• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제15권2호
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• pp.23-28
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• 2008

최적 소자구조에 의한 고분자 발광다이오드의 외부 양자효율 향상을 위해 스핀코팅 방법으로 ITO/EDOT:PSS/(PFO)/PFO:MEH-PPV/LiF/Al 구조의 발광소자를 제작하고 전기, 광학적 특성을 조사하였다. ITO(indium tin oxide) 투명전극을 양극으로 사용하고 정공수송층으로 PEDOT:PSS[poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)]를 사용하였으며, 발광물질로는 PFO[poly(9,9-dioctyl-fluorene)]와 MEH-PPV [poly(2-methoxy-5(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinyle)]를 각각 호스트와 도펀트로 사용하였다. PFO:MEH-PPV 발광층의 두께를 약 $400{\AA}$으로 형성하였고, MEH-PPV의 농도는 9wt%로 고정하여 도핑하였다. PFO 발광층의 두께를 $200{\sim}300{\AA}$의 범위로 변화시켜 전계발광 특성을 비교 해 본 결과, 두께가 약 $250{\AA}$ 부근에서 가장 우수한 광학적 특성이 관찰되었으며, 13V의 인가전압에서 각각 약 $400mA/cm^2$의 전류밀도와 $1500cd/m^2$의 휘도가 관찰되었다 또한 PFO 발광층을 2중으로 구성한 소자(PFO/PFO:MEH-PPV)가 단일 발광층을 갖는 소자 (PFO:MEH-PPV)에 비해 발광휘도 및 전류 효율에서 약 3배의 향상된 특성을 보여주었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2010년도 춘계학술발표대회
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• pp.53.2-53.2
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• 2010

지금까지 능동 구동 디스플레이의 TFT backplane에 사용하고 있는 채널 물질로는 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)과 저온 폴리실리콘(low temperature poly-Si)이 대표적이다. 수소화된 비정질 실리콘은 TFT-LCD 제조에 주로 사용되는 물질로 제조 공정이 비교적 간단하고 안정적이며, 생산 비용이 낮고, 소자 간 특성이 균일하여 대면적 디스플레이 제조에 유리하다. 그러나 a-Si:H TFT의 이동도(mobility)가 1 cm2/Vs이하로 낮아 Full HD 이상의 대화면, 고해상도, 고속 동작을 요구하는 UD(ultra definition)급 디스플레이를 개발하는데 있어 한계 상황에 다다르고 있다. 또한 광 누설 전류(photo leakage current)의 발생을 억제하기 위해서 화소의 개구율(aperture ratio)을 감소시켜야하므로 패널의 투과율이 저하되고, 게이트 전극에 지속적으로 바이어스를 인가 시 TFT의 문턱전압(threshold voltage)이 열화되는 문제점을 가지고 있다. 문제점을 극복하기 위한 대안으로 근래 투명 산화물 반도체(transparent oxide semiconductor)가 많은 관심을 얻고 있다. 투명 산화물 반도체는 3 eV 이상의 높은 밴드갭(band-gap)을 가지고 있어 광 흡수도가 낮아 투명하고, 광 누설 전류의 영향이 작아 화소 설계시 유리하다. 최근 다양한 조성의 산화물 반도체들이 TFT 채널 층으로의 적용을 목적으로 활발하게 연구되고 있으며 ZnO, SnO2, In2O3, IGO(indium-gallium oxide), a-ZTO(amorphous zinc-tin-oxide), a-IZO (amorphous indium-zinc oxide), a-IGZO(amorphous indium-galliumzinc oxide) 등이 그 예이다. 이들은 상온 또는 $200^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도에서 PLD(pulsed laser deposition)나 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리적 기상 증착법(physical vapor deposition)으로 손쉽게 증착이 가능하다. 특히 이중에서도 a-IGZO는 비정질임에도 불구하고 이동도가 $10\;cm2/V{\cdot}s$ 정도로 a-Si:H에 비해 월등히 높은 이동도를 나타낸다. 이와 같이 a-IGZO는 비정질이 가지는 균일한 특성과 양호한 이동도로 인하여 대화면, 고속, 고화질의 평판 디스플레이용 TFT 제작에 적합하고, 뿐만 아니라 공정 온도가 낮은 장점으로 인해 플렉시블 디스플레이(flexible display)의 backplane 소재로서도 연구되고 있다. 본 실험에서는 rf sputtering을 이용하여 증착한 a-IGZO 박막에 대하여 열처리 조건 변화에 따른 a-IGZO 박막들의 광학적, 전기적 특성변화를 살펴보았고, 이와 더불어 a-IGZO 박막을 TFT에 적용하여 소자의 특성을 분석함으로써, 열처리에 따른 Transfer Curve에서의 우리가 요구하는 Threshold Voltage(Vth)의 변화를 관찰하였다.

• 한국식품영양과학회지
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• 제41권3호
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• pp.418-429
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• 2012

현재 시장에서 유통되고 있는 떡 포장은 플라스틱 재료가 주로 사용하며 랩핑 포장 방법을 많이 사용하고 있다. 현재 시장에서 판매되는 떡들은 당일 생산 및 당일 소비(2일내 소비)를 하는 제품으로 포장을 중요성을 많이 고려하고 있지 않지만, 최근 유통기한이 늘어난 떡 제품의 상품화를 위해서 떡 포장의 개발에 관심이 높아지고 있다. 떡의 상품화 증대를 위하여 수도권 지역 소비자 대상 중심으로 포장 개선에 대한 기호도 조사에서 절취선을 손으로 개봉하는 개봉방법, 2~3개의 파티션(홈)이 존재하는 내부 디자인, 제품을 낱개 포장한 포장, 포장에 직접 인쇄하는 인쇄방법, 내용물의 상태가 완전히 보일 수 있는 포장방법을 선호하는 것으로 파악되었다. 본 연구는 국내 떡 제품에 대한 상품성 부여를 위하여 현재 소비자가 떡 제품 포장의 선호하는 트랜드 분석과 포장의 중요성이 인지되고 있다는 점에서 큰 의미를 부여할 수 있다. 따라서 본 연구에서 고려한 국내 주요 떡 제품 포장에 따른 소비자 구입 선호도를 조사 연구를 기반으로 다양한 떡 종류 및 형태에 따른 포장 소비 선호도 그리고 각 포장 방법 변경에 따른 상품화 가능성 및 가격 변화 요인을 고려한 연구가 향후 필요할 것으로 판단된다. 조사 연구 결과로 제시한 떡 포장 설계 구조의 적용과 함께 떡의 품질 개선을 위한 기능성 포장재 적용 연구 및 최적 제품 환경을 조성하는 포장 기법 연구 등을 통하여 떡 제품의 부가가치를 향상 시킬 수 있으리라 기대해 본다.

• 한국자원식물학회지
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• 제20권4호
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• pp.331-335
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• 2007

본 시험은 최근에 경북 북부지역을 중심으로 면적이 증가하고 있는 강활재배에서 노두로 번식되고 있는 북강활을 중심으로 피복재료에 따른 추대반응과 생육특성을 분석하여 재배기술 체계를 확립코자 수행한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 토양 피복재료별 오전 10시의 지온은 무피복구에 비해 흑색P.E피복구와 투명P.E피복구가 각각 0.5, $2.9^{\circ}C$ 높았고, 오후 2시의 지온은 각각 0.8, $4.8^{\circ}C$ 높았으며, 볏짚피복구는 무피복구에 비해 지온이 낮았다. 2. 추대율은 무피복구 및 볏짚피복구에 비해 투명P.E피복구와 흑색P.E피복구구는 각각 11.4, 13.6%로 유의하게 높았고, 개화기는 투명P.E피복구와 무피복구에서 빨랐으며, 화경장과 화경수는 피복재료에 따른 차이가 없었다. 3. 근생엽장은 흑색P.E피복구가 가장 길었고 다음이 투명P.E피복구이며, 엽수 및 노두수는 흑색P.E피복구에서 가장 많았다. 지하부의 건근수량은 흑색P.E피복구에서 가장 높았고 다음이 투명P.E피복구이며 벗짚피복구과 무피복구가 가장 낮았다. 토양 피복재료별 잡초발생은 무피복구와 투명P.E피복구에서 많았고, 흑색P.E피복구에서 가장 적었다. 강활재배에 있어서 흑색P.E피복이 추대율을 다소 증가시키는 반면 잡초방제와 수량 증대에 가장 효과가 있는 것으로 나타났다.

• 한국진공학회지
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• 제19권3호
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• pp.224-229
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• 2010

산소 유량비의 변화가 라디오파 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법으로 유리 기판 위에 증착된 $In_2O_3$ 투명 전도막의 특성에 미치는 효과를 조사하였다. 증착 온도는 $400^{\circ}C$로 고정하였으며, 스퍼터링 가스와 반응성 가스로 각각 아르곤과 산소 가스를 사용하였다. 산소 유량비는 공급되는 혼합 가스양에 대한 산소의 유량으로 선택하여 10%, 20%, 30%, 40%, 50%로 조절하였다. 증착된 박막의 광학, 전기, 구조적인 특성은 자외선-가시광 분광기, 홀 측정 장치, X-선 회절장치와 전자주사현미경으로 조사하였다. 산소 유량비 20%로 증착된 $In_2O_3$ 박막은 430~1,100 nm 파장 영역에서 86%의 투과율과 $1.1{\times}10^{-1}{\Omega}cm$의 비저항 값을 나타내었다. 실험 결과는 산소 유량비를 적절히 제어함으로써 최적의 조건을 갖는 투명 전도막을 성장시킬 수 있음을 제시한다.

• 한국식품저장유통학회지
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• 제22권5호
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• pp.623-628
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• 2015

절단 배추의 포장재에 따른 저장 중 품질변화를 알아보기 위해 배추($3{\times}3cm$)를 PP film, OPP film, LDPE film백에 각각 넣은 후 $5^{\circ}C$에서 4주 동안 저장하면서 저장 특성을 조사하였다. 중량은 0.03~0.24%의 범위로 감소하였으며, PP film 포장구가 가장 낮은 감소율을 보였다. 가용성 고형분 함량은 $0.03{\sim}0.2^{\circ}Brix$의 범위로 감소하였으며, PP film 포장구가 낮은 감소율을 보였다. 적정산도는 모든 처리구에서 증가하다가 감소하는 경향을 나타냈으나, PP film과 OPP film 포장구의 증가율이 낮았다. 색도값은 저장기간이 길어질수록 전체적으로 감소하였으나, 포장재에 따른 유의적인 차이는 나타나지 않았다. 관능검사 결과 역시 포장재에 따른 유의적인 차이가 나타나지 않았으나, 외관상 품질특성은 PP film 포장구가 다른 포장보다 우수하였다. 따라서 투명한 PP film으로 절단배추를 포장하여 저장 및 유통하는 것이 선도 및 품질 유지에 효과적이라고 사료된다.

• 한국재료학회지
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• 제11권3호
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• pp.178-184
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• 2001

rf-마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 높은 광투과성을 지니며 c-축 배향된 KLN 박막을 제작하였다. 하소 및 소결 과정을 거쳐서 균일하고 안정한 상태의 KLN 타겟을 제조하였다. KLN 타겟은 화학량론적인 조성 및 K가 30%, 60%, 그리고 Li가 각각 15%, 30% 과량된 조성을 사용하였으며 K와 Li의 휘발을 방지하기 위하여 낮은 온도에서 소결시켰다. 제조된 타겟을 사용하여 rf-magnetron sputtering 방법으로 박막을 제조하였으며, 이때 K가 60% Li가 30% 과량된 타겟으로 제조할 때 단일상의 KLN 박막을 얻을 수 있었다. KLN 박막은 코닝 1737 기판 위에서 우수한 결정성과 높은 c-축 배향성을 나타내었으며, 이때 박막의 성장조건은 고주파 전력 100 W, 공정 압력 150 mTorr, 기판 온도 58$0^{\circ}C$였다. 가시광 영역에서 박막의 투과율은 약 90% 이고, 흡수는 333 nm에서 발생하였으며 632.8 nm에서 박막의 굴절율은 1.93이었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제31권4호
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• pp.154-158
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• 2021

550 nm 파장대에서 O₂/Ar+O₂ 혼합기체 농도비가 0에서 7.9 %로 변화 시 Mn 도핑된 SnO₂ 투명전도막의 투과율은 80.9에서 85.4 %로 밴드갭 에너지는 3.0에서 3.6 eV로 증가하였다. 비저항은 O₂/Ar+O₂ 혼합기체 농도비가 0에서 2.7 %까지 증가 시 3.21 Ω·cm에서 0.03 Ω·cm으로 감소하다 이후 7.9 %로 증가 시에는, 52.0 Ω·cm으로 급격하게 상승하였다. XPS 분석결과 혼합기체 O₂/Ar+O₂에서 O₂ 농도의 증가로 Sn_3d5/2의 결합에너지가 486.40에서 486.58 eV로, O_1s의 결합에너지도 530.20에서 530.34 eV로 조금 변화하였다. 따라서 스파터링 방법으로 제조한 Mn 도핑된 SnO₂ 투명전도막에서 O₂ 농도변화에 따라 SnO와 SnO₂ 2개의 상이 공존하는 것을 확인하였다.

• 대한금속재료학회지
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• 제48권5호
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• pp.456-461
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• 2010

We investigated the In-based ohmic contacts on Nitrogen-face (N-face) n-type GaN, as well as Ga-face n-type GaN, for InGaN-based vertical Light Emitting Diodes (LEDs). For this purpose, we fabricated Circular Transfer Length Method (CTLM) patterns on the N-face n-GaN that were prepared by using a laser-lift off method, as well as on the Ga-face n-GaN that were prepared by using a dry etching method. Then, In/transparent conducting oxide (TCO) and In/TiW schemes were deposited on the CTLM in order for low resistance ohmic contacts to form. The In/TCO scheme on the Ga-face n-GaN showed high specific contact resistance, while the minimum specific contact resistance was only 3${\times}$10$^{-2}$ $\Omega$-cm$^{2}$ after annealing at 300${^{\circ}C}$, which can be attributed to the high sheet resistance of the TCO layer. In contrast, the In/TiW scheme on the Ga-face n-GaN produced low specific contact resistance of 2.1${\times}$10$^{5}$ $\Omega$-cm$^{2}$ after annealing at 500${^{\circ}C}$ for 1 min. In addition, the In/TiW scheme on the N-face n-GaN also resulted in a low specific contact resistance of 2.2${\times}$10$^{-4}$ $\Omega$-cm$^{2}$ after annealing at 300${^{\circ}C}$. These results suggest that both the Ga-face n-GaN and N-face n-GaN.

• 보존과학회지
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• 제37권2호
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• pp.77-89
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• 2021

이 연구에서는 울산의 원삼국시대 장현동과 중산동 및 교동리 유적에서 출토된 흑색토기에 대하여 태토의 재료학적 특성과 제작기술을 검토하였다. 흑색토기의 표면은 흑색이지만 속심은 흑색 또는 적황색을 보인다. 현미경 관찰 결과, 태토는 붉은색 철산화물이 풍부한 토양을 사용하였으며 주로 석영과 알칼리 장석 및 운모류가 동정되었고, 부분적으로 미르메카이트 조직의 입자가 관찰된다. 또한 SiO₂와 Fe₂O₃ 및 CaO 함량에서 다소 차이가 있는 것으로 보아, 각 유적지 주변에 분포하는 모암과 태토의 조성이 영향을 준 것으로 판단되며 근거리에서 채토하여 토기를 제작한 것으로 보인다. 라만분광분석 결과, 이 토기의 흑색층에는 비정질 탄소인 연매가 사용되었다. 표면층과 접하는 기질에서는 투명한 갈색의 칠이 관찰되었고 탄소가 농집된 것으로 보아, 흑색층은 연매와 옻을 칠하여 흑색발색을 유도한 것으로 해석된다. 태토의 광물조성과 미세조직으로 볼 때 이 토기의 소성온도는 750~850℃의 범위로 추정되며, 칠은 468℃에서 열분해되었다. 따라서 흑색을 이루는 연매와 칠의 혼합층은 소지의 소성 이후에 칠해진 것으로 판단된다.