Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.11a
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pp.271-274
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2000
Gas sensor materials capable of detecting hydrogen gases (H$_2$) or nitrogen oxides (NO$\_$x/, primarily NO and NO$_2$) with high sensitivity have attracted much interest in conjunction with the growing concern to the protection of global environments. Beside conventional sensor materials, such as semiconductors., conducting polymers and solid electrolytes, the potential of sensor materials with a new method for detecting hydrogen gases or nitrogen oxides gas has also been tested. The breakdown voltage of porous varistors shifted to a low electric field upon exposure to H$_2$ gas, whereas it shifted to a reverse direction in an atmosphere containing oxidizing gases such as O$_3$ and NO$_2$ in the temperature range of 300 to 600$^{\circ}C$. Furthermore, it was found that the magnitude of the breakdown voltage shift, i. e. the magnitude of sensitivity, was well correlated with gas concentration, and that the H$_2$ sensitivity was improved by controlling the composition of the Bi$_2$O$_3$ rich grain boundary phase. However, NO$\_$x/ sensing properties of porous varistors have not been studies in detail. The objective of the present study is to investigate the effect of the composition of the Bi$_2$O$_3$ rich grain boundary phase and other additive such as A1$_2$O$_3$ on the hydrogen gases (H$_2$) sensing properties of porous ZnO based varistors.
Organic EL devices, which have the sing3e-layer structure of ITO(indium-tin-oxide) /PPV(poly(p-phenylene vinylene))/cathode and the double-layer structure of ITO/PVK (poly(N- vinylcarbazole)) /PPV/cathode, were fabricated and their electro-optical properties were investigated. Experimental results, in single-layer structure, shown that the increment of temperature for thermal conversion of PPV film from $140^{\circ}C$ to $260^{\circ}C$ decreases the maximum luminance from $118.8\;cd/m^{2}$(20V) to $21.14\;cd/m^{2}$(28V) and shift the maximum peak of EL spectrum from 500nm to 580nm. The lower the work function of cathode is, the more the luminance and injection current of device. In double-layer structure, as the concentration of PVK solution decreases from 0.5 wt% to 0.05 wt%, the luminance of device increases from $70.71\;cd/m^{2}$(32V) to $152.7\;cd/m^{2}$(26V).
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.33
no.3
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pp.32-38
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2005
FBG sensors have been studied more actively than any other fiber optic sensor because of good multiplexing capabilities among many fiber optic sensors. The demodulation method of FBG sensors is based on the detection of wavelength shift of their sensor peaks and properties such as strain and temperature can be measured by detecting them. However, the signal stability of FBG sensors can be influenced by the strain gradient induced by structural geometry or cracks on the surface when FBG sensors are embedded into or attached on the structure. In this study, the signal characteristics of reflected spectra of FBG sensors under strain gradient were verified and the relations between the grating length of FBG sensors and the amount of strain gradient were investigated. From the experimental results, the recommended working range of FBG sensors under strain gradients was shown quantitatively with respect to grating lengths of them.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.8
no.4
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pp.721-725
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2007
A fiber optic based weight sensor has fabricated using a fiber Bragg grating with a weight sensitive. The sensing concept exploits the inherent characteristics of the FBG and is based on the strain effect induced in the fiber Bragg grating through. A direct indication of the weight level is given by the shift of the Bragg wavelength caused by the expansion of the sensing material. A FBG behaves like a spectral filter which has inherent characteristics that render it very sensitive to strain and temperature. The sensing principle is also based on the strain effect induced in the FBG through the caused by the weight. The experimental setup used for the initial investigation to characterize the mass response of the sensor. The transmitted signal from the sensor was monitored using an optical spectrum analyzer with a resolution bandwidth of 0.4nm. In this paper, we presented the spectral characterization and shaping of FBG by scanning a mass element that affects a small grating fraction at a time, without permanent effects on the optical fiber when the various wavelength and strain is removed. That is, destruction when the optical fiber for weight is physically damaged.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.124-124
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2010
Much interest has been focused on InGaN-based materials and their quantum structures due to their optoelectronics applications such as light emitting diode (LED) and photovoltaic devices, because of its high thermal conductivity, high optical efficiency, and direct wide band gap, in spite of their high density of threading dislocations. Build-in internal field-induced quantum-confined Stark effect in InGaN/GaN quantum well LED structures results in a spatial separation of electrons and holes, which leads to a reduction of radiative recombination rate. Therefore, many growth techniques have been developed by utilizing lateral over-growth mode or by inserting additional layers such as patterned layer and superlattices for reducing threading dislocations and internal fields. In this work, we investigated various characteristics of InGaN multiple quantum wells (MQWs) LED structures grown on selectively wet-etched porous (SWEP) GaN template layer and compared with those grown on non-porous GaN template layer over c-plane sapphire substrates. From the surface morphology measured by atomic force microscope, high resolution X-ray diffraction analysis, low temperature photoluminescence (PL) and PL excitation measurements, good structural and optical properties were observed on both LED structures. However, InGaN MQWs LED structures grown on SWEP GaN template layer show relatively low In composition, thin well width, and blue shift of PL spectra on MQW emission. These results were explained by rough surface of template layer, reduction of residual compressive stress, and less piezoelectric field on MQWs by utilizing SWEP GaN template layer. Better electrical properties were also observed for InGaN MQWs on SWEP GaN template layer, specially at reverse operating condition for I-V measurements.
The polysiloxane-bridged dinuclear metallocenes $[(SiMe_2O)_n-SiMe_2(C_5H_4)_2][(C_9H_7)ZrCl_2]_2$ (n=1 (7), 2 (8), 3 (9)) have been generated as a model complex for the immobilized metallocene at silica surface by treating the respective disodium salts of the ligands with 2 equivalents of $(C_9H_7)ZrCl_3$ in THF. All three complexes are characterized by $^1H$ NMR and measurement of metal content through ICP-MS. It turned out that the values of ${\Delta}{\delta}=[{\delta}_d-{\delta}_p]$, the chemical shift difference between the distal $({\delta}_d)$ and proximal $({\delta}_p)$ protons, for the produced dinuclear compounds (0.47 for 7, 0.49 for 8, and 0.5 for 9) were larger than the Δδ value of the known ansa-type complex holding the same ligand as a chelating one, that is just the opposite to the normal trend. In order to compare polymerization behavior of the dinuclear metallocene with the corresponding mononuclear metallocene, (Cp)$(C_9H_7)ZrCl_2$ was separately prepared. To investigate the catalytic properties of the dinuclear complexes and mononuclear metallocenes ethylene polymerization has been conducted in the presence of MMAO. The polymerization results display the typical activity dependence on polymerization temperature for all complexes. The most important feature is that the polymers from the dinuclear metallocenes represent enormously improved molecular weight compared with the polymer from the corresponding mononuclear metallocene. In addition, the influence of the nature of the bridging ligand upon the reactivities of the dinuclear metallocenes has also been observed.
Mun, Seong Hee;You, Jin Ho;Oh, Hyeon Ji;Lee, Chi Hoon;Baek, Hea Ja;Lee, Young-Don;Kwon, Joon Yeong
Development and Reproduction
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v.23
no.1
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pp.35-42
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2019
Fish shows great difference in growth rate between individuals during larval development and early growth. This difference seriously reduces the production efficiency in fish culture. Growth hormone (GH)/Insulin-like growth factor 1 (IGF1) system is said to play some pivotal roles in fish growth. In this study, we investigated differences of GH, IGF1 and GHR gene expressions in juvenile red spotted grouper (Epinephelus akaara) with different growth performance. Red spotted groupers were reared under the same environmental condition (water temperature $24{\pm}1^{\circ}C$, natural light) for 96 days after hatching. They were divided into 3 groups by size (fast growing, middle growing and slow growing groups: FGG, MGG, and SGG, respectively). RNA was extracted from the brain, liver and muscle tissues from each group, and target gene expression was examined by real-time PCR. In the brain with pituitary gland, expression of GH gene in FGG was significantly higher than the expression in SGG, but the expression of IGF1 and GHR genes in the muscle was highest in SGG. Difference of GHR and IGF1 mRNA in the liver between groups with different growth performance was less clear than that in other tissues, although level of IGF1 mRNA was higher in SGG than in MGG. These results suggest that hormonal governing of growth is not the same in fast growing and slow growing fish, and size grading could cause a shift of hormonal state and growth pattern in this species.
A diode-pumped single-mode Nd:YV $O_4$ green laser was developed. Frequency doubling of the laser was achieved by using an intracavity KTP generated green beam (532 nm). By comparing the diode laser spectrum with absorption spectrum of the Nd:YV $O_4$ crystal, we found optimal operating temperature of the diode laser. From output power measured for various mirror curvatures and cavity lengths, we found the optimal matching of TE $M_{00}$ mode with the pump beam gives the best efficiency. When the pump power was 1.9 W, 80 ㎽ of TE $M_{00}$ mode green beam was obtained. We tried to get a single longitudinal mode lasing as the fluctuation of the laser power was caused by the shift of longitudinal modes and the beating between the modes. We tested the intracavity etalon method and birefringent filter method for single mode operation. The etalon method resulted in the best single mode output power of 60 ㎽. The power fluctuation of the single-mode laser was reduced to 1/10 of that of the multi-mode laser.
The use of the Internet of things plays a major role in the Fourth Industrial Revolution, and a series of tasks of accumulating, converging, analyzing and reusing various data and services becomes very important. Because the pace and scope if the paradigm shift in Fourth Industrial Revolution is so rapid and unpredictable, the development and utilization of a system to fulfill this role for IOT are urgently required. In this paper, we introduce the Web-based IOT management system, which connects the IOT with OKMindmap, which is a domestic open source software and service, and the Node-RED service. This system combines the advantages of OKMindmap with the advantages of Node-RED, which is capable of visual component based programming, so that it can easily and flexibly connect the IOT based on Web browsers, and various data and services can be integrated and linked. We developed a camera module, a temperature and humidity sensor module, and the motor control module in Raspberry PI basically, and tested the operation successfully. We plan to extend the IOT component gradually by using Arduino and System On Chip.
This paper proposes a digitally controlled buck converter insensitive to process, voltage and temperature and capable of three modes of operation depending on the state of the output voltage. Conventional digital-controlled buck converters utilized A/D converters, counters and delay line circuits for accurate output voltage control, resulting in increasing the number of counter and delay line bits. This problem can be resolved by employing the 8-bit and 16-bit bidirectional shift registers, and this design technique leads a buck converter to be able to control duty ratio up to 128-bit resolution. The proposed buck converter was designed and fabricated with a CMOS 180 nano-meter 1-poly 6-metal process, generating an output voltage of 0.9 to 1.8V with the input voltage range of 2.7V to 3.6V, a ripple voltage of 30mV, and a power efficiency of up to 92.3%. The transient response speed of the proposed circuit was measured to be 4us.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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