이 논문은 PSTN에서 운용되는 화상전화기의 국내표준방식에 관한 연구결과로서, 화상통신 기술 및 선행 사례들을 분석.기술하고 있다. 특히 진폭-위상 변조 방식을 이용한 화상통신 방식 (일본 TTC규격)과 모뎀을 이용한 화상통신 방식을 비교.분석하였으며, 이들을 토대로 적절한 PSTN용 화상전화기 국내표준 방식(안)을 제시하였다.

세계 정보통신산업의 최근 큰 변화가 있었는데, 무역정책측면에서는 미국의 종합무역법확정 및 발효, 지역주의의 확대가 특징적으로 나타났으며 기술개발측면은 신기술 개발촉진, 국제간 생산 이전가속, 지적소유권 문제의 확산, 그리고 국제조직측면으로는 전기통신의 표준화, 신기술의 국제적 표준화, 국제 ISDN서비스 논의의 진전등이 환경변화 요인으로 지적되고 있다. 정보통신산업의 산업별 성장은 전체적으로 1987년이후 증가속도가 둔화되고 있으며, 특히 통신기기와 컴퓨터분야의 성장율이 저하되고 있다. 그러나 부품산업은 IC와 반도체의 수요확대에 힘입어 평균수준을 기록하고 있다. 국가별로 볼때 특징적인 것은 미국, 일본, 유럽 등 주요 선진국들에 비해 한국, 대만 등 신흥 공업국들의 성장속도가 빠르게 진행되고 있으며 시장점유율도 두드러지게 확대되고 있는 것으로 분석되었다.

ONA(Open Network Architecture : 개방형망구조)란 미국의 고도통신서비스사업에 있어 공중통신망사업자와 고도서비스제공자간의 공정한 자유경쟁을 보장하고 통신망 사용의 효율을 높여 전국적으로 저렴한 가격의 균일한 서비스를 개발 및 제공코자 하는 개념에 따라 설정된 개방형 망구조이다. 본고에서는 ONA의 개념, 주요내용 및 문제점등을 살펴본다.

ISDN의 다음 단계로 관심이 집중되고 있는 이동통신의 기술개발에 대해 미국, 유럽, 일본 에서 추진하고 있는 각종 활동에 대해 입수된 자료를 정리, 설명하고 미래의 통신방식으로 필연적으로 실용화 될것으로 예측되는 마이크로셀방식 휴대전화에 대해 해설과 문제점을 제시하였다.

본 연구에서는 초고집적 반도체소자의 제작을 위한 건식 식각장비의 기술동향 분석과 식각공정에 대한 요구조건 추출 및 실제의 공정예를 검토함으로써 submicron급의 초미세형상을 가공하는데 이방성과 저손상의 중요한 특성을 갖는 ECR 플라즈마, 특히 저온의 식각방식이 차세대의 건식 식각장치의 주류가 될 것임을 예측하였다.

ULSI는 대용량화, 고밀도화, 저소비전력화 및 고속 다기능화로 기술발전이 이루어 지고 있다. 기술추세에 의하면 90년 후반에 16MDRAM이 개발될 것으로 보인다. 여기에서 16MDRAM의 예상되는 패키지 형태를 알아본 결과 소비전력 50mW, 칩면적 $120mm^2$에 대응하는 SOJ형이 주로 쓰일것이며 재료로는 세라믹이 유망하다.

인간의 정보교환이나 기록의 매체로써 인간사회에서 중요한 문자는 시간이 경과함에따라 사용량이 비약적으로 증가해 왔으며, 앞으로도 증가 추세는 더욱 가증될 전망이다. 이러한 계속적인 정보의 증가는 활자를 매체로 하는 수용 한계를 넘어, 이미 computer를 활용하지 않으면 안되게 되었다. 특히, 기존의 문서화 되어있는 필요한 많은 data와 나날이 늘어나는 정보의 양을 database화 하여, 원하는 정보를 신속히 찾아내기 위해서는 기존의 key board를 이용하여 사람의 손으로 입력하는 방법보다 신속하고 정확한 입력장치개발이 요구된다. 이러한 data입력장치의 개발이 선행되지 않는다면 computer의 정보처리 속도와 연산속도가 아무리 향상되어도 효율적인 정보처리를 이룩할 수 없을것이다. 그러므로 이러한 것을 실현하기 위해서는 먼저 문자의 인식이 필요불가결하다. 본 논문에서는 문자인식의 현황과 문제점을 제시함으로써 효율적이고 경제적인 문자인식 sysyem 구축에 도움이 되기 바라며 이하 OCR(Optical Character Recognition)의 역사와 발전, 문자인식 방법과 문자인식 system의 구성, On-line 문자인식과 Off-line 문자인식에 관하여 논하고 결론을 맺는다.

현재 세계 각국의 정보사회의 구현에 필수적인 정보기술개발에 총력을 기울이고 있으며, 이러한 노력의 결과 개별적으로 발전하여 오던 정보기술은 최근 급속하게 시스팀기술화되는 추세를 보이고 있다. 그러나 현재까지의 기술개발은 체계적 기술개발이라는 측면에서 살펴보면 다소 미흡한 감이 있었다. 이에 따라 본 고에서는 정보기술의 체계를 현재 사용되고 있는 모형을 중심으로 살펴보고 이에 대한 개선방안을 제시하고자 하였다.

초고속 고밀도 GaAs논리소자 제조에서 내열성게이트를 이용한 자기정렬형 MESFET 기술은 우수한 성과를 보이고 있다. 본 고에서는 GaAs 집적소자에 응용되는 여러가지 내열성재료들의 특징과 문제점을 파악하고 현재까지의 개발현황을 알아보았다. 현재 여러가지 저저항 텅스텐화합물이 집적소자제조에 성공적으로 이용되고 있다. 이들 내열성재료의 특성과 더불어 집적소자제조의 전후공정 및 소자구조는 최종적으로 얻어지는 소자특성을 좌우한다. 따라서 최근까지의 내열성게이트를 이용한 GaAs 공정기술의 개발과정을 정리하고 각 기술의 특징을 분석하였다.