CdS 태양전지의 제작과 그 특성에 관하여

A Study on the Fabrications and the Principal features of Solar Cell

Cu2-xS-CdS PN 접합 태양전류의 효률 향상을 위하여 직렬저항을 감소시키는 방법을 고려하였다. Cu2-xS의 박막을 만들 때 도전율이 제일 큰 것은 기판온도 250℃에서 얻어졌다. CdS 박막도 기판의 온도가 250℃ 이상 300℃ 정도이고 증발원의 온도가 800∼850℃ 정도에서 만든 것이 도전율이 제일 컸으며 광도전특성도 좋다는 것을 확인하였다. 따라서 기판온도를 250℃로 하고 증발원 온도를 800∼850℃정도에서 증착된 박막형 CdS 태양전지를 만들었고 효율을 측정하였더니 6% 정도였다.

In order to improve the efficiency of Cu2-xS-CdS PN junction type solar cell, a method of reducing the series resiatance is considered. In the fabrication of the thin film of Cu2-xS, what has the largest value of conductivity is fabricated at 250 $^{\circ}C$. The thin film of CdS which has beer fabricated at the temperature 250-30$0^{\circ}C$ of the substrate and 800-85$0^{\circ}C$ of evaporating material has the largest value of conductivity and also fairly good photoelectric characteristics. Therefore, the evaporated thin aim type CdS solar cell has been fabricated at the temperature 25$0^{\circ}C$ of the substrate and 800-85$0^{\circ}C$ of the evaporating material, and its efficiency is measured to he 6%.