The low energy excitations of spin waves (SWR) in thin films can be used for determination of the surface anisotropy constant and the nonhomogeneities of magnetization in the close-to-surface layer. The dispersion relation in SWR is sensitive on the geometry of experiment. We report on temperature dependence of surface magnetic anisotropy energy constant in magnetic semiconductor thin films of$ CdCr_{2-2x}In_{2x}Se_4$ at spin glass state. Samples were deposited by rf sputtering technique on Corning glass substrate in controlled temperature conditions. Coexistence of the infinite ferromagnetic network (IFN) and finite spin slusters (FSC) in spin glass state (SG) is know phenomena. Some behavior typical for long range magnetic ordering is expected in samples at SG state. The spin wave resonance experiment (microwave spectrometer at X-band) with excited surface modes was applied to describe the energy state of surface spins. We determined the surface magnetic anisotropy energy constant versus temperature using the surface inhomogeneities model of magnetic thin films. It was found that two components contribute to the surface magnetic anisotropy energy. One originates from the exchange interaction term due to the lack of translation symmetry for surface spin as well as from the originates from the exchange interaction term due to the lack of translation symmetry for surface spin as well as from the stray field of the surface roughness. The second one comes from the demagnetizing field of close-to surface layer with grad M. Both term linearly decrease when temperature is increased from 5 to 123 K, but dominant contribution is from the first component.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.61-61
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2011
Using ab initio calculations, we study the MgO(001) and Fe/MgO(001) surface phases and the effects of interface structure on the Fe/MgO magnetic anisotropy. The surface phase diagrams of MgO(001) and Fe/MgO(001) show that the most stable surface structures are either defect-free surface or the surfaces with oxygen vacancies in c($2{\times}1$) periodicity for the systems. By the formations of the oxygen vacancy rows on MgO(001) surface, the in-plane magnetic anisotropy energy of Fe overlayer is reduced while the perpendicular magnetic anisotropy energy is increased from 0.1 to 0.5 meV per Fe atom.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.314-314
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2011
Using first principles calculations, we investigated the interface structure effects on the magnetic properties of the Fe/BaTiO3 system. On the BaO-terminated surface, a Fe monolayer is formed as two Fe atoms are adsorbed on the top sites of Ba and O in the ($1{\times}1$) surface unit and a Fe ML is formed on the TiO2-terminated surface as two Fe atoms are adsorbed on the two O top sites. The magnetic anisotropy energy of Fe was higher on the TiO2?-erminated surface (1.5 eV) than on the BaO-terminated surface (0.5 eV). The decomposed electron density of the states showed that the stronger hybridization of Fe with the TiO2 layer than with the BaO layer is the most important reason for the higher magnetic anisotropy energy.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.3
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pp.238-246
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2003
We have performed the simulation of ferromagnetic resonance spectra on the exchange coupled bilayer thin films at perpendicular configuration. Variables considered in spectrum calculation were the interfacial exchange constants per unit area, the layer thickness, and the surface anisotropy constants. In case of antiferromagnetic coupling, variation of exchange constant gave a great effect to the absorption spectra of the low and the high magnetization layer. Variation of thickness in low magnetization layer did nt nearly influenced the resonated field of the high magnetization layer. Also, the increase of negative surface anisotropy increased the resonance field of the low and the high magnetization layer.
We have investigated the effects of sputtering Ar gas pressure on magnetic anisotropy of Co/Pt multilayers, where sputtering Ar gas pressure was varied from 2 to 20 mTorr. The surface and volume anisotropies were found to be strongly dependent on sputtering Ar gas pressure. In particular, the surface anisotropy exhibited more than fourfold enhancement as Ar pressure was decreased from 20 to 5 mTorr. We have found that the surface anisotropy was closely correlated with the low-angle x-ray diffraction intensity. We believe that these results are mainly ascribed to the variation of microstructure in the Co/Pt multilayer thin films with sputtering Ar gas pressure.
The role of magnetic anisotropy of the antiferromagnetic layer on the magnetization process of exchange coupled polycrystalline ferromagnetidantiferromagnetic bilayers is discussed. In order to elucidate the magnetic torque response of Ni-Fe/Mn-Ir bilayers, the single spin ensemble model is newly introduced, taking into account the two-dimensionally random distribution of the magnetic anisotropy axes of the antiferromagnetic grains. The mechanism of the reversible inducement of the exchange anisotropy along desirable directions by field cooling procedure is successfully explained with the new model. Unidirectional anisotropy constant, J$k$, of polycrystalline Ni-Fe/Mn-Ir and Co-Fe/Mn-Ir bilayers is investigated as functions of the chemical composition of both the ferromagnetic layer and the antiferromagnetic layer. The effects of microstructure and surface modification of the antiferromagnetic layer on JK are also discussed. As a notable result, an extra large value of J$k$, which exceeds 0.5 erg/cm$^2$, is obtained for $Co_{70}Fe_{30}Mn_{75}Ir_{25}$ bilayer with the ultra-thin (50${\AA}$∼100${\AA}$) Mn-Ir layer. The exchange anisotropy of $Co_{70}Fe_{30}$ 40 ${\AA}/Mn_{75}Ir_{25}$ 100 ${\AA}$ bilayer is stable for thermal annealing up to $400{^{\circ}C}$, which is sufficiently high for the application of spin valve magnetoresistive devices.
In order to understand the temperature dependence of magnetic properties of $F_{84}Nb_{16}$(wt.%) thin films, ferromagnetic resonance experiments have been carried out. The ferromagnetic resonance spectra for all temperatures consist of several volume modes and one (or two) surface modes. It is suggested that both surface of the film have a perpendicular hard axis to the film plane (negative surface magnetic anisotropy). Saturation magnetization coincides with the Block's T$\^$2/3/ and spectroscopic splitting factor is almost constant in the temperature range from 113 K to 293 K. The surface magnetic anisotropy constant K$\_$s2/ of the film-substrate interface increased with decreasing temperature in the temperature range from 233 K to 293 K. The surface magnetic anisotropy constant K$\_$s1/ of the air-substrate interface decreased from -0.322 erg/$\textrm{cm}^2$ to -0.394 erg/$\textrm{cm}^2$ as the temperature decreased to 253 K and was almost constant below 233 K.233 K.
An overview will be given on recent Mossbauer and magnetization investigation of the applied field dependence of the magnetic properties of typical systems without strong magnetic anisotropy and showing the absence of magnetic saturation in high fields (including iron-rich spin glass (amorphous $Fe_{93}Zr_{7}$, soft ferromagnets (amorphous $Fe_{88}Zr_{12}$, $Fe_{70}Ni_{20}Zr_{10}$ and $Fe_{88}B_{12}$) and pure Fe). The results emphasize that shape anisotropy due to surface irregularities causes misalignment between the magnetization and the applied field in the otherwise collinear magnetic structure.
Ha, Seung-Seok;You, Chun-Yeol;Lee, Suk-Mock;Ohta, Kenta;Nozaki, Takayuk;Suzuki, Yoshishige;Roy, W. Van
Journal of the Korean Magnetics Society
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v.18
no.4
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pp.147-153
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2008
It has been well-known that the Fe/GaAs heterostructure has a small lattice mismatch of 1.4% between Fe and GaAs, and the Fe layer is grown epitaxially on the the GaAs substrate. There are rich physics are observed in the GaAs/Fe interface, and the spininjection is actively studied due to its potential applications for spintronics devices. We fabricated Fe wedge layer in the thickness range $0{\sim}3.4$ nm on the GaAs(100) surface with 5-nm thick Au capping layer. The magnetic anisotropy of the Fe/GaAs system was investigated by employing Brillouin light scattering(BLS) measurements in this study. The spin wave excitation of Fe layer was studied as the function of intensity and the in-plane angle of external magnetic field, and thickness of Fe layer. Also these various dependences were analyzed with analytic expression of spin wave surface mode in order to determine the magnetic anisotropies. It has been found that the GaAs/Fe/Au system has additional uniaxial magnetic anisotropy, while the bulk Fe has biaxial anisotropy. The uniaxial anisotropy shows increasing dependency respected to decreasing thickness of Fe layer while biaxial anisotropy is reduced with Fe film thickness. This result allows the analysis that the uniaxial anisotropy is originated from interface between GaAs surface and Fe layer.
Dependence of the exchange bias and coercivity as surface magnetic anisotropy and ferromagnet materials for $[Pd/Co]_N$ and $[Pd/Co,(CoFe)]_N$/FeMn multilayers with perpendicular magnetic anisotropy were investigated. The coercivity was proportionally increased to 670 Oe by increasing stack number N in Ta(2.1 nm)/[Pd(3.1/N)/$Co(1.2/N)]_N$/Ta(2.1) multilayers with perpendicular magnetic anisotropy. Also, the coercivity in exchange biased multilayer was tend to increased by increasing stack number N. But coercivity of each materials have been in order of Co (600 Oe), $Co_5Fe_5$ (520 Oe) and $Co_8Fe_2$ (320 Oe) as function of the ferromagnet materials. The other side, exchange force of each materials is 300 Oe when the reiteration layer number N is 3. In over number of reiteration layer 3, they maintained coercivity between 200 Oe and 300 Oe.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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