MgO 박막은 성장용 기판 또는 완충층으로 이용되고 있으며, 근래에는 AC PDP의 유전체 보호막으로써 그 활용도가 넓어지고 있다. 본 연구에서는 전자빔증착법에 의해 MgO 박막을 증착시켜 증착변수에 따른 MgO 박막의 성장특성을 연구하였다. 실험은 증착기판, 증착속도, 기판온도 등의 변화에 따른 MgO 박막의 우선배향성, 표면형상을 통하여 MgO 박막의 물성을 알아보았다. 실험결과, Si 기판에서는 증착속도가 빠를수록 (111)우선배향된 박막을 얻을 수 있었고, 기판온도가 상온일때는 (200)에서 기판온도가 증가할수록 (220)의 peak이 관찰되었다. 비정질인 slide galss 기판일 경우에는 상온에서 MgO 박막의 (200)면의 우선배향을 얻을수 있었고, 온도에 의해 배향성이 (200)면에서 (111)면으로 바뀌는 것을 알 수 있었다. 또한 MgO 박막의 배향성과 특성에 대한 관계를 조사하였다.
The composition and the properred orientation of Co-Fe-Cr alloy electrodeposits were invesigated according to the electrolysis conditions using sulface bath. The current efficiency and the cathode overpotential decrased noticeably with the increase of Cr content in the bath. As the D.C. current density increased increased, the Cr content in the alloy increasd, while Co content decreased and Fe content remained constant, In the pulse current electrolysis, the Cr content of the alloy increased with the mean current density and off-time and then its content increased mord more noticeably with the peak current density than that of D.C. electrolysis. The preferred orientation of the alloy changed from (220)+(111) to (220) with decreasing cathode overpotential.
Both the X-ray diffraction data of the normal direction in the sample orientation and the pole figure data of three reflections, (111), (200) and (220), were used to do the Rietveld refinement for the copper sheet prepared by a cold rolling process. The agreement between calculated and observed patterns was not satisfactory, which was attributed to the preferred orientation effect of the copper sheet. The Rietveld refinement for the copper sheet could be done successfully by applying the pole density of each reflection obtained from the corresponding inverse pole figure to the X-ray diffraction data of the normal direction. The R-weighted pattern, $R_{wp}$ was 12.99% and the goodness-of-fit indicator, S, was 3.68.
Titanium Nitride (TiN) was deposited onto the SKH9 tool steels by chemical vapor deposition (CVD) using a gaseous mixture of TiCl4, N2, and H2. The effects of the deposition temperature and input gas composition on the deposition rate, microstructure, preferred orientation, microhardness and wear resistance of TiN deposits were studied. The experimental results showed that the TiN deposition is thermally activated process with an apparent activation energy of about 27Kcal/mole in the temperature range between 1200$^{\circ}$K and 1400$^{\circ}$K. As H2/N2 gas input ratio increased, the deposition rate increased, showed maximum at H2/N2 gas input ratio of 1.5 and then decreased. Mechanical properties such as microhardness and wear resistance have close relation with the microstructure and preferred orientation of TiN deposits. It is suggested that the equiaxed structure with random orientation increases the microhardness and wear resistance of TiN deposits.
In order to investigate the influence of gas pressure in PVD deposition conditions, aluminum films were prepared by vacuum evaporation and ion plating. The crystal orientation and morphology of the films affected by argon gas pressures were characterized by using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron micrography (SEM) respectively. With the increasing of argon gas pressure, the preferred orientation of aluminum films exhibited (200) and the diffraction peaks of the films became less sharp and broadened. Film's morphology changed from columnar structure to granular structure with the increase of gas pressure. And the properties of these films on corrosion behaviors were estimated by measuring anodic polarization curves in deaerated 3% NaCl solution. The aluminum films which exhibited granular structure with (200) preferred orientation showed good corrosion resistance.
The crystallographic orientations of $Ba_{0.6}$S $r_{0.4}$Ti $O_3$(BST) thin film deposited by a metal-organic chemical vapor deposition on (111) textured Pt electrode were studied with a transmission electron microscopy. The fully crystallized BST thin film (50nm) has (100) and (110) preferred orientations. A high resolution transmission electron microscopy study has revealed the crystallographic orientation relationships between BST thin film and Pt electrode. These relationships explained the preferred orientation of BST film on (111) textured Pt electrode. With these results, we could represent the atomic arrangement at the BST/Pt interface.e.e.
화상회의 시스템 사용자 증가 및 기술 발전으로 인해, 화상회의 사용맥락과 화상회의 인터페이스 레이아웃이 다양해졌다. 사회불안은 화상회의 소통상황에도 영향을 주는데, 대면소통과 구별되는 요소인 비디오 피드백과 밀접한 관련성이 있는 것으로 나타났다. 비디오 피드백은 상대방에게 보이는 본인의 모습을 화상회의 시스템 인터페이스에 표시해주는 기능이다. 비디오 피드백은 업무 성과를 저해하고 피로감을 유발하는 것으로 알려졌으나, 화상회의 시스템에서 기본 기능으로 설정되어 있고 사용자들에게 보편적으로 선호된다. 본 연구는 과업지향정도, 비디오 피드백 화면크기, 사회불안이 비디오 피드백 선호도에 미치는 영향을 보기 위해 실시되었다. 연구는 온라인 설문으로 진행되었고, 설문 참가자는 화상회의 중 과업지향정도, 사회불안수준, 선호하는 비디오 피드백 화면크기, 비디오 피드백 기능 선호도를 평가하는 문항에 응답하였다. 연구 결과, 비디오 피드백 화면크기는 과업지향정도와 비디오 피드백 선호도를 매개하는 것으로 나타났다. 구체적으로 과업지향정도가 높을수록 작은 비디오 피드백 화면크기를 선호하였고, 이는 비디오 피드백 선호도 감소로 이어졌다. 한편, 사회불안수준에 따른 비디오 피드백 화면크기의 매개효과 차이는 유의미하지 않았다. 이러한 결과는 사용자와 화상회의 시스템의 상호작용에 대한 이해에 도움을 주어 화상회의 시스템 디자인에 활용될 수 있는 정보를 제공한다.
강한 방향성이 있는 다결정에 의한 중성자회절강도에 대한 재래의 공식을 결정의 반사율에 관한 Kunitomi 의식을 사용하여 수정하였다. 시료내의 grain 에서 회절이 일어나는 정화한 위치가 회절강도의 Maxwell곡선의 소각부분에 관한 이론치와 계산치를 비교함으로써 발견된다는 사실과 위의 회절강도 공식을 사용하여 금속내의 Preferred orientation을 백색중성자를 가지고 조사한 수 있는 방법을 고안하였다. 결정 내에서 일어나는 중성자비 다중반사와 흡수에 대해서 교정하여 원자로의 중성자 스펙트럼을 측정함으로써 열중성자의 확실성있는 파장이 1.025$\pm$0.001$\AA$임을 알았다. 대부분 cube-on-face 방향을 갖인 씰리콘 강철을 본 연구방법으로 조사차였는바 grain들이 압연방향에서 5도 이내에 배열되어 있다는 사실을 발견하였다. 커다란 결정에 적합한 이론들이 강한 방향성이 있는 다결정 물체에도 적응될 수 있음을 알게 되었다.
앨바이트 (albite) 와 석영, 그리고 미사장석 (microcline)과 앨바이트의 표준 혼합물 시료를 마련하여 이들에 대해 Rietveld refinement 방법을 사용하여 정량분석 및 결정구조분석을 실시하였다. Rietveld refinement 방법을 이용한 정량분석 결과의 표준편차는 앨바이트와 석영의 표준 혼합물 시료의 분석시에는 4 wt %, 미사장석과 앨바이트의 표준 혼합물 시료의 분석시에는 1 wt %인데 이것은 분리된 피크를 이용하는 기존의 XRD 정량분석법의 결과에 비해 훨씬 향상된 것이다. 또한, 정량분석과 동시에 얻어지는 각 구성광물의 단위포상수값도 정확하게 측정되는 것으로 검증되었다. 앨바이트와 석영의 표준 혼합물처럼 서로 다른 결정입자의 배열 특징을 가진 광물로 구성된 시료의 정량분석 결과에는 실제 무게비와 비교할 때 규칙적인 편이현상이 나타난다. 관찰된 결정입자의 배열현상지수(preferred orientation parameter)와 R-값은 결정입자의 특정방향으로의 배열효과가 미치는 영향이 Rietveld refinement 분석시에 완벽하게 계산될 수 없기 때문에 규칙적인 편이가 발생하는 것임을 지시해 준다. Dollase-March 및 Rietveld-Toraya 함수와 같은 결정입자의 배열현상 보정방법은 정확한 단위포상수 (unit-cell parameter)의 측정에는 도움을 주지만 정량분석결과를 향상시키는 데는 한계가 있는 것으로 보인다. 시료중에서 결정입자의 배열현상을 뚜렷히 보이는 광물의 무게비는 실제값보다 약간 크게 측정되는데, 이러한 현상은 결정입자의 외형 때문에 마운트된 시료표면에서 일어나는 효과에 의한 것으로 판단된다. Rietveld refinement 방법은 분말 X-선 회절도형의 피크들을 분리할 필요없이 회절도형전체를 한꺼번에 분석함으로써 피크의 중첩현상을 극복할 수 있고, 기존의 XRD 정량분석법에 비하여 입자의 배열현상의 문제점을 최소화시킬 수 있다. 또한 refinement된 정확한 단위포상수값이 회절도형의 비례상수와 함께 정량화하는 식에 사용되므로, Rietveld refinement를 이용한 정량분석법은 매우 정확한 광물학적 분석결과를 얻을 수 있는 방법으로 판단된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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