In this study, the particle size of Si polycrystals was controlled through wet-sedimentation method, and changes in the capacity and cyclic characteristics of the Si anode material according to the particle size were observed. After wet-sedimentation of Si particles pulverized by a vibration mill, the non-uniform particle distribution of Si was uniformly controlled. The d50 of a sample in which Si was sedimented for 24 hours decreased to 0.50 ㎛. As a result of the electrochemical characteristic analysis, the Rct value representing the resistance in the electrode was significantly reduced due to the decrease in particle size. The unclassified Si sample exhibited a discharge capacity of 2,869 mAh/g in the first cycle, and decreased to 85.7 mAh/g after 100 cycles. The sample in which Si was classified for 24 hours showed a capacity of 3,394 mAh/g initially, and maintained a capacity of 1,726 mAh/g after 100 cycles. As the size of the Si particles decreased, the discharge capacity increased and the cycle life was also increased.
The Fe/MgO catalysts with different Fe loadings (1, 4, 6, 15 and 30 wt% Fe) were prepared by a wet impregnation with iron nitrate as precursor. All of the catalysts were characterized by BET surface analyzer, X-ray diffraction (XRD), temperature-programmed reduction (TPR), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The maximum removal capacity of $H_2S$ was obtained with 15 wt% Fe/MgO catalyst which had the highest BET surface area among the measured catalysts. XRD of Fe/MgO catalysts showed that well dispersed Fe particles could be present on Fe/MgO with Fe loadings below 15 wt%. The crystallites of bulk $\alpha$-$Fe_2O_3$ became evident on 30 wt% Fe/MgO, which were confirmed by XRD. TPR profiles showed that the reducibility of Fe/MgO was strongly related to the loaded amounts of Fe on MgO support. Therefore, the highest removal efficiency of $H_2S$ in wet oxidation could be ascribed to a good dispersion and high reducibility of Fe/MgO catalyst. XPS studies indicated that the $H_2S$ oxidation with Fe/MgO could proceed via the redox mechanism ($Fe^{3+}\;{\leftrightarrow}\;Fe^{2+}$).
In this study, the effects of the various parameters of spinning and drawing processes on the properties of polyester full drawn yarn (FDY) prepared by steam processing during high-speed spinning were investigated using several techniques. The wet shrinkage ratio of the FDY was able to be manipulated by controlling the temperature and draw ratio. The FDY made using the steam high speed spinning technique exhibited identical properties (such as tenacity, elongation, and wet shrinkage ratio) to that of regular FDY, made using the spin-draw process. FDY prepared using the steam process during high-speed spinning showed excellent dyeability. The dye pick-up of the polyester yarn spun at high-speed spinning was found to be improved when dyed under an atmospheric pressure of $100^{\circ}C$. This result was the same as regular FDY dyed under a high pressure of $130^{\circ}C$.
The general objective of the present study was to investigate the potential application of the UV spectroscopic method for determination of the polymeric additives present in papermaking fibrous stock solutions. The study also intended to establish the surface-chemical retention model associated with the adsorption kinetics of additives on fiber surfaces. Polyamide epichlorohydrin (PAE) wet strength resin and imidazolinium quaternary (IZQ) softening agents were selected to evaluate the analytical method. Concentrations of PAE and IZQ in solution were proportional to the UV absorption at 314 and 400 nm, respectively. The time-dependent behavior of polymeric additives obeyed a mono-molecular layer adsorption as characterized in Langmuir-type expression. The kinetic modeling for polymeric adsorption on fiber surfaces was based on a concept that polymeric adsorption on fiber surfaces has two distinguishable stages including initial dynamic adsorption phase and the final near-equilibrium state. The simulation model predicted not only the real-time additive adsorption behavior for polymeric additives at high accuracy once the kinetic parameters were determined, but showed a good agreement with the experimental data. The spectroscopic method examined on the PAE and IZQ adsorption study could potentially be considered as an effective tool for the wet-end retention control as applied to the paper industry.
Sanghoon Song;Junhwan Jeong;Donghyuk Kim;Kiwon Hwang;Sungwook Chung;Wonho Kim
Elastomers and Composites
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v.59
no.1
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pp.8-16
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2024
As regulations on greenhouse gas emission have strengthened globally, the demand for improved fuel efficiency in automobiles continues to rise. In response, the tire industry is actively conducting research to improve fuel efficiency by enhancing tire performance. In this study, silica-filled epoxidized natural rubber (ENR)/butadiene rubber (BR) blend compounds were manufactured according to ENR types and silica contents, and their physical properties and vulcanizate structure were evaluated. ENR-50, which has a higher epoxide content than ENR-25, exhibited stronger filler-rubber interaction, resulting in superior abrasion resistance. In addition, because of its high glass transition temperature (Tg), the wet grip performance of ENR-50 improved, even though the rolling resistance increased. Increasing the amount of silica had little effect on the abrasion resistance due to the increase in filler-rubber interaction and decrease in toughness. In addition, ENR-50 exhibited better wet grip performance; however, the rolling resistance increased. The results indicated that truck bus radial (TBR) tire tread compounds can be designed by applying ENR-50 to improve wear resistance and wet grip performance. In addition, by applying ENR-25 and reducing the silica contents improve fuel efficiency.
The catalytic wet oxidations of the wastewater containing azo dye Reactive Black 5(RB5) with heterogeneous catalyst of CuO have been carried out to investigate the effects of temperature($190{\sim}230^{\circ}C$) and catalyst concentration(0.00~0.20 g/l) on the removals of colour and total organic carbon TOC. The wastewater colour was measured with spectrophotometer, and the oxidation rate was estimated with TOC. About 90% of colour was removed during 120 min in thermal degradation of the RB5 wastewater at $230^{\circ}C$, while TOC was not removed at all. As increasing reaction temperature and catalyst concentration, the removal rates of colour and TOC increased in the catalytic wet oxidations of RB5 wastewater. The effects of catalyst were already considerable even at 0.01 g CuO/l, while the removal rates of colour and TOC increased negligibly with increasing the catalyst concentration above 0.05 g CuO/l. The initial destruction rates of the wastewater colour have shown the first-order kinetics with respect to the wastewater colour. TOC changes during catalytic wet oxidations have been well described with the global model, in which the easily degradable TOC was distinguished from non-degradable TOC of the wastewater. The impacts of reaction temperature on the destruction rate of the wastewater colour and TOC could be described with Arrhenius relationship. Activation energies of the colour removal reaction in thermal degradation, wet oxidation, and catalytic wet oxidation(0.20 g CuO/l) of the RB5 wastewater were 108.4, 78.3 and 74.1 kJ/mol, respectively. The selectivity of wastewater TOC into the non-degradable intermediates relative to the end products in the catalytic wet oxidations of RB5 wastewater was higher compared to that in phenol wet oxidations.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2010.06a
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pp.363-363
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2010
After oxide wet etch with BOE(Buffered Oxide Etchant), triangle type defect maps were inspected and SEM image showed them unetch of oxide layer. As decreasing design rule, oxide unetch has become a crucial issue and has affected the yield and quality.
Park, Jae Hwa;Hong, Yoon Pyo;Park, Cheol Woo;Kim, Hyun Mi;Oh, Dong Keun;Choi, Bong Geun;Lee, Seong Kuk;Shim, Kwang Bo
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.24
no.4
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pp.135-139
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2014
The hydride vapor phase epitaxy (HVPE) grown GaN samples to precisely measure the surface characteristics was applied to a molten KOH/NaOH wet chemical etching. The etching rate by molten KOH/NaOH wet chemical etching method was slower than that by conventional etching methods, such as phosphoric and sulfuric acid etching, which may be due to the formation of insoluble coating layer. Therefore, the molten KOH/NaOH wet chemical etching is a better efficient method for the evaluation of etch pits density. The grown GaN single crystals were characterized by using X-ray diffraction (XRD) and X-ray rocking curve (XRC). The etching characteristics and surface morphologies were studied by scanning electron microscopy (SEM). From etching results, the optimum etching condition that the etch pits were well independently separated in space and clearly showed their shape, was $410^{\circ}C$ and 25 min. The etch pits density obtained by molten KOH/NaOH wet chemical etching under optimum etching condition was around $2.45{\times}10^6cm^{-2}$, which is commercially an available materials.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.8
no.2
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pp.249-254
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1998
The etching experiments for n-GaN were done using the wet chemical, photo-enhanced-chemical and electro-chemical etching methods. The experimental results show that n-GaN is etched is diluted NaOH solution at room temperature and the removed thickness of n-GaN is linearly increased with etching times. The etching rate of the photo-enhanced-chemical and electro-chemical etching methods are several times higher than that of the wet chemical method. The maximum etching rate of n-GaN with $n{\fallingdotseq}1{\times}10^{19}cm^{-3}$ was 164 $\AA$/min under the experimental condition of the Photo-enhanced-chemical etching. The etching rates of n-GaN are very much dependant on the electron concentrations of the samples. The pattern is $100{\mu}m{\times}100{\mu}m$ rectangulars covered with $SiO_2$film. It is shown that the etched side-wall charactistics of the pattern is vertical without dependance of the n-GaN orientations, and the smoothness of etched n-GaN surface is fairly flat.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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