분해가능 최소영상대비차는 약 46 CT였다. $55{\times}55{\times}X100\;{\mu}^3$의 복셀(voxel) 크기에서 영상의 불균일도는 약 70 CT 임을 얻었다. 또한 본 연구에서는 살아있는 마우스의 몸체, 뼈, 그리고 간에 대한 영상 테스트 결과를 제시하였다.

• 청정기술
• /
• 제19권2호
• /
• pp.105-112
• /
• 2013

폴리아닐린 기반 이산화티타늄 복합체(폴리아닐린-이산화티타늄 복합체)를 다른 소성온도 조건에서 제조하여 일반 공기질 수준의 트리클로로에틸렌과 테트라클로로에틸렌에 대한 제어 적용성 연구를 수행하였다. 모든 조사대상 오염물질에 대하여 폴리아닐린-이산화티타늄 복합체의 제어효율은 제조 시 적용된 소성온도 변화에도 아무런 경향을 나타내지 않았다. 대신에, 소성온도를 $350^{\circ}C$에서 $450^{\circ}C$로 증가시켰을 때 3시간의 광촉매 공정 동안에 폴리아닐린-이산화티타늄 복합체의 제어효율은 트리클로로에틸렌과 테트라클로로에틸렌에 대하여 61%에서 72%로, 21%에서 39%로 각각 증가하였다. 그러나, 소성온도를 $450^{\circ}C$에서 $550^{\circ}C$와 $650^{\circ}C$로 더 증가시켰을 경우에는 폴리아닐린-이산화티타늄 복합체에 의한 트리클로로에틸렌과 테트라클로로에틸렌의 제어효율이 점진적으로 감소하였다. 이러한 결과는 폴리아닐린-이산화티타늄 복합체 내 아나타제 결정상의 생성량과 입자의 비표면적 변화 때문으로 판단되었고, 이러한 특성 변화는 X-선 회절과 주사전자현미경 분석결과를 통하여 확인하였다. 가장 낮은 주입농도(0.1 ppm) 조건에서 트리클로로에틸렌과 테트라클로로에틸렌의 평균 제어효율은 각각 72%와 39%이었고, 반면에 가장 높은 주입농도(1.0 ppm) 조건에서는 트리클로로에틸렌과 테트라클로로에틸렌의 평균 제어효율은 각각 52%와 18%로 나타났다. 공급 유량을 0.1 L $min^{-1}$에서 1.0 L $min^{-1}$로 증가시켰을 때 트리클로로에틸렌과 테트라클로로에틸렌의 평균 제어효율이 각각 약 100%에서 47% 그리고 약 100%에서 18%로 감소하였다. 또한, 상대 습도를 20%에서 95%로 증가시켰을 때 트리클로로에틸렌과 테트라클로로에틸렌의 평균 제어효율이 각각 약 100%에서 23% 그리고 약 100%에서 8%로 대폭 감소하였다. 본 연구결과를 종합해볼 때, 작동조건을 최적화할 경우 폴리아닐린-이산화티타늄 복합체가 일반 공기질 농도 수준의 염소계 화합물질 제어를 위해서 효율적으로 이용될 수 있는 것으로 나타났다.

• 한국재료학회지
• /
• 제10권12호
• /
• pp.812-818
• /
• 2000

본 연구에서는 Ge PAM이 선폭 미세화에 따른 C54 실리사이드화 및 실제 CMOS 트랜지스터 접합부에서의 각종 전기적 특성에 미치는 영향을, As PAM과의 비교를 통하여 관찰하였다. 평판 상에서 각 PAM 및 기판의 도핑 상태에 따른 Rs의 변화량을 측정하였으며, 각 PAM 방식은 기존의 살리사이드 TiSi$_2$에 비해 개선된 C54 형성 효과를 보였다. 특히, Ge PAM은 n+ 기판에서 As PAM보다 효과적인 실리사이드화를 보였고, 이 경우 XRB 상에서도 가장 강한 (040) C54 배향성을 나타내었다. ~0.25$\mu\textrm{m}$ 선폭 및 n+ 접합층에서 기존 방식에 비해 As과 Ge PAM은 각각 ~85,66%의 개선된 바저항을 보였으며, P+ 접합층에서는 As과 Ge PAM 모두 62~63% 정도의 유사한 Rs 개선 효과를 보였다. 콘택 저항에서도 각 콘택 크기 별로 바저항(bar resistance) 개선과 같은 경향의 PAM 효과를 관찰하였으며, 모든 경우 10 $\Omega$/ct. 이하로 양호한 결과를 보였다. 누설 전류는 area 형 패턴에서는 모든 공정 조건에서 <10E-14A/$\mu\textrm{m}^{2}$ 이하로, edge 형에서는 특히 P+ 접합부에서 As 또는 Ge PAM 적용 시 <10E-13 A/$\mu\textrm{m}^{2}$ 이하로 다소 누설 전류를 안정화시키는 결과를 보였다. 이러한 결과는 XTEM에 의해 관찰된 바 Ge PAM 적용 시 기존의 경우에 (PAM 적용 안한 경우) 비해 유사한 평활도의 TiSi$_2$박막 형상과 일치하였으며, 또한 본 실험의 Ge PAM 이온주입 조건이 접합층에 손상을 주지 않는 범위에서 적정화되었음을 제시하였다