With brief instroduction of fabrication methods of dia.ond fillls by plasma CVD, recent progress in diamond research mainly done in the author's laboratory at Osaka University is reviewed.especially on the following topics: "low temperature diallond fabrication", "ion implantation", "hydrogen plasma treatment of ion-implanted diaaond to remove ion-induced damage", "Oxygen diffusion into the bulk assisted by the hydrogen treatllent", and "hole-burning effect".ffect".

센서를 인간의 오감에 비유한다면 가속도센서는 시각, 청각, 촉각, 미각, 후각 중에서 어떤 감각기관인가\ulcorner 먼저 시각을 쉽게 생각할 수 있다. 시각기능은 거리, 위치, 형상에 민감하다. 그러나 이들의 시간에 다른 변화 즉 1차 미분량인 속도에는 어느정도 정성적으로 감응하나 2차 미분량인 가속도는 시각으로 판단하기 어렵다. 활강하는 스키선수나 써커스의 공중곡예가 시각에만 의존한다고 볼 수 없으며 이러한 로봇(robot)을 만든다고 할 때 가속도 센서의 중요성은 상상 할 수 있을 것이다. 움직이는 모든 시스템의 동적특성을 제어하기 위해 정교한 가속도센서는 필수적이다.

NH3-pplasma treatment has been used for ppassivation of native-oxide-contaminated GaAs surface. Ex-situ band-gapp pphotoluminescence(ppL) measurement shows enhanced intensity for the treated surfaces. Auger electron sppectroscoppy(AES) shows that the treated surface contains nitrogen atoms but no arsenic atoms, which leads us to sppeculate that the graded GaN thin layer was formed on the surface. Based on these results, new metal-insulator-GaAs structure is ppropposed.

급속 열처리 시스템내에서의 비정상상태 온도분포, 가스유동형태, 웨이퍼내 열응력등을 여러 가지 작동조건하에서 2차원 유한 차분법으로 계산하였다. 계산결과는 실험에서 얻은 에피성장률 데이터와 비교 검증하였다. RTpp내 가스 유동이나 온도분포는 압력 및 주위 구성요소에 크게 의존하는 반면, 웨이퍼의 온도분포는 wafer edge loss가 큰 고온에서 온도 불균일도가 가장 크다. 저온에서는 대류에 의한 열 손실이 웨이퍼내의 온도 불균일도에 큰 영향을 미치고 있다. 웨이퍼상의 열응력을 가장 크게 받는 시점은 transient condition에서 나타났다.

전자빔증착기를 이용하여 적외선영역에서 직접천이형 에너지갭을 갖는 III-V족 2원화합물반도체인 InSb박막을 제작하여 전기-자기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 증착된 박막의 X-선회절법으로 분석한 결과, 열처리온도 5$25^{\circ}C$, 열처리시간 30분 열처리한 박막에서 In2O3피크가 없어지고, InSb피크만 나타났으며, 이때의 격자상수 a0=6.49$\AA$이었다. 기판온도가 증가할수록 InSb박막의 결정화가 일어나 전자이동도는 증가하고 비저항은 감소하였다. 온도 100~300K, 자계 500~9000 gauss범위에서 van der ppauw법에 의한 홀효과를 측정한 결과 증착된 박막의 전도형은 n형이었고, 상온에서 캐리어농도는 2.5$\times$10-16cm-3이었으며, 캐리어농도는 2.83$\times$104$\textrm{cm}^2$/V-sec이었다. 적외선 분광기로 측정한 InSb박막의 광학적 에너지갭은 기판온도가 증가할수록 InSb의 에너지갭에 해당하는 값으로 이동하였으며, 기판온도 30$0^{\circ}C$, 열처리온도 5$25^{\circ}C$일 때 측정한 값은 0.173eV였다.