• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.26-29
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• 1999

The I-V characteristics of the n-channel offset gated poly-Si TETs have been systematically investigated in order to analyse the effects of offset region. The on currents are reduced due to the series resistance by the offset length and there is no kink phenomenon in offset devices. The off currents of the offset gated TFTs are remarkably reduced to 10$^{-12}$ A independent of gate and drain voltage because the electric field is weakened by the increase of the depletion region width near the drain region. It is shown that the offset regions behave as a series resistance and reduce lateral and vertical electric field.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.93-94
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• 2007

다양한 LDD(lightly doped drain)에 따른 n-channel poly-Si TFT (thin film transistor)에 대하여 보고한다. 유리 기판 위에 ELA를 이용하여 만들어진 Polycrystalline silicon (poly-Si)은 TFT-LCD의 응용을 위한 재료로써 우수한 특성을 갖는다. 제작된 n-channel TFT는 절연층으로 $SiN_x$, $SiO_2$의 이중 구조를 갖는다. 다양한 LDD에 따른 n-channel poly-Si TFT의 문턱전압($V_{TH}$), ON/OFF 전류비 ($I_{ON}/I_{OFF}$), 포화전류($I_{DSAT}$)는 TFT의 보다 좋은 성능을 위해 연구된다. 짧은 LLD 길이를 가진 n-channel poly-Si TFT의 문턱전압은 작고, 포화전류의 값은 크다. 또한 긴 LLD 길이를 가진 n-channel poly-Si TFT는 작은 kink effect를 가진다.

• 전기전자학회논문지
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• 제23권2호
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• pp.375-379
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• 2019

Zn와 Sn의 원자비가 2:1인 타겟을 고주파 스파터링하여 $ZnO-SnO_2(ZTO)$박막을 증착하고 열처리에 따른 구조적 특성변화를 조사하였다. 이 ZTO박막을 활성층으로 사용하여 투명박막트랜지스터(TTFT)를 제조하였다. 약 100 nm 두께의 $SiO_2$위에 100 nm의 $Si_3N_4$막을 기른 후 TTFT의 게이트 절연막으로 채택하였다. TTFT의 전달 특성을 통해 이동도, 문턱전압, 작동전류-차단전류 비($I_{on}/I_{off}$), 계면트랩밀도를 구하였다. 기판 가열 및 후속 열처리가 ZTO TTFT의 특성 변화에 미치는 영향을 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제31권3호
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• pp.135-140
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• 2018

Atomically thin $MoS_2$ single crystals have a two-dimensional structure and exhibit semiconductor properties, and have therefore recently been utilized in electronic devices and circuits. In this study, we have fabricated a field effect transistor (FET), using a CVD-grown, 3 nm-thin, $MoS_2$ single-crystal as a transistor channel after transfer onto a $SiO_2/Si$ substrate. The $MoS_2$ FETs displayed n-channel characteristics with an electron mobility of $0.05cm^2/V-sec$, and a current on/off ratio of $I_{ON}/I_{OFF}{\simeq}5{\times}10^4$. Application of bottom-gate voltage stresses, however, increased the interface charges on $MoS_2/SiO_2$, incurred the threshold voltage change, and degraded the device performance in further measurements. Exposure of the channel to UV radiation further degraded the device properties.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 1999년도 제14차 학술회의논문집
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• pp.61-64
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• 1999

In this paper, a technique to expand the Input and Output (I/O) of the programmable logic controller (PLC) using remote I/O module is presented. The controller and the remote I/O module should have the same protocol and are interfaced through RS 485. Each remote I/O module consists of 16 digital input and 16 digital output, and the maximum of 32 remote I/O module can be linked to one controller. The remote I/O is programmed for interrupt request to controller independently. Therefore, there is no affect to the scan time of the controller. Using this technique, the PLC can be efficiently applied to the several hundred meters different control points such as the ON-OFF control fur the agriculture farm, the building automation system, a multi group of machine control.

• 대한산업공학회지
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• 제22권3호
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• pp.387-398
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• 1996

In this study the cell arrival processes from pre-buffer into multiplexer for MPEG(Motion Picture Experts Group) coding video sources are analyzed with consideration of the traffic periodicity in frame level. The analysis is performed by introducing the two arrival models, that is, periodic on/off source model and periodic uniform arrival model. Modulated $N^*D$/D/1 queueing system is utilized in periodic on/off source model, while ${\Sigma}{N_i}^*D_i$/D/1 queueing system is used in periodic uniform arrival model. The presented models are validated by comparing with computer simulations. Numerical results for periodic uniform arrival model are shown to be very accurate, but those of periodic on/off source model are shown to be inaccurate as the number of sources are increased.

• 항공우주기술
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• 제8권2호
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• pp.26-32
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• 2009

위성영상의 융합에 있어, 가장 중요한 점은 전정영상의 공간적 세밀함과 다중분광영상의 분광정보 모두를 보존하는 것이다. 다양한 영상융합 기법 중에서, IHS 변환을 이용한 융합기법은 폭넓게 사용되고 있으며, 계산과정이 매우 단순하다는 장점을 갖고 있다. 본 연구에서는, fast IHS 변환과 trade-off 파라미터 $\alpha^i$를 이용한 융합기법을 제안한다. 제안한 융합 기법은 분광 ERGAS와 공간 ERGAS의 평가를 통하여, 융합영상에서 분광정보와 공간적 세밀함 사이의 trade-off 최적화를 가능하게 한다. IKONOS 영상의 실험결과, 제안한 기법은 기존의 fast IHS 변환을 이용한 융합기법에 비해 공간적 세밀함과 분광정보의 보존측면에서 더 효과적임을 확인할 수 있었다.

• 생물환경조절학회지
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• 제8권3호
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• pp.152-163
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• 1999

온수난방시스템 온실의 디지털 온도제어 수식모형을 수립하고, 이 수식모형을 이용하여 제어시뮬레이션을 실시하여 최적의 온도제어 방법을 구명하였다. 이용된 제어기법은 종래의 온수온도 일정 공급ON-OFF 제어, 비례제어, PI 제어, PID 제어기법이었으며, 시뮬레이션을 이용해 제어기법별 제어성능을 비교 분석하였다. 대상유리온실의 실내온도( T$_{i}$ )에 관한 디지털 제어수식모형은 공급온수온도( T$_{w}$ )와 외기온도( T$_{o}$ )가 관련된 T$_{i}$($textsc{k}$＋1)＝ 0.851.T$_{i}$($textsc{k}$)＋0.055.T$_{w}$($textsc{k}$)＋0.094.T$_{o}$ ($textsc{k}$)로 나타났다. 온실의 실내온도제어 시뮬레이션을 실시한 결과 종래의 온수온도 일정공급 ON-OFF 제어, P 제어, PI 제어,PID 제어의 정정시간, 오버슛트, 정상오차는 각각 무한, 3.5$0^{\circ}C$, 3.5$0^{\circ}C$ / 30분, 2.37$^{\circ}C$, 0.51$^{\circ}C$ / 21분, 0.0$0^{\circ}C$, 0.23$^{\circ}C$ / 18분, 0.0$0^{\circ}C$, 0.23$^{\circ}C$로 나타났으며, 온수난방시스템 온실의 온도제어에 가장 적합한 제어기법은 PI와 PID제어인 것으로 나타났다 또한 미분이득은 온실의 난방계에 거의 영향을 미치지 않지만 적분이득은 큰 영향을 미치는 것으로 나타났다. 나타났다.

• 한국어류학회지
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• 제32권2호
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• pp.110-114
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• 2020

우리나라 거제도 연안 수심 4 m 진흙바닥에서 Clariger chionomaculatus 1개체(체장 40.5 mm)를 채집하였다. 본 종의 특징은 가늘고 긴 체형에 비늘이 없고, 눈 아래에 수염이 있으며, 제2등지느러미 기조수가 I, 12~15, 뒷지느러미 기조수는 I, 12~14, 가슴지느러미 상부에 1개의 유리연조, 등 쪽에 다수의 흰색 반점들이 있는 채색패턴을 갖는 점이다. 본 종은 지금까지 일본에서만 보고된 종으로 우리나라에서는 거제도 연안에서 처음 출현하였다. 본종의 신한국명으로 '흰점왜망둑'을 제안한다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권2호
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• pp.176-183
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• 1995

The present work is concerned with the switching conduction characteristics of PI LB films in metal insulator metal sandwiches. By applying various DC voltage bias to MIM junctions, conduction characteristics of junctions can be changed between the high-voltage low-current(off) condition, the low-voltage high-current (on) condition and the medium(mid) condition. Switching conduction characteristics can be also observed in MIM junctions employing some aromatic compounds as insulators. Switching conduction characteristics is assumed to be owing to the existence of aromatic rings, space charge in films, impurities on metal-insulator interface, and difference in work functions of base and top electrodes metal. To study the conduction process of on, off, and mid conductions, we measured I-V, d$^{2}$V/d I$^{2}$-V characteristics of junctions with several different top electrodes under various temperatures. Small conductance changes of junctions can be measured by observing the second derivative, d$^{2}$V/dI$^{2}$, of I-V curve. A dynamical technique is used to get the second derivatives. That is, a finite modulation of the current is applied to the junctions and the second harmonic of the voltage is detected.