Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.543-543
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2013
Thin-film transistors (TFTs) based on oxide semiconductors have been regarded as promising alternatives for conventional amorphous and polycrystalline silicon TFTs. Oxide TFTs have several advantages, such as low temperature processing, transparency and high field-effect mobility. Lots of oxide semiconductors for example ZnO, SnO2, In2O3, InZnO, ZnSnO, and InGaZnO etc. have been researched. Particularly, zinc-tin oxide (ZTO) is suitable for channel layer of oxide TFTs having a high mobility that Sn in ZTO can improve the carrier transport by overlapping orbital. However, some issues related to the ZTO TFT electrical performance still remain to be resolved, such as obtaining good electrical contact between source/drain (S/D) electrodes and active channel layer. In this study, the bottom-gate type ZTO TFTs with staggered structure were prepared. Thin films of ZTO (40 nm thick) were deposited by DC magnetron sputtering and performed at room temperature in an Ar atmosphere with an oxygen partial pressure of 10%. After annealing the thin films of ZTO at $400^{\circ}C$ or an hour, Cu, Mo, ITO and Ti electrodes were used for the S/D electrodes. Cu, Mo, ITO and Ti (200 nm thick) were also deposited by DC magnetron sputtering at room temperature. The channel layer and S/D electrodes were defined using a lift-off process which resulted in a fixed width W of 100 ${\mu}m$ and channel length L varied from 10 to 50 ${\mu}m$. The TFT source/drain series resistance, the intrinsic mobility (${\mu}i$), and intrinsic threshold voltage (Vi) were extracted by transmission line method (TLM) using a series of TFTs with different channel lengths. And the performances of ZTO TFTs were measured by using HP 4145B semiconductor analyzer. The results showed that the Cu S/D electrodes had a high intrinsic field effect mobility and a low effective contact resistance compared to other electrodes such as Mo, ITO and Ti.
Kim, Hyun-Soo;Jang, Ho-Won;Kang, Jong-Yoon;Kim, Jin-Sang;Yoon, Suk-Jin;Kim, Chang-Kyo
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.7
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pp.563-568
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2012
Indium tin oxide (ITO) films were prepared using radio frequency (RF) magnetron sputtering method, magnets were equipped near the target in the sputter to bring the plasma near the target. The effect of magnetic field that brings the plasma near the substrate was compared with that of substrate heating. The effect of substrate heating on the grain size of the ITO thin film was larger than that of the magnetic field. However, the grain size of the ITO thin film was larger when the magnetic field was applied near the substrate during the sputtering process than when the substrate was not heated and the magnetic field was not applied. If stronger magnetic field is applied near the substrate during sputtering, it can be expected that the ITO thin film with good electrical conductivity and high transparency is obtained at low substrate temperature. When magnetic field of 90 Gauss was applied near the substrate during sputtering, the mobility of the ITO thin film increased from 15.2 $cm^2/V.s$ to 23.3 $cm^2/V.s$, whereas the sheet resistivity decreased from 7.68 ${\Omega}{\cdot}cm$ to 5.11 ${\Omega}{\cdot}cm$.
Kim, Dong-Hun;Cho, Nam-Gyu;Chang, Young-Eun;Kim, Ho-Gi;Kim, Il-Doo
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.40-40
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2008
$InGaZnO_4$ based thin film transistors (TFTs) are of interest for large area and low cost electronics. The TFTs have strong potential for application in flat panel displays and portable electronics due to their high field effect mobility, high on/off current ratios, and high optical transparency. The application of such room temperature processed transistors, however, is often limited by the operation voltage and long-tenn stability. Therefore, attaining an optimum thickness is necessary. We investigated the thickness dependence of a room temperature grown $MgO_{0.3}BST_{0.7}$ composite gate dielectric and an $InGaZnO_4$ (IGZO) active semiconductor on the electrical characteristics of thin film transistors fabricated on a polyethylene terephthalate (PET) substrate. The TFT characteristics were changed markedly with variation of the gate dielectric and semiconductor thickness. The optimum gate dielectric and active semiconductor thickness were 300 nm and 30 nm, respectively. The TFT showed low operating voltage of less than 4 V, field effect mobility of 21.34 cm2/$V{\cdot}s$, an on/off ratio of $8.27\times10^6$, threshold voltage of 2.2 V, and a subthreshold swing of 0.42 V/dec.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.22
no.3
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pp.262-268
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2009
We investigated the properties of inorganic diatomic films like silicon oxide ($SiO_2$) and zinc oxide (ZnO) and their composite films are packed as a passivation layer around Ca cells on glass substrates by using an electron-beam evaporation technique and rf-magnetron sputtering method. When these Ca cells are exposed to an ambient atmosphere, the water vapor penetrating through the passivation layers is adsorbed in the Ca cells, resulting in a gradual progress of transparency in the Ca cells, which can be represented by changes of the optical transmittance in the visible range. Compared with the saturation times for the Ca cells to become completely transparent in the atmosphere, the protection effects against permeation of water vapor are estimated for various passivation films. The thin composite films consist of$SiO_2$ and ZnO are found to show a superior protection effect from water vapor permeation compared with diatomic inorganic films like $SiO_2$ and ZnO. Also, this inorganic thin composite films are also found that their protection effect against permeation of water vapor can be significantly enhanced by choosing their suitable composition ratio and deposition method, in addition, the main factors affecting the permeation of water vapor through the oxide films are found to be the polarizability and the packing density.
Kim, Yeon-Sang;Park, Si-Yun;Kim, Gyeong-Jun;Im, Geon-Hui
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.187-187
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2012
Solution-processed metal-alloy oxides such as indium zinc oxide (IZO), indium gallium zinc oxide (IGZO) has been extensively researched due to their high electron mobility, environmental stability, optical transparency, and solution-processibility. In spite of their excellent material properties, however, there remains a challenging problem for utilizing IZO or IGZO in electronic devices: the supply shortage of indium (In). The cost of indium is high, what is more, indium is becoming more expensive and scarce and thus strategically important. Therefore, developing an alternative route to improve carrier mobility of solution-processable ZnO is critical and essential. Here, we introduce a simple route to achieve high-performance and low-temperature solution-processed ZnO thin film transistors (TFTs) by employing alkali-metal doping such as Li, Na, K or Rb. Li-doped ZnO TFTs exhibited excellent device performance with a field-effect mobility of $7.3cm^2{\cdot}V-1{\cdot}s-1$ and an on/off current ratio of more than 107. Also, in case of higher drain voltage operation (VD=60V), the field effect mobility increased up to $11.45cm^2{\cdot}V-1{\cdot}s-1$. These all alkali metal doped ZnO TFTs were fabricated at maximum process temperature as low as $300^{\circ}C$. Moreover, low-voltage operating ZnO TFTs was fabricated with the ion gel gate dielectrics. The ultra high capacitance of the ion gel gate dielectrics allowed high on-current operation at low voltage. These devices also showed excellent operational stability.
This study aims to explore how the transformational leadership (consisting of three factors"charisma, individualized consideration, and intellectual stimulation) and the organizational culture (typified by developmental, rational, consensual, and hierarchical culture) are related to the organizational effectiveness (consisting of job satisfaction, organizational commitment, and intention to leave a job) of dental clinics. We found the following empirical results through a survey of 378 persons who work in dental clinics. Firstly, the respondents acknowledged charismatic leadership as the typical type of leadership ; as for organizational culture, a culture of consensus is recognized as the representative type. Secondly, transformational leadership has different effects according to the type of organizational culture: a positive influence in developmental and rational cultures, but a negative influence in consensual and hierarchical cultures. Thirdly, developmental culture has proven to be the most suitable for increasing job satisfaction and organizational commitment. The developmental, rational, and consensual cultures have all contributed to reducing intention to leave among clinic staff, whereas in the hierarchical culture, intention has been elevated. Fourthly, transformational leadership has a positive effect on the job satisfaction and organizational commitment; the intent to leave has been lessened under individualized consideration and charismatic leadership, but has been increased under leadership of intellectual stimulation. Fifthly, it is consideration and charisma that help to increase organizational effectiveness. These influences will become more effective through a developmental culture. Based on the above empirical results, we propose practical measures to improve the organizational effectiveness of clinics, in particular dental clinics. In order to build developmental culture, the doctor (manager) should produce an atmosphere in the clinic in which staff members are able to create and jointly own ideas and then promote awareness of staff participation. Additionally, in order to bring leadership of charisma and consideration into full play, the doctor should shape a relationship of mutual trust mainly by recognizing and praising the work of clinic staff. Finally, the doctor needs to acknowledge that organizational effectiveness can be significantly improved by increasing the transparency of the business.
The purpose of this study was to investigate the effect of project selection procedures such as information provision and transparency and project application conditions such as required documents and conditions on the satisfaction of agricultural subsidy support policy and re-application intention to support pig farmers in Jeju. The results of analysis are summarized as follows. First Need to improve the satisfaction of the business selection procedure rather than to relax the business application conditions in order to improve the satisfaction of the subsidy support business. Second, Need to improve the satisfaction of the business selection procedure rather than to relax the business application conditions in order to increase the subsidy re-application intention through the income increase effect by the subsidy support project. It is shown that the efforts to improve the satisfaction of the selection process can improve the satisfaction of the subsidy support project as well as re-application intention at the same time. Therefore, It is necessary to focus on improving the satisfaction of the project selection process, such as providing information and reflecting opinions on the subsidy project.
Recent studies focus on the role of investor attention and transparency in stock-related information in explaining stock return and trading volume. Moreover, recent literatures predict that firm opacity will increase the likelihood of future stock price crashes. In this paper, we investigate, using Naver Trend, the relation between portal search intensity and stock price crash. Using various alternative measures of stock price crash risk and search intensity, we demonstrate that stocks with larger volume of portal search are less likely to experience stock price crashes. These results are consistent with our hypothesis that accumulated firm opacity cause future stock price crash. Finally, our results still hold even after we control for the potential effect of endogeneity in the regression specifications.
Kim, Ki Hwan;Putri, Maryane;Koo, Chang Young;Lee, Jung-A;Kim, Jeong-Joo;Lee, Hee Young
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.26
no.8
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pp.591-596
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2013
Indium Zinc Tin Oxide (IZTO) thin films were developed as an alternative to Indium Tin Oxide (ITO) thin films. ITO material which has been acknowledged with its low resistivity and optical transparency of 85-90% has been used as major transparent conducting oxide (TCO) materials. However, due to the limited source, high price, and instability problems at high temperature of indium, many researches has been focused on indium-saving TCO materials. Mason Group of Northwestern University was reported to expand the solubility limit up to 40% by co-doping with 1:1 ratio of $Zn^{+2}$ and $Sn^{+4}$ ions. In this study, the properties of IZTO thin films corresponding to Zn/Sn different ratio were investigated. In addition, the effect of substrate temperature variable to the structural, optical and electrical properties of IZTO thin films was investigated.
Based on the analysis of domestic and international cases of green remodeling design for old buildings using solar cells, which have been in the spotlight around the world since the Paris Agreement on Climate Change, this study wanted to confirm the positive aspects and implications of the future green remodeling design proposal using solar cells. As a method of research, theoretical consideration was conducted based on literature research, and cases of green remodeling design using solar cells at home and abroad were investigated and analyzed. As a result, the ease of construction through flexible features, aesthetic effect through transparency and color adjustment of thin film cells, economic effect of less waste of materials through free size production, and harmonious aspect with the building through direct attachment of exterior were identified. Based on this, it is expected to present the expected effects of using thin-film solar cells for green remodeling designs, and to be used as a reference for the future design proposal for green remodeling of old buildings using solar cells.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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