• 한국재료학회지
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• 제6권6호
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• pp.543-554
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• 1996

Bi-Sr-Ca-Cu-O 계에서 상형성에 관해 연구하였다. 임계온도가 80K인 초전도체는 Bi-Sr-Ca-Cu의 몰비율이 2:2:1:2의 성분으로부터 solid state synthesis의 방법으로 합성하였다. 이때 이상에 대한 x-ray diffraction pattern은 모두 색인하였다. 2:2:1를 기본으로한 solid solution의 형성을 Bi2Sr2-xCa1+yCu2O8+$\delta$으로 단일상(single phase)을 형성하고 있으며, 이때 x와 y의 범위는 0

• Progress in Superconductivity
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• 제6권1호
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• pp.84-88
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• 2004

The polycrystalline superconductor $SmBa_2$$Cu_3$$O_{x}$ is fabricated, and intergranular magnetic properties are investigated using the critical state model, from which some useful parameters such as the critical current density and the intergranular volume fraction are obtained. The curve fitting for M-H hysteresis loop shows that the intergranular critical current density of $SmBa_2$$Cu_3$$O_{x}$ / decreases in the form of ($1-T/T_{c}$ )$^{1.5}$ . The intergranular volume fraction is influenced by granular morphology. From SEM image, the grains of $SmBa_2$$Cu_3$$O_{x}$ are found to be randomly shaped. This mean:; that the intergranular volume fraction of $SmBa_2$$Cu_3$$O_{x}$ / should be smaller than those of superconductors, of which grains are plate-shaped such as Tl-based superconductor.

• 대한전기학회논문지
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• 제41권5호
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• pp.525-532
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• 1992

Fluorine-doped YBaS12TCuS13TOS17-xTFS1yT superconducting materials with y varing two orders of magnitude form 0.02 to 2.0 have been prepared by a sol-gel process by using metal nitrate salts, sodium hydroxide and sodium fluoride. Fluorine contents have been measured using an ion-selective electrode. All fluorine doped as reactant were found to be present in the resulted samples. From the observation of XRD it has been concluded that the samples with y 0.2 formed simply the single phase of perovskite structure, whereas those with y 0.5 yielded together some compounds such as BaFS12T, YFS13T and CuO in the resulted samples. The observation of solid state S019TF NMR has been carried out in order to check whether fluorine was actually incorporated into the lattice sites, and the experimental results revealed that the mole ratio of fluorine incorporated into the lattice sites of YBaS12TCuS13TOS17-xT was approximately 0.2 per mole of the compound. Also electrical resistivity measurement indicated that onset transition temperature has the tendency to increase slightly with increasing y in the dilute region as y 0.2.

• ETRI Journal
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• 제37권6호
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• pp.1129-1134
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• 2015

In this article, a study of a flower like nanostructured CdS buffer layer for improving the performance of a submicron-thick $CuIn_{1-x}Ga_xSe_2$ (CIGS) solar cell (SC) is presented. Both its synthesis and properties are discussed in detail. The surface reflectance of the device is dramatically decreased. SCs with flower like nanostructured CdS buffer layers enhance short-circuit current density, fill factor, and open-circuit voltage. These enhancements contribute to an increase in power conversion efficiency of about 55% on average compared to SCs that don't have a flower like nanostructured CdS buffer layer, despite them both having the same CIGS light absorbing layer.

• 한국결정학회지
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• 제8권2호
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• pp.105-110
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• 1997

CdS/CuInSe2 태양전지에서 창측재료로 1μm 두께의 CdS박막을 1x10-3mTorr의 진공하에서 CdS source 온도를 800-1100'C로 하고 기판의 온도를 50-200℃로하여 진공증차겁으로 제조하였다. 증착된 CdS박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성조사는 x-ray diffractometer(XRD), scanning electron microscope(SEM), 전기비저항 측정, Hall measurement 그리고 optical transmission spectra로 행하였고, 각막들의 성분분석은 energy dispersive analysis of X-ray (EDAX)를 가하나, 광투과도는 감소하였다. 이때 증착된 CdS 박막들은 모두 hexagonal 구조를 가지고 있었으며, 결정성은 기판유리를 딸 (002)면으로 형성되었다. CdS Source 온도가 1000℃에서 증착된 CdS 박막이 0.9(S/cm)의 가장 높은 전기 전도도를 나타내었다. 또한 기판온도를 100'C로 제조한 CdS 박막이 전기비저항은 40(Ω,cm)이었고 광투과도는 80% 이상의 값을 나타내어 CdS/CuInSe2 태양전지의 창측재료로 적합했다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제15권3호
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• pp.18-23
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• 1978

Cu2-xS-CdS PN 접합 태양전류의 효률 향상을 위하여 직렬저항을 감소시키는 방법을 고려하였다. Cu2-xS의 박막을 만들 때 도전율이 제일 큰 것은 기판온도 250℃에서 얻어졌다. CdS 박막도 기판의 온도가 250℃ 이상 300℃ 정도이고 증발원의 온도가 800∼850℃ 정도에서 만든 것이 도전율이 제일 컸으며 광도전특성도 좋다는 것을 확인하였다. 따라서 기판온도를 250℃로 하고 증발원 온도를 800∼850℃정도에서 증착된 박막형 CdS 태양전지를 만들었고 효율을 측정하였더니 6% 정도였다.

• Current Photovoltaic Research
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• 제3권3호
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• pp.75-79
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• 2015

Recently, $Cu_2ZnSn(S_xSe_{1-x})_4$ (CZTSSe) has been received a tremendous attraction as light absorber material in thin film solar cells (TFSCs), because of its earth abundance, inexpensive and non-toxic constituents and versatile material characteristics. Kesterite CZTSSe thin films were synthesized by sulfo-selenization of sputtered Cu/Sn/Zn stacked metallic precursors. The sulfo-selenization of Cu/Sn/Zn stacked metallic precursor thin films has been carried out in a graphite box using rapid thermal annealing (RTA) technique. Annealing process was done under sulfur and selenium vapor pressure using Ar gas at $520^{\circ}C$ for 10 min. The effect of tuning Se/(S+Se) precursor composition ratio on the properties of CZTSSe films has been investigated. The XRD, Raman, FE-SEM and XRF results indicate that the properties of sulfo-selenized CZTSSe thin films strongly depends on the Se/(S+Se) composition ratio. In particular, the CZTSSe TFSCs with Se/(S+Se) = 0.37 exhibits the best power conversion efficiency of 4.83% with $V_{oc}$ of 467 mV, $J_{sc}$ of $18.962mA/cm^2$ and FF of 54%. The systematic changes observed with increasing Se/(S+Se) ratio have been discussed in detail.

• 한국결정성장학회지
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• 제22권2호
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• pp.78-83
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• 2012

$La_{1-x}Sr_xMn_{0.8}Cu_{0.2}O_{3-{\delta}}$(LSMCu)에서 Sr 함량에 따른 구조적 변화와 전기전도도에 대해 연구, 고찰하였다. EDTA citric complexing process(ECCP)로 페로브스카이트 구조를 갖는 $La_{0.8}Sr_{0.2}MnO_3$(LSM)와 $La_{1-x}Sr_xMn_{0.8}Cu_{0.2}O_3$($0.1{\leq}x{\leq}0.4$)을 제조하였다. Sr 함량이 증가할수록 격자상수와 격자부피는 감소하는 경향을 나타내었으며, 이는 Sr 함량이 증가함에 따라 B-site에서 증가하는 $Mn^{4+}$ 이온과 $Cu^{3+}$ 이온의 영향인 것으로 판단하였다. $0.1{\leq}x{\leq}0.3$ 범위의 조성에서 Sr 함량이 증가할수록 $500{\sim}1000^{\circ}C$에서 측정된 전기전도도는 증가하였고, x = 0.3 조성에서는 $750^{\circ}C$와 $950^{\circ}C$에서 각각 172.6 S/cm와 177.7 S/cm (최고값)를 나타내었다. 반면, x = 0.4 조성에서는 전기전도도가 감소하였는데 이는 입계에 발생한 산화물에 의한 영향으로 판단하였다. Sr 함량이 증가함에 따라 B-site에 존재하는 $Mn^{4+}$ 이온과 $Cu^{3+}$ 이온의 증가로 인해 격자수축이 발생하고, hopping mechanism에 관여하는 charge carrier들이 늘어나 전기전도도가 증가한 것으로 판단하였다.

• 한국재료학회지
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• 제4권3호
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• pp.268-279
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• 1994

단일상을 갖는 $Bi_2S_2CaCu_2O_{8+x}$ (2212)의 x-ray 분말 pattern을 a=5.408, c=30.83 $\AA$의 격자상수 및 역격자 벡터 $q^*=0.211b^*-c^*$을 갖는 pseudo tetragonal subcell을 이용하여 모두 index하였다. 임계온도 110K를 갖는 $Bi_2S_2CaCu_2O_{10+x}$ 상은 incommensurate supercell에 속하는 매우 많은 x-ray분말선들을 가지고 있다. Indixing guide로 전자회절사진(electron diffraction photographs)을 이용 x-ray분말 pattern에 대한 지수결정방법을 얻었다.$Bi_2S_2CaCu_2O_{10+x}$(2223)의 단위세표(unit cell)는 기하학적으로 격자상수 a=5.411, b=5.420, c=37.29(2) A을 갖는 orthorhombic subcell이다. Supercell반사 지수들은 subcell의 파 벡터 $\pm q^*=0.211b^*-0.78c^*$을 갖는 k,1지수로부터 영향을 받은 것이다. b 방향으로의 inconnensurate성분 $\delta$는 두 상에 대해 다 같으나, 2212에서 2223 상으로의 변환에 따라 c 방향으로의 초격자성분(superlattic component)은 connensurate($\varepsilon$=1)로부터 incommensurate($\varepsilon$=0.78)로 변한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 반도체 재료 센서 박막재료 전자세라믹스
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• pp.51-55
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• 2004

$CdS_{0.69}Se_{0.31}$ single crystal grown by sublimation method. Hall effect measurement were carried out by the Van der Pauw method. The measurement values under the temperature were found to be carrier density $n=1.95{\times}10^{23}m^{-3}$, Hall coeffcient $RH=3.21{\times}10^{-5}m^3/c$, conductivity ${\sigma}=362.41{\Omega}^{-1}m^{-1}$, and Hall mobility ${\mu}=1.16{\times}10^{-2}m^2/v.s.$ Heterojunction solar cells of $n-CdS_{0.69}Se_{0.31}/p-Cu_{2-x}S_{0.69}Se_{0.31}$ were fabricated by the substitution reaction. The open-circuit voltage, short-circuit currint density, fill factor and power conversion efficiency of $n-CdS_{0.69}Se_{0.31}/p-Cu_{2-x}S_{0.69}Se_{0.31}$ heterojunction solar cell under $80mW/cm^2$ illumination were found to be 0.41V, $19.5mA/cm^2$, 0.75 and 9.99%, respectivity.