• 제목/요약/키워드: $In_{0.7}Ga_{0.3}As$

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지베렐린산(GA3) 처리에 따른 크리핑 벤트그래스 (Agrostis palustris Huds. 'Penn A1')의 생장 및 품질 변화 (Changes in the Growth and Quality of Creeping Bentgrass (Agrostis palustris Huds. 'Penn A1') Following Gibberelinic Acid (GA3) Treatment)

  • 김우성;김태웅;김영선;임치환
    • 한국환경농학회지
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    • 제42권4호
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    • pp.389-395
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    • 2023
  • This study evaluated the effects of gibberellic acid (GA3) on the growth and quality of creeping bentgrass (Agrostis palustris Huds.). Experimental treatments included a No application of fertilizer and GA3 (NFG) Control [3 N active ingredient (a.i.) g/m2], 0.3GA3 (GA3 0.3 a.i. mg/m2/200 mL), 0.6GA3 (GA3 0.6 a.i. mg/m2/200 mL), 1.2GA3 (GA3 1.2 a.i. mg/m2/200 mL), and 2.4GA3 (GA3 2.4 a.i. mg/m2/200 mL). Additionally, the study included a 1.5N+GA3 experiment with similar GA3 treatments combined with 1.5N a.i. g/m2 : NFG, Control (3N a.i. g/m2), 1.5N+ 0.3GA3 (1.5N a.i. g/m2+GA3 0.3 a.i. mg/m2/200 mL), 1.5N+0.6GA3 (1.5N a.i. g/m2+GA3 0.6 a.i. mg/m2/200 mL), 1.5N+1.2GA3 (1.5N a.i. g/m2+GA3 1.2 a.i. mg/m2/ 200 mL), and 1.5N+2.4GA3 (1.5N a.i. g/m2+GA3 2.4 a.i. mg/m2/200 mL). Compared to the NFG, turf color index chlorophyll content was not significantly different (p< 0.05). However, shoot length in 1.2GA3, 2.4GA3, 1.5N+0.3GA3, 1.5N+0.6GA3, 1.5N+1.2GA3, and 1.5N+2.4GA3 treatments increased by 0.8%, 10.6%, 5.15%, 8.3%, 13.5 %, and 21.6%, respectively, compared to the control. As compared to the control, clipping yield in 1.5N+1.2GA3 and 1.5N+2.4GA3 treatments increased by 7.1% and 14.3 %, respectively. These results indicated that GA3 application increased shoot length, with the 1.2GA3 treatment showing shoot length similar to the control (3N a.i. g /m2 ).

고밀도 평판형 유도결합 $BCl_3/CF_4$ 플라즈마에 의한 GaAs 계열반도체의 선택적 식각에 관한 연구 (Study of Selective Etching of GaAs-based Semiconductors using High Density Planar Inductively Coupled $BCl_3/CF_4$ Plasmas)

  • 최충기;박민영;장수욱;유승열;이제원;송한정;전민현
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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    • pp.46-47
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    • 2005
  • 이번 연구는 $BCl_3/CF_4$ 플라즈마를 사용하여 반도체소자 제조 시 널리 이용되는 GaAs 계열반도체 중 대표적인 재료인 GaAs/AlGaAs 및 GaAs/InGaP 구조를 선택적으로 건식 식각한 후 분석한 것이다. 공정변수로는 ICP 소스파워를 0-500W, RIE 파워를 0-50W 그리고 $BCl_3/CF_4$ 가스 혼합비를 중점적으로 변화시켰다. $BCl_3$ 플라즈마만을 사용한 경우 (20$BCl_3$, 20W RIE power, 300W ICP source power, 7.5mTorr) 는 GaAs:AlGaAs의 선택비가 0.5:1 이었으며 이때 GaAs의 식각률은 ~2200${\AA}/min$ 이었으며 AlGaAs의 식각률은 ~4500${\AA}/min$ 이었다. 식각 후 표면의 RMS roughness은 < 2nm로 깨끗한 결과를 보여주었다. 15% $CF_4$ 가스가 혼합된 $17BCl_3/3CF_4$, 20W RIE power, 300W ICP source power, 7.5mTorr의 조건에서 3분 동안 공정한 결과 순수한 $BCl_3$ 플라즈마만을 사용한 경우보다 표면은 다소 거칠었지만 (RMS roughness: ~8.4) GaAs의 식각률 (~980nm/min)과 AlGaAs와 InGaP에 대한 GaAs의 선택도 (GaAs:AlGaAs=16:1, GaAs:InGaP=38:1)는 크게 증가하였다. 그리고 AlGaAs 및 InGaP의 경우 식각 시 나타난 휘발성이 낮은 식각 부산물 ($AlF_3:1300^{\circ}C$, $InF_3:1200^{\circ}C$)로 인하여 50nm/min 이하의 낮은 식각률을 보였고, 62.5%의 $CF_4$가 혼합된 $7.5BCl_3/12.5CF_4$플라즈마의 조건에서는 AlGaAs 및 InGaP에 대한 GaAs의 선택도가 각각 280:1, 250:1을 나타내었다.

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에너지화 열가소성 탄성체에 사용될 수 있는 알콕시 계열과 알킬 아민 계열 GAP Copolymer의 합성 및 분석 (Synthesis and Characterization of Alkoxy and Alkylamino GAP Copolymer for Energetic Thermoplastic Elastomer (ETPE))

  • 임민경;장유림;김한철;이학준;노시태
    • 공업화학
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    • 제30권1호
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    • pp.81-87
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    • 2019
  • 에너지화 열가소성 탄성체 제조에 사용될 수 있는 새로운 계열의 glycidyl azide polymer (GAP)을 모색하기 위해 전구체인 poly(epichlorohydrin) (PECH)에 친핵체인 아지드기와 알콕시 및 알킬 아민을 도입하여 4가지 GAP copolymer polyol을 합성하고 물성에 대하여 고찰하였다. 이 GAP copolymer 합성반응은 이종의 친핵체를 1단계 반응으로 동시에 치환하여 미반응 sodium azide가 남지 않는 친환경적이며 효율적인 합성법으로 평가할 수 있다. 역개폐 짝풀림(inverse gated decoupling) $^{13}C$ NMR 분석법과 Fourier transform infrared (FT-IR) 분석법으로 상대적 치환율을 정량적으로 분석하였으며 반응 진행도를 모니터링 하였다. 합성된 GAP copolymer의 유리전이온도와 분자량은 differential scanning calorimetry (DSC)와 gel permeation chromatography (GPC)로 분석하였다. 합성된 poly($GA_{0.8}-butoxide_{0.2}$), poly($GA_{0.7}-n-butylamine_{0.3}$), poly($GA_{0.7}-dipropylamine_{0.3}$), poly($GA_{0.7}-morpholine_{0.3}$)의 유리전이온도는 $-39^{\circ}C$에서 $-26^{\circ}C$ 범위의 값을 나타내었다.

선형성이 우수한 GaAs MESFET 저항성 혼합기 설계 (The Desing of GaAs MESFET Resistive Mixer with High Linearity)

  • 이상호;김준수;황충선;박익모;나극환;신철재
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제10권2호
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    • pp.169-179
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    • 1999
  • 본 논문에서는 선형성이 우수한 MIC형태의 GaAs MESFET 저항성 혼합기를 설계하였다. 설계된 저항성 혼합기는 채널저항을 이용하기 위해 게이트단에만 바이어스 전압을 인가하였으며 LO 신호를 게이트단에 입 력시키고 드레인단에는 LO- RF간의 적절한 격리도를 얻기 위하여 삽입된 7 -jXlle hairpin 대역통과 여파기를 통하여 RF 신호를 가하여서 소오스단에서 단락회로와 저역통과 여파기를 통해 IF 신호를 얻는 것이다 .. LO 신호와 RF 신호에 대한 간략화된 등가회로를 추출하여 변환손실을 계산하였으며 하모닉 발란스 해석의 결과 와 비교하였다. 제작된 S-band 수신용 혼합기의 변환손실은 7 -jXlle hairpin 대역통과 여파기의 3.0-3.4 dB 정 도의 삽입손실을 고려하여 8.2 -10.5 dB로 얻을 수 있었고, 왜곡 특성에서 IP3in는 26.5 dBm의 선형적인 특 성을 Vg=-0.85~-1.0 V에서 얻을 수 있었다.

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MBE 법으로 성장시킨 $Al_xGa_{1-x}As$ 에피층의 Photoreflectance 특성에 관한 연구 (The study on photoreflectance characteristics of the $Al_xGa_{1-x}As$ epilayer grown by MBE method)

  • 이정렬;김인수;손정식;김동렬;배인호;김대년
    • 한국진공학회지
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    • 제7권4호
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    • pp.341-347
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    • 1998
  • MBE법에 의해 성장된 AlxGa1-xAs 에피층의 특성을 photoreflectance(PR) 측정으로 분석하였다. Low power Franz Keldysh(LPFK)를 만족하는 GaAs 완충층에 의한 Frang-Keldysh Oscillation(FKO) 분석에서 띠간격에너지(E0) 값은 1.415eV, 계면 전기장(Ei) 은 1.05$\times$104V/cm, 운반자 농도(Ns)는 $1.3{\times}10^{15}\textrm{cm}^{-3}$이였다. PR상온 스펙트럼 분석에서 Eo(AlxGa1-xAs) 신호 아래 $A^*$피크는 시료 성장시 존재하는 불순물 carbon에 의한 것으로 완충층 GaAs보다 다소 PR신호 세기가 낮고 왜곡된 신호를 나타내었다. 또한, GaAs완충층 의 트랩 특성시간은 약0.086ms정도이며, 1.42eV 부근 두 개의 중첩된 PR신호는 화학적 식 각으로 GaAs의 기판에 의해 나타나는 3차 미분형 신호와 GaAs완충층에 의해 나타나는 FKO신호가 중첩되어 나타남을 알 수 있었다.

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Fusarium prolifertum KGL0401의 지베렐린 생산 최적조건과 waito-c 생장에 미치는 영향 (Optimization of gibberellin production by Fusarium prolifertum KGL0401 and its involvement in waito-c rice growth)

  • 임순옥;이진형;이인중;이인구;김종국
    • 생명과학회지
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    • 제17권1호
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    • pp.120-124
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    • 2007
  • 본 연구는 지베렐린을 생산하는 곰팡이로 알려진 야생균주 Gibberella fujikuroi보다 더 많은 지베렐린을 생산하는 균인 Fusarium proliferatum KGL0401를 꽈리 뿌리에서 분리하였으며[13], 지베렐린 생산을 위한 최적 탄소원과 질소원의 종류, C:N ratio에 대해서 실험을 수행하였다. 지베렐린 중 생물학적 활성이 가장 높은 $GA_3$를 가장 많이 생산하는 탄소원은 sucrose(7.02 ng/ml)이었으며, 질소원은 $NH_4Cl$(187.63 ng/ml)이었다. 그리고 최적 C:N ratio를 찾기 위해 탄소원(0 - 1.5 M)과 질소원(0 - 0.47M)을 배지에 첨가하였다. 결과적으로 최적 탄소원과 질소원의 ratio가 0.5 M : 0.17 M일 때 생물학적 활성을 가진 $GA_3$를 140.0 ng/ml로 가장 많이 생산하는 것으로 나타났다. 그리고 bioassay 결과 $GA_1,\;GA_3\;GA_4$$GA_7$의 함량이 가장 높았던 C:N ratio가 0.5 M : 0.17 M 일 때의 배양액 10 ul을 처리한 waito-c 볍씨의 길이가 평균 11.1 cm로 가장 높게 나타났다.

생강나무와 산앵두나무의 뿌리에서 분리한 Penicillium spp.의 지베렐린 생산성 (Isolation of Gibberellin-producing Penicillium spp. from the Root of Lindera obtusiloba and Vaccinium koreanum)

  • 최화열;이진형;신기선;이인중;이인구;김종국
    • 한국균학회지
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    • 제32권1호
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    • pp.16-22
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    • 2004
  • Gibberellins(GAs)는 식물의 성장과 발전에 있어서 중요하게 작용한다고 알려져 있다. 따라서 본 연구에서는 농업과 원예분야에 매우 중요한 새로운 GAs 생성미생물을 탐색하고자 실험을 수행하였다. 생강나무(Lindera obtusiloba)와 산앵두나무(Vaccinium koreanum)의 뿌리에 존재하는 사상균을 분리하여 GAs 생산 활성을 측정하였으며, 비색법으로 GA 생산량을 분석하였을 때 이들 중에서 GAs 생산량이 가장 많은 것으로 확인된 두 균주에 대하여 여러 GAs 중에서 식물생장촉진 활성이 높다고 알려진 $GA_{1},\;GA_{3},\;GA_{4}$$GA_{7},\;GA_{53}$에 대하여 생산정도를 분석하고, 동정을 수행하였으며, Waito-c(난장이 볍씨)에서 Bioassay를 수행하였다. 생강나무에서는 6종의 균주, 산앵두나무에서는 4종류의 GAs 생산균을 분리하였고, 분리된 균중 GAs를 가장 많이 생산하는 균주들에 대하여 동정한 결과, 생강나무에서 분리한 C03 균주는 P. urticae KNUC03으로 동정되었으며, 산앵두나무에서 분리한 E03 균주는 P. griseofulvum KNUE03으로 동정되었다. 생합성된 GAs를 분석한 결과 P. urticae KNUC03 균주는 배양액 25 ml 중에 $GA_1\;7.08\;ng,\;GA_3\;30.80\;ng,\;GA_{4}\;1.27\;ng,\;GA_{7}\;0.88\;ng$$GA_{53}\;0.13\;ng$을 생산하였고 P. griseofulvum KNUE03은 $GA_1\;9.79\;ng,\;GA_3\;133.58\;ng,\;GA_4\;2.64\;ng,\;GA_7\;7.80\;ng$$GA_{53}\;0.73\;ng$을 생산하는 것이 확인되었다. 두 균주 중에서 P. griseofulvum KNUE03이 GAs를 더 많이 생산함을 알 수 있었다.

감염병소 영상을 위한 $^{99m}Tc$-Transferrin 개발 (Development of $^{99m}Tc$-Transferrin as an Imaging Agent of Infectious Foci)

  • 김성민;송호천
    • Nuclear Medicine and Molecular Imaging
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    • 제40권3호
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    • pp.177-185
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    • 2006
  • 목적 : 본 연구의 목적은 $^{99m}Tc$-방사성표지 트렌스페린 ($^{99m}Tc$-transferrin)을 개발하여 감염/염증병소의 진단에 이용할 수 있는지 알아보고, 이를 $^{67}Ga$-Citrate 영상과 비교하고자 하였다. 대상 및 방법 : Succinimidyl 6-hydrazino-nicotinate hydrochloride -chitosan -transferrin (Transferrin)을 합성하고, 여기에 $^{99m}Tc$ 방사성 표지를 시행하였다. $^{99m}Tc$-transferrin의 방사성표지효율은 표지 후 10분, 30분, 1시간, 2시간, 4시간, 8시간에 측정하였다. 포도상구균(ATCC 25923, $2{\times}10^8$ colony forming unite, 0.2 ml)을 접종한 쥐농양모델에서 $^{99m}Tc$-transferrin과 $^{67}Ga$-citrate의 생체내 분포를 평가하고 영상 검사를 실시하였다. 결과: 질량분석계를 이용하여 Transferrin이 성공적으로 제조되었음을 알 수 있었다. $^{99m}Tc$-transferrin의 방사성표지효율은 10분, 30분, 1시간, 2시간, 4시간, 8시간에 각각 $96.2{\pm}0.7%,\;96.4{\pm}0.5%,\;96.6{\pm}1.0%,\;96.9{\pm}0.5%,\;97.0{\pm}0.7%\;and\;95.5{\pm}0.7%$ 이었다. $^{99m}Tc$-transferrin의 단위섭취량은 감염병소에서 $0.18{\pm}0.01\;and\;0.18{\pm}0.01$, 정상근육에서 $0.05{\pm}0.01\;and\;0.04{\pm}0.01$이었고, 감염병소 대 정상근육 섭취비는 30분과 3시간에 각각 $3.7{\pm}0.6\;and\;4.7{\pm}0.4$이었다. $^{99m}Tc$-transferrin 영상에서 10분, 30분, 1시간, 2시간, 4시간 그리고 10시간에서의 병소/배후방사능비는 각각 $2.18{\pm}0.03,\;2.56{\pm}0.11,\;3.08{\pm}0.18,\;3.77{\pm}0.17,\;4.70{\pm}0.45$ 그리고 $5.59{\pm}0.40$이었고, $^{67}Ga$-citrate의 경우 2시간, 24시간, 48시간에 $3.06{\pm}0.84,\;4.12{\pm}0.54\;4.55{\pm}0.74 $이었다. 결론 : Transferrin에 $^{99m}Tc$을 이용한 방사성표지가 성공적으로 이루어졌고, $^{99m}Tc$-transferrin의 표지효율은 8시간까지 95% 이상의 안정된 방사성표지효율을 보였다. $^{99m}Tc$-transferrin을 이용한 감염영상을 성공적으로 얻을 수 있었으며, $^{67}Ga$-citrate 영상과 비교하여 더 빠른 시간 안에 우수한 영상을 얻을 수 있었다. 그러므로 $^{99m}Tc$-transierrin이 감염 병소의 영상진단에 사용될 수 있을 것으로 기대된다.

InGaP/GaAs HBT를 이용한 5.4㎓ 대역의 고성능 초고주파 집적회로 저잡음 증폭기 설계 (Design of High Performance LNA Based on InGaP/GaAs HBT for 5.4㎓ WLAN Band Applications)

  • 명성식;전상훈;육종관
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제15권7호
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    • pp.713-721
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    • 2004
  • 본 논문은 InGaP/GaAs HBT를 사용하여 5.4㎓ 대역의 고성능 저잡음 증폭기를 제안하였다. 기존에 InGaP/GaAs HBT는 고전력 증폭기 설계에 주로 사용되어 왔으나, 최근 RF 단일칩화를 위한 소자로 인식되고 있다. 이에 InCaP/GaAs HBT 소자를 이용한 저잡음 증폭기 설계에 대한 연구가 선행되어야 하며, 본 논문에서는 InGaP/GaAs HBT의 우수한 선형성 특성과 잡음 특성을 이용하여 뛰어난 성능의 저잡음 증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 저잡음 증폭기는 높은 Q의 나선형 인덕터와 MIM 형태의 캐패시터 등의 수동 소자와 능동 소자가 모두 한 칩에 집적화 되어 입출력 패드와 함께 0.9${\times}$0.9$\textrm{mm}^2$의 면적에 집적화 되었다. 제안된 저잡음 증폭기는 최적의 동작점을 선택해 이득과 잡음 지수를 최적화하였으며, 더불어 우수한 선형성을 얻을 수 있었다. 측정결과 제작된 저잡음 증폭기는 13㏈의 이득과 2.1㏈의 우수한 잡음 지수를 보였으며, IIP3 5.5㏈m의 우수한 선형성이 측정되었다.

반절연성 GaAs에서 열자극 전류에 관한 연구 (A study on thermally stimulatede current in semi-insulating GaAs)

  • 배인호;김기홍;김인수;최현태;이철욱;이정열
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제7권5호
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    • pp.383-388
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    • 1994
  • Deep levels in semi-insulating GaAs were observed by thermally stimulated current(TSC) measurement In the temperature ranges of 100-300K Tl(E$\_$c/-0.18eV), T2(E$\_$c/-0.20eV), T3(E$\_$c/-0.31eV), T4(E$\_$c/-0.40eV), and T5(E$\_$c/-O.43eV) traps have been observed. The TI, T2, and T5 traps seem to be related to the V$\_$As/, V$\_$Ga/-complex, and As$\_$Ga/$\^$++/ respectively. T4 trap is considered with respect to V$\_$Ga/-V$\_$As/ complex.

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