Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2009.06a
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- Pages.75-75
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- 2009
Fabrication of NNO structure NVM and comparison of electrical characteristic
NNO구조의 비활성 메모리 제작과 소자의 전기적 특성 분석
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Lee, Won-Baek
(School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
- Son, Hyuk-Joo (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
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Jung, Sung-Wook
(School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
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Yi, Jun-Sin
(School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University)
- Published : 2009.06.18
Abstract
반도체 및 전자기기 산업에 있어 비활성메모리 (NVM)는 중요한 부운을 차지한다. NVM은 디스플레이 분야에 많은 기여를 하고 있으며, 특히 AMOLED에 적용이 가능하여 온도에 따라 변하는 구동 전류, 휘도, color balance에 따른 문제를 해결하는데 큰 역할을 한다. 본 연구는 NNN 구조에서 터널 층을