• 한국자기학회지
• /
• 제23권5호
• /
• pp.149-153
• /
• 2013

이 연구에서는 방사광 연 X선 광흡수 분광법(soft x-ray absorption spectroscopy: XAS)을 이용하여 $TCr_2O_4$(T = Fe, Co, Ni) 스피넬 산화물들의 전자 구조를 연구하였다. 전이금속 이온들의 2p 준위의 흡수에 의한 XAS 측정으로부터 T(T = Fe, Co, Ni) 이온들의 원자가는 공통적으로 2가($T^{2+}$)이며, Cr 이온의 원자가는 3가 ($Cr^{3+}$) 임을 발견하였다. 그리고 T 이온들은 정사면체 대칭성을 가진 A 사이트에 주로 위치하고, Cr 이온은 정팔면체 대칭성을 가진 B 사이트에 주로 위치함을 알 수 있었는데, 이러한 발견을 통하여 $TCr_2O_4$는 정상 스피넬에 가까운 구조를 가지고 있다고 결론지을 수 있다. 또한 $FeCr_2O_4$와 $NiCr_2O_4$에서는 얀-텔러 변형이 중요한 역할을 하지만, $CoCr_2O_4$는 얀-텔러 변형이 없는 입방체 구조를 유지하는 원인을 알 수 있었다. 그러므로 $TCr_2O_4$에서 $Cr^{3+}$ 상태의 이온들과 $T^{2+}$ 상태의 이온들 간의 반강자성 결합이 이 산화물들의 자성 특성을 결정하는데 중요한 역할을 한다고 생각된다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제21권2호
• /
• pp.60-64
• /
• 2011

고감도 적외선 이미지 센서에 적용이 가능한 우수한 TCR(temperature coefficient of resistance) 값을 갖고 적외선 파장영역에서 흡수 특성을 갖는 막 형성을 위해, 본 연구에서는 Silica와 Titanium 분말을 혼합비율을 달리하여 준비한 후 열 기상 증착기를 이용하여 상온에서 게르마늄과 유리 기판 위에 각각 $(SiO_2)_x-(Ti)_y$ 막을 제작하였다. 챔버 내에 위치한 혼합분말이 담겨진 텅스텐 보트와 기판 간의 거리는 15.5 cm이며, 사용된 $SiO_2$와 Ti 분말의 혼합비율 x : y는 각각 90 : 10,80 : 20, 70 : 30, 60 : 40이다. $(SiO_2)_x-(Ti)_y$ 막의 전기적 저항은 273~333 K 영역에서 온도 변화에 따라 측정하였으며, TCR 값은 측정된 막의 저항 값으로부터 계산되었다. 다양한 혼합비율 조건 하에서 형성된 $(SiO_2)_x-(Ti)_y$ 막은 수 $k{\Omega}$~수백 의 $k{\Omega}$ 저항특성을 보였으며, 이러한 막의 TCR은 $-1.4{\sim}-2.6%K^{-1}$의 다양한 값을 나타내었다.

• 한국진공학회지
• /
• 제6권1호
• /
• pp.77-84
• /
• 1997

DC Magnetron Sputtering 방법으로 원기둥형 Alumina기판(직경 4mm, 길이 11mm) 상에 부(-)의 TCR특성의 TaN0.1(부도체)와 정(+)의 TCR특성의 Cr(금속)박막두께를 적절히 조절하므로써 초정밀 저항기를 제조하였다. 그리고 면저항(Rs)을 1k$\Omega$/수준으로 높이고 보 호막을 형성키 위하여 상부에 $Ta_2O_5$막을 입형 $Ta_2O_5/TaN_{0.1}/Cr/Al_2O_3$(substrate)의 다층 박 막저항체를 제조하였다. 적절한 조건(기판온도, $N_2$(g), Ar(g)의 유속 등)으로 상기 다층박막 내 각 막의 두께를 약10,100과 500nm두께로 증착했을 때, $Rs\approx 1k\Omega/\Box$와 $TCR\approx 20$\pm 5ppm/^{\circ}C$ 의 초정밀 저항체가 제조되었다.

• 한국재료학회지
• /
• 제7권12호
• /
• pp.1052-1057
• /
• 1997

현재 전기, 전자, 우주, 자동차, 무기 등의 여러 분야에서 응용되고 있는 TaNx 다층박막저항체의 특성을 개선하기 위하여 magnetron sputtering법으로 TaNx박막을 제조한 후, 온도와 질소분압에 따른 전기저항 및 TCR특성 변화를 조사하였고, 미세조직이 이들 전기적 성질에 미치는 영향을알아보기 위해 상분석과 morphology를 관찰하였다. 그 결과, TaNx을 코팅한 박막의 전기저항은 $N_{2}$Ar이 0.4 이상에서, 금속전도특성에서 이온전도특성으로 변화하였으며,Cr이 TCR효과를 안정시키는 역할은 하여 TaNx/A $I_{2}$ $O_{3}$보다 TaNx/Cr/A $i_{2}$ $O_{3}$박막의 TCR특성이 더 안정하게 나타났다. 또한 TaNx/A $I_{2}$ $O_{3}$박막과 TaNx/Cr/A $i_{2}$ $O_{3}$박막의 경우 모두 $N_{2}$/Ar이 0-0.4정도에서 TCR효과에 좋은 특성을 나타내었다. X-선회절 실험 결과 $N_{2}$/Ar비가 1일 경우에 T $a_{2}$ $N_{.8}$이 생성되었고, 분압이 증가함에 따라 비정질이 생성되었다. morphology가 $N_{2}$/Ar이 증가함에 따라 입자의 모양이 불연속아일랜드 형태로 변화하였으며, 이것은 질소분압에 따른 전기저항 변화와 일치하였다.다.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
• /
• 제2권4호
• /
• pp.525-531
• /
• 2007

Ni(75 wt.%)-Cr(20 wt.%)-Al(3 wt.%)-Mn(4 wt.%)-Si(1 wt.%) alloy thin films were prepared using the DC magnetron sputtering process by varying the sputtering conditions such as power, pressure, substrate temperature, and post-deposition annealing temperature in order to fabricate a precision thin film resistor. For all the thin film resistors, sheet resistance, temperature coefficient of resistance (TCR), and crystallinity were analyzed and the effects of sputtering conditions on their properties were also investigated. The oxygen content and TCR of Ni-Cr-Al-Mn-Si resistors were decreased by increasing the sputtering pressure. Their sheet resistance, TCR, and crystallinity were enhanced by elevating the substrate temperature. In addition, the annealing of the resistor thin films in air at a temperature higher than $300^{\circ}C$ lead to a remarkable rise in their sheet resistance and TCR. This may be attributed to the improved formation of NiO layer on the surface of the resistor thin film at an elevated temperature.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.236-236
• /
• 2013

비냉각 적외선 검출기는 산업용 군사용으로 최근 각광을 받고 있다. 이는 주야간 빛이 없는 곳에서도 사물의 열을 감지할 수 있어 인체감지 및 보안감시, 에너지 절감 등에 응용될 수 있는 핵심부품이다. 비냉각 적외선 검출기로는 재료의 저항의 변화를 감지하는 마이크로볼로미터형이 가장 많이 사용된다. 감지재료로는 비정질 실리콘(a-Si)과 산화바나듐(VOx)이 가장 많이 사용된다. VOx 박막은 일반적으로 RF sputtering 방법으로 증착이 되며, 저항이 낮고, 저항의 온도변화 계수(TCR)가 크며 신호 대 잡음 특성이 우수한 반면 산소(oxygen) phase가 다양하여 갓 증착된 상태의 박막은 재현성이 떨어지는 단점이 있다. 본 연구에서는 기존의 V 타겟을 사용한 VOx 박막을 증착하는 방법을 개선하여 ZnO 나노박막을 중간에 삽입하여 저항 특성을 조절할 뿐만 아니라 열처리에 의해 TCR 값을 향상시키고, VO2 phase 가 주로 나타나는 박막 증착 및 공정 방법을 소개한다. RF sputtering 장비를 이용하여 산소와 아르곤 가스의 혼합비를 4.5로 하였으며, VOx 증착 시 플라즈마 Power는 150 W 로 하여 상온에서 증착하였다. 갓 증착된 VOx 다층박막의 XRD 스펙트럼은 V2O5 피크가 주된 상을 이루고 있었으며, 산소열처리에 의해 VO2 상이 주로 나타남을 알 수 있었다. TCR 값은 갓 증착된 샘플에서 -0.13%/K의 값을 얻었으며, $300^{\circ}C$에서 50분간 열처리 후 -3.37%/K 으로 급격히 향상됨을 알 수 있었다. 저항은 열처리 후 약 100 kohm으로 낮아져 검출소자를 위한 조건에 적합한 특성을 얻을 수 있었다. 또한 산소열처리의 온도 및 시간에 따라 TCR 및 표면 거칠기 특성을 조사하였으며, 최적의 열처리 조건을 얻고자 하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제15권1호
• /
• pp.27-31
• /
• 2008

전자 부품의 소형화 요구에 따라서 기존 기판의 상부에 실장 되는 저항 소자를 감소하기 위한 방안으로 후막 저항 페이스트를 인쇄하여 저항체를 형성 한 후에 내장하는 수동소자 내장기술이 활발히 연구되고 있다. 본 연구에서는 카본 블랙과 에폭시 수지를 혼합하여 $0.35{\sim}4k{\Omega}/sq$으로 넓은 저항 범위를 가지는 저온 열경화형 후막 저항 페이스트를 제작하였으며, Ni-Cr alloy와 $SiO_2$ 분말을 첨가하여 온도에 따른 저항 변화인 TCR(Temperature Coefficient Resistivity) 값을 $100ppm/^{\circ}C$으로 개선하였다. 최종적으로 제작된 저항 페이스트를 이용하여 내장 저항 기판을 제작하였으며 온도에 변화에 따른 안정적인 저항 특성과 신뢰성을 확보 할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제13권8호
• /
• pp.658-666
• /
• 2000

Sb and Sb-Fe doped SnO$_2$film resistors were prepared by spray pyrolysis technique. The effects of Sb and Sb-Fe addition on TCR and electrical properties of SnO$_2$film resistors were studied. Also the dependence of electrical properties on the substrate temperature and substrate-nozzle distance was investigated. The Sn-Sb system with 7.9 mol% SbCl$_3$(STO-406) and Sn-Sb-Fe systems with 7.3 mol% SbCl$_3$+7.3 mol% FeCl$_3$(STO-407) and with 3.4 mol% SbCl$_3$+7.7mol% FeCl$_3$(STO-408) were prepared. Both of the systems Sn-Sb and Sn-Sb-Fe represented nonlinearity of TCR with temperature. As the amount of Fe increased TCR was shifted to positive direction. Decreasing Sb or increasing Fe caused resistivity to increase. Also increasing Fe caused the crystallization degree of rutile structure in SnO$_2$film to decrease. The electrical resistivity decreased with increasing substrate temperature The resistivity decreased with increasing substrate-nozzle distance in the ranges from 15 to 25 cm and increased rapidly at the distance over 25cm.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제30권11호
• /
• pp.974-978
• /
• 1993

Glass viscosity effects on the electrical properties and microstructure of RuO2 based thick film resistors (TFR) using alumina modified lead borosilicate glasses were studied. AT 85$0^{\circ}C$, the glass viscosities were increased from 4.24Pa.s to 51.5Pa.s when the alumina was added from none to 14 weight percent to the standard glass of 63% PbO, 25% B2O3 and 12% SiO2. The resistivities of resistors were generally decreased and the microstructure development was retarded as the viscosity of the glass increased. This is contrary to the generally accepted thought that the low resistivity is due to fast microstructure development kinetics in TFR. Even though the glass viscosity retards the microstructure development kinetics, the overall network formations are favored for higher viscosity of glass, such that the sheet resistivities were decreased as the glass viscosity increased.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
• /
• pp.337-338
• /
• 2006

The 200 nm thick-NiCr films grew on $SiO_2$/Si substrates at various deposition temperatures by a dc magnetron co-sputtering technique were characterized for the variation of film texture. The resistivity of the films decreases with increasing deposition temperature and temperature coefficient of electrical resistance (TCR) varies from negative value to a positive one with increasing deposition temperature. The NiCr films deposited at $300^{\circ}C$ exhibit 4 ppm/K being near zero TCR, resulting in TCR suitable for $\pi$-type attenuator applications.