The basic mechanism of the granular sludge formation which is the most important factor in the start-up and stable operators is not confirmed yet. In this study, the effect of granular sludge formation was investigated with the different substrate concentrations and the various ratios of substrate supply/deficiency. The granular sludge formation in the UASB reactor was closely related to the substrate concentrations and the ratio of substrate supply/deficlency The granular sludge formation was not accelerated at low substrate concentration. It was convinced that granular sludge formation was accelerated when the substrate supply with high concentration was stopped at UASB reactor. From this experiment, it was estimated that granular sludge was formed by the combination of hydrogen utilizing bacteria that form hydrogen condition and acid forming bacteria at substrate deficit condition by mutual symbiosis. Though the removal efficiency of organic matter was decreased as the influent substrate concentration was Increased, the higher the influent substrate the better the granular sludge formation.
Fuel Cell is used stacking metal or polymer substrate. This hydro property of substrate surface is very important. Usually, surface property is hydrophilic. The surface oxidation of SUS is investigated through plasma treatments with an atmospheric-pressure dielectric barrier discharge (DBD) for increasing hydrophilic property. The plasma process makes an experiment under various operating conditions of the DBD, which operating conditions are treatment time, plasma gas mixture ratio, the plasma source supply frequency. Two kinds of SUS substrate, SUS-304 and SUS 316L, were used. Discharge frequency has a crucial impact on equipment performance and gas treatment. After the plasma treatment of a SUS plate, highly improved wettability was noted. But, when high oxygen supply, the substrate damaged seriously.
This paper presents an efficient substrate-bias generator(SBG)for low-power, high-density DRAM's The proposed SBG can supply stable voltage with switching the supply voltage of driving circuit, and it can substitude the small capacitance for the large capacitance. The charge pumping circuit of the SBG suffere no VT loss and is to be applicable to low-voltage DRAM's. Also it can reduce the power consumption to make VBB because of it's high pumping efficiency. Using biasing voltage with positive temperature coefficient, VBB level detecting circuit can detect constant value of VBB against temperature variation. VBB level during VBB maintaining period varies 0.19% and the power dissipation during this period is 0.16mw. Charge pumping circuit can make VBB level up to -1.47V using VCC-1.5V, and do charge pumping operation one and half faster than the conventional ones. The temperature dependency of the VBB level detecting circuit is 0.34%. Therefore the proposed SBG is expected to supply a stable VBB with less power consumption when it is used in low power DRAM's.
In this study, a new programming method, to minimize the generation of Si-SiO$_2$ interface traps of scaled SONOS flash memory as a function of number of program/erase cycles has been proposed. In the proposed programming method, power supply voltage is applied to the gate, forward biased program voltage is applied to the source and the drain, while the substrate is left open, so that the program is achieved by Modified Fowler-Nordheim (MFN) tunneling of electron through the tunnel oxide over source and drain region. For the channel erase, erase voltage is applied to the gate, power supply voltage is applied to the substrate, and the source and drain are open. A single power supply operation of 3 V and a high endurance of 1${\times}$10$\^$6/ prograss/erase cycles can be realized by the proposed programming method. The asymmetric mode in which the program voltage is higher than the erase voltage, is more efficient than symmetric mode in order to minimize the degradation characteristics of scaled SONOS devices because electrical stress applied to the Si-SiO$_2$ interface is reduced by short programming time.
Because UV wavelength lights can activate photocatalysts, plasma is used as a light source of a photocatalytic reactor. Even though plasma has good intensity for photo reaction, substrate of catalyst coating was limited by the geometry of plasma generator. Usually bead type substrate was used for a pack bed type reactor. Honeycomb monolith type substrate was used with UV lamps instead plasma, due to the light penetration the honeycomb monolith length was too short to show good activity In this study a photocatalytic reactor, which is using a honeycomb monolith substrate, was investigated with plasma as an activation light source. As a parametric study the effects of 1311owing factors on plasma generation and power consumption are examined; supply voltage, substrate length, environment condition, catalyst loading and ratio. Using the test results, the practicability test was done with simulated synthetic gases representing bad smells and automotive exhaust gases.
한국정보기술응용학회 2005년도 6th 2005 International Conference on Computers, Communications and System
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pp.99-102
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2005
In the paper, a proposed VCO based on bondwire inductances and nMOS varactors was implemented in a standard $0.25\;{\mu}m$ CMOS process. Using the new drain current model and a propagation delay time model equations, the operation speed of CMOS gate will predict the dependence on the load capacitance and the depth of oxide, threshold voltage, the supply voltage, the channel length. This paper describes the result of simulation which calculated a gate propagation delay time by using new drain current model and a propagation delay time model. At the result, When the reverse bias voltage on the substrate changes from 0 voltage to 3 voltage, the propagation delay time is appeared the delay from 0.8 nsec to 1 nsec. When the reverse voltage is biased on the substrate, for reducing the speed delay time, a supply voltage has to reduce. The $g_m$ value of MOSFET is calculated by using new drain current model.
본 논문에서는 VTCMOS(Variable-Threshold CMOS) 기법을 이용하는 초저전압 구동 논리 회로의 누설 전류 억제를 위한 기판 전압 발생회로를 제안한다. 제안하는 기판 전압 발생회로는 VSS 발생회로와 VBB 발생회로로 구성되어 있다. VSS 발생회로는 네거티브 전압을 발생시켜 VBB 발생회로에 공급하며, nB 발생회로는 공급받은 네거티브 전압을 이용하여 또 다른 네거티브 전압을 발생시킨다. 제안하는 회로의 동작을 검증하기 위해서 0.18um 1Poly-6Metal CMOS 공정을 사용하여 회로를 구현하였으며, 측정 결과 -0.95V의 기판 전압을 얻을 수 있었다. 제안한 기판 전압 발생회로를 이용함으로써, 0.5V의 전원 전압에서 동작하는 논리 회로의 누설 전류 성분을 효과적으로 줄일 수 있다.
In this study, a new programming method to minimize the generation of Si-SiO$_2$interface traps of SONOS nonvolatile memory device as a function of number of porgram/erase cycles was proposed. In the proposed programming method, power supply voltage is applied to the gate. forward biased program voltage is applied to the source and the drain, while the substrate is left open, so that the program is achieved by Modified Fowler-Nordheim(MFN) tunneling of electron through the tunnel oxide over source and drain region. For the channel erase, erase voltage is applied to the gate, power supply voltage is applied to the substrate, and the source and dram are left open. Also, the asymmetric mode in which the program voltage is higher than the erase voltage, is more efficient than symmetric mode in order to minimize the degradation characteristics or SONOS devices because electrical stress applied to the Si-SiO$_2$interface is reduced due to short program time.
Supply electrical conductivity (EC) concentration of the nutrition solution is an important factor in the absorption of nutrients by plants and the management of the root zone, as it can control the vegetative/reproductive growth of a plant. Paprika usually undergoes its reproductive and vegetative growth simultaneously. Therefore, ensuring proper growth of the plant leads to increased yield of paprika. In this study, growth characteristics of paprika were examined according to the EC concentration of a coir and a rockwool substrate. The supply EC was 1.0, 2.0, and 4.0 mS·cm-1 applied at the initial stages of the growth using the rockwool (commonly used by paprika farmers) and the coir substrate with a chip and dust ratio of 50:50 and 70:30. For up to 16 weeks of paprika growth, EC concentrations of 1.0 and 2.0 mS·cm-1 were found to have a greater effect on the growth than EC at 4.0 mS·cm-1. The normality (marketable) rate of fruit, the soluble solid content, and paprika growth showed that the coir was generally better than the rockwool regardless of the supply EC concentration. The values of the yield per plant at an EC concentration of 4.0 mS·cm-1 was mostly similar at 1.6 kg (coir 50:50), 1.5 kg (coir 70:30) and 1.5 kg (rockwool), but the yield of the rockwool was 88%, which was lower than 98% and 94% yield of the coir substrate. Therefore, this concludes that coir substrate is more effective than rockwool at improving paprika productivity. The results also suggest that the use of coir substrate for paprika has many benefits in terms of reducing production costs and preventing environmental destruction during post-processing.
The activity of immobilized cell-support particle aggregates is influenced by physical and biochemical elements, mass transfer, and physiology. Accordingly, the mathematical model discussed in this study is capable of predicting the steady state and transient concentration profiles of the cell mass and substrate, plus the effects of the substrate and product inhibition in an immobilized cell-support aggregate. The overall mathematical model is comprised of material balance equations for the cell mass, major carbon source, dissolved oxygen, and non-biomass products in a bulk suspension along with a single particle model. A smaller bead size and higher substrate concentration at the surface of the particle, resulted in a higher supply of the substrate into the aggregate and consequently a higher biocatalyst activity.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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