• 한국응용곤충학회지
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• 제41권4호
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• pp.299-303
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• 2002

차나무뿌리썩이선충(Pratylenchus loosi)이 국내에서 처음으로 전라남도 명암군과 제주도 남제주군의 차나무 뿌리와 주변 중에서 발견되었다. 차나무뿌리썩이선충의 두부주름은 2개이며 암컷의 길이는 433-646$\mu\textrm{m}$이고, a ＝ 29.1-37.5, b ＝ 5.1-6.4, c ＝ 15.0-21.3, vulva (%) ＝ 73.0-85.4였다. 수컷의 몸길이는 408-512 $\mu\textrm{m}$였으며 a ＝ 36.1-40.0, b ＝ 4.8-6.7, c ＝ 17.0-19.0, spicule ＝ 14.1-18.0$\mu\textrm{m}$였다. 구침의 길이는 11.6-18.0$\mu\textrm{m}$였으며, 측선의 갯수는 4개였다. 저정낭은 정자로 차 있으며, 모양은 둥근 고치모양 또는 직사각형 모양이다. 꼬리의 형태는 가늘고 끝이 둥글거나 뾰족하다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제13권9호
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• pp.1837-1844
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• 2009

본 논문에서는 전류모드 CMOS에 의한 2변수 3치 가산기 회로와 승산기 회로를 구현하였다. 제시된 전류모드 CMOS에 의한 3치 가산기 회로와 승산기 회로는 전압 레벨로 동작하며, HSpice 시뮬레이션을 통하여 이 회로들에 대하여 동작 특성을 보였다. 제시 된 회로들은 $0.180{\mu}m$ CMOS 표준 기술을 사용하여 HSpice로 시뮬레이션 하였다. 2 변수 3치 가산기 및 승산기 회로의 단위 전류 $I_u$는 $5{\mu}A$로 하였으며, NMOS의 길이와 폭 W/L는 $0.54{\mu}m/0.18{\mu}m$이고, PMOS의 길이와 폭 W/L는 $1.08{\mu}m/0.18{\mu}m$이다. VDD 전압은 2.5V를 사용하였으며 MOS 모델은 LEVEL 47으로 시뮬레이션 하였다. 전류모드 CMOS 3치 가산기 및 승산기 회로의 시뮬레이션 결과에서 전달 지연 시간이 $1.2{\mu}s$이며, 3치 가산기 및 승산기 회로가 안정하게 동작하여 출력 신호를 얻는 동작 속도가 300MHz, 소비 전력이 1.08mW임을 보였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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• pp.591-592
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• 2006

Schottky diodes for Radio-frequency identification (RFID) tag integration on chip were designed and fabricated using Samsung electronics System LSI standard $0.18{\mu}m$ CMOS process. Schottky diodes were designed as interdigitated fingers array by CMOS layout design rule. 64 types of Schottky diode were designed and fabricated with the variation of finger width, length and numbers with a $0.6{\mu}m$ guard ring enclosing n-well. Titanium was used as Schottky contact metal to lower the Schottky barrier height. Barrier height of the fabricated Schottky diode was 0.57eV. DC current - voltage measurements showed that the fabricated Schottky diode had a good rectifying properties with a breakdown voltage of -9.15 V and a threshold voltage of 0.25 V.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제29권4호
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• pp.577-584
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• 2012

액체크로마토그래피법(HPLC)을 이용하여 화장품에 들어있는 자외선차단제류 등을 동시 분석하였다. 화장품 시료를 Tetrahydrofurane(THF)에 직접 용해시키고 $0.45{\mu}m$ 필터로 여과하여 물/메탄올/THF를 이동상으로 하여 Extend C18의 비극성 컬럼을 사용하여 기울기용리조건에서 20분 안에 분리하여 UV/Vis detector방법으로 정량하였다. HPLC분석결과 검량선은 $50{\sim}800{\mu}g/mL$ 농도범위에서 상관계수가 $r^2$=0.9992 이상의 좋은 직선성을 나타내었으며 검출한계는 $0.01{\mu}g/mL$였다.

• 분석과학
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• 제23권1호
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• pp.54-59
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• 2010

액체크로마토그래피/질량분석법(LC/MS)을 이용하여 화장품에 들어있는 파라벤류등을 동시 분석하였다. 화장품 시료를 메탄올에 직접 용해시키고 $0.45\;{\mu}m$ 필터로 여과하여 메탄올/물을 이동상으로 하여 Extend $C_{18}$의 비극성 컬럼을 사용하여 기울기 용리 조건에서 12분 안에 분리하여 SIM(selected ion monitoring)방법으로 정량하였다. LC/MS 분석결과 검량선은 $0.05-10\;{\mu}g$/mL 농도범위에서 $r^2$=0.9993의 상관계수를 갖는 좋은 직선성을 나타내었으며, 검출한계는 $0.01\;{\mu}g$/mL 이었다.

• 전기화학회지
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• 제5권3호
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• pp.153-158
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• 2002

전해전착법을 이용한 상감(damascene)구리 배선 충전시 레벨러 효과에 대해 연구하였다. 레벨러를 첨가한 도금액과 첨가하지 않은 도금액을 제조하여 선 폭이 $0.37{\mu}m,\;0.18{\mu}m$인 선형 트렌치를 충전한 후 field emission scanning electron microscope(FE-SEM)로 트렌치 단면을 관찰하였다. 레벨러로 Janus Green B를 사용하였으며, 억제제로서 polyethylene glycol(PEG), 촉진제로서 3-mercapto-1-propansulfonic acid를 사용하였다 레벨러를 첨가하지 않은 경우 $0.37{\mu}m$(종횡비 2.7:1) 트렌치를 공극 없이 충전할 수 있었으나 $0.18{\mu}m$(종횡비 5.25:1) 트렌치에서는 공극(void)이 형성되었다. 레벨러를 첨가한 경우에는 $0.18{\mu}m$ 트렌치를 공극 없이 충전할 수 있었다. 레벨러를 첨가하지 않은 경우 트렌치 모서리에서의 전착속도를 충분하게 억제하지 못하고 거칠게 전착되어 미세한 트렌치 충전시 공극을 형성한 반면, 레벨러를 첨가한 경우는 트렌치 상부모서리에서의 전착속도를 억제하고 균일한 전착을 유도하여 미세한 트렌치를 공극 없이 채울 수 있었다.

• 한국환경과학회지
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• 제24권5호
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• pp.679-687
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• 2015

Atmospheric aerosol particles were investigated at GNTECH university in Jinju city. Samples were collected using the Nanosampler period from January to December 2014. The Nanosampler is a 6 stage cascade impactor(1 stage : > $10{\mu}m$, 2 stage : $2.5{\sim}10{\mu}m$, 3 stage : $1.0{\sim}2.5{\mu}m$, 4 stage : $0.5{\sim}10{\mu}m$, 5 stage : $0.1{\sim}0.5{\mu}m$, back-up : < $0.1{\mu}m$) with the stages having 50% cut-off ranging from 0.1 to $10{\mu}m$ in aerodynamic diameter. The mass size distribution of Atmospheric aerosol particles was unimodal with peak at $1.0{\sim}2.5{\mu}m$ or $0.5{\sim}1.0{\mu}m$. The annual average concentrations of TSP, $PM_{10}$, $PM_{2.5}$, $PM_1$, $PM_{0.5}$ and $PM_{0.1}$ were $44.0{\mu}g/m^3$, $40.3{\mu}g/m^3$, $31.4{\mu}g/m^3$, $18.0{\mu}g/m^3$, $8.0{\mu}g/m^3$, $3.0{\mu}g/m^3$, respectively. On average $PM_{10}$, $PM_{2.5}$, $PM_1$, $PM_{0.5}$ and $PM_{0.1}$ make up 0.91, 0.70, 0.41, 0.19 and 0.07 of TSP, respectively. The annual average of $PM_{2.5}/PM_{10}$ ratio was 0.77.

• 분석과학
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• 제16권2호
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• pp.125-133
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• 2003

적포도주에 들어 있는 trans-resveratrol을 분석하기 위하여 본 연구에서는 Sep-Pak $C_{18}$-cartridges를 이용한 고체상 추출법의 전처리 및 LC/MS-ESI 방법과 LC/MS-APCI 방법을 사용하여 국내에서 시판되고 있는 포도주에서 trans-resveratrol의 함량을 비교 분석하였다. LC/MS-ESI 방법에 의한 trans-resveratrol 함량은 $0.06-4.31{\mu}g/mL$로 검출되었고, 회수율은 88.4-97.9%, 상대 표준편차는 0.6-4.6%로 나타났으며, 검출한계는 $0.001{\mu}g/mL$이었다. LC/MS-APCI방법의 경우 trans-resveratrol 함량은 $0.09-4.02{\mu}g/mL$가 검출되었고, 검출한계는 $0.005{\mu}g/mL$로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.3-4
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• 2009

As device process technology advances, effective channel length, the thickness of gate oxide, and supply voltage decreases. This paper describes a novel electrostatic discharge (ESD) protection device which has current feedback for high ESD immunity. A conventional Gate-Grounded NMOS (GGNMOS) transistor has only one ESD current path, which makes, the core circuit be in the safe region, so an GGNMOS transistor has low current immunity compared with our device which has current feedback path. To simulate our device, we use conventional $0.18\;{\mu}m$ technology parameters with a gate oxide thickness of $43\;{\AA}$ and power supply voltage of 1.8 V. Our simulation results indicate that the area of our ESD protection, device can be smaller than a GGNMOS transistor, and ESD immunity is better than a GGNMOS transistor.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권4호
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• pp.131-136
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• 2008

[ $0.18-{\mu}m$ ] CMOS공정을 이용하여 근거리 무선통신(22-29 GHz)에서 응용할 수 있는 전력증폭기를 설계하였다. 전도성 기판에 의한 손실을 줄이기 위해서 기판 차폐된 두 가지 형태의 전송선로를 설계하고, 40 GHz 까지 측정 및 모델링하였다. 기판 차폐 microstrip line (MSL) 전송선로의 경우 27 GHz에서 약 0.5 dB/mm의 삽입손실을 나타내었다. 기판 차폐 MSL 구조를 이용한 전력증폭기는 0.83$mm^2$의 비교적 작은 면적을 차지하면서도 27 GHz에서 14.7 dB의 소신호 이득과 14.5 dBm의 출력을 나타내었다. 기판 차폐 coplanar waveguide (CPW) 전송선로의 경우 27 GHz에서 약 1.0 dB/mm 삽입손실을 나타내었으며, 이를 이용한 전력증폭기는 26.5 GHz에서 12 dB의 소신호 이득과 12.5 dBm의 출력을 나타내었다. 본 논문의 결과는 $0.18-{\mu}m$ CMOS공정을 이용한 저가격의 근거리 무선통신 시스템을 구현할 수 있는 가능성을 제시한다.