Suffix trees are widely used in similar sequence matching for DNA. They have several problems such as time consuming, large space usages of disks and memories and data skew, since DNA sequences are very large and do not fit in the main memory. Thus, in the paper, we present a space efficient indexing method called SENoM, allowing us to build trees without merging phases for the partitioned sub trees. The proposed method is constructed in two phases. In the first phase, we partition the suffixes of the input string based on a common variable-length prefix till the number of suffixes is smaller than a threshold. In the second phase, we construct a sub tree based on the disk using the suffix sets, and then write it to the disk. The proposed method, SENoM eliminates complex merging phases. We show experimentally that proposed method is effective as bellows. SENoM reduces the disk usage less than 35% and reduces the memory usage less than 20% compared with TRELLIS algorithm. SENoM is available to query efficiently using the prefix tree even when the length of query sequence is large.
Proceedings of The Korean Society of Agricultural and Forest Meteorology Conference
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2013.11a
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pp.28-29
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2013
We have been measuring $CH_4$ flux in a rice paddy in Gimje using the eddy covariance method since July 2011. In order to measure the fast fluctuations of $CH_4$ concentration, an innovative LI-7700 open-path laser spectrometer is used. This high-precision, low power, light weight, low maintenance sensor enables us to operate it on a continuous and long-term basis. One particular feature, among other things, is the self-cleaning lower mirror which decreases maintenance requirements while ensuring more robust, continuous, high-quality dataset. Its cleaning is initiated at user-specified time intervals or a signal strength threshold, and its status is recorded as a diagnostic index. We have noticed that the operation of LI-7700 at Gimje site is quite challenging particularly due to its frequent mirror cleaning requirement and the associated sensitivity of the instrument. In this presentation, we present some field observation data regarding the mirror cleaning and their analysis, thereby suggesting the pertinent operation options for high-quality, maximum data retrieval in the field.
Eum, Jin Hee;Park, Miseon;Yoon, Jung Ah;Yoon, Sook Young
Development and Reproduction
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v.24
no.4
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pp.297-306
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2020
Repetitive changes in the intracellular calcium concentration ([Ca2+]i) triggers egg activation, including cortical granule exocytosis, resumption of second meiosis, block to polyspermy, and initiating embryonic development. [Ca2+]i oscillations that continue for several hours, are required for the early events of egg activation and possibly connected to further development to the blastocyst stage. The sources of Ca2+ ion elevation during [Ca2+]i oscillations are Ca2+ release from endoplasmic reticulum through inositol 1,4,5 tri-phosphate receptor and Ca2+ ion influx through Ca2+ channel on the plasma membrane. Ca2+ channels have been characterized into voltage-dependent Ca2+ channels (VDCCs), ligand-gated Ca2+ channel, and leak-channel. VDCCs expressed on muscle cell or neuron is specified into L, T, N, P, Q, and R type VDCs by their activation threshold or their sensitivity to peptide toxins isolated from cone snails and spiders. The present study was aimed to investigate the localization pattern of N and P/Q type voltage-dependent calcium channels in mouse eggs and the role in fertilization. [Ca2+]i oscillation was observed in a Ca2+ contained medium with sperm factor or adenophostin A injection but disappeared in Ca2+ free medium. Ca2+ influx was decreased by Lat A. N-VDCC specific inhibitor, ω-Conotoxin CVIIA induced abnormal [Ca2+]i oscillation profiles in SrCl2 treatment. N or P/Q type VDC were distributed on the plasma membrane in cortical cluster form, not in the cytoplasm. Ca2+ influx is essential for [Ca2+]i oscillation during mammalian fertilization. This Ca2+ influx might be controlled through the N or P/Q type VDCCs. Abnormal VDCCs expression of eggs could be tested in fertilization failure or low fertilization eggs in subfertility women.
Peter Gehrke;Maria Julia Pietruska;Johannes Ladewig;Carsten Fischer;Robert Sader;Paul Weigl
The Journal of Advanced Prosthodontics
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v.16
no.4
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pp.231-243
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2024
PURPOSE. The objective of the study was to analyze the impact of cement, bonding pretreatment, and ceramic abutment material on the overall color results of CAD-CAM ceramic crowns bonded to titanium-based hybrid abutments. MATERIALS AND METHODS. For single implant restoration of a maxillary lateral incisor a total of 51 CAD-CAM-fabricated monolithic lithium disilicate crowns were fabricated and subsequently bonded onto 24 lithium disilicate Ti-base abutments, 24 zirconia Ti-base abutments and 3 resin abutment replicas as a control group. The 48 copings were cemented with three definitive and one provisional cement on both grit-blasted and non-blasted Ti-bases. The color of each restoration and surrounding artificial gingiva was measured spectrophotometrically at predefined measuring points and the CIELAB (ΔEab) color scale values were recorded. RESULTS. The color outcome of ceramic crowns bonded to hybrid abutments and soft tissues was affected differently by cements of different brands. Grit-blasting of Ti-bases prior to cementing CAD-CAM copings affected the color results of allceramic crowns. There was a significant difference (P = .038) for the median ΔE value between blasted and non-blasted reconstructions at the cervical aspect of the crown. Full-ceramic crowns on zirconia Ti-base abutments exhibited significantly lower ΔE values below the threshold of visibility (ΔE 1.8). In all subcategories tested, the use of a highly opaque temporary cement demonstrated the lowest median ΔE for both the crown and the artificial gingiva. CONCLUSION. Various cements, core ceramic materials and airborne particle abrasion prior to bonding can adversely affect the color of Ti-base supported ceramic crowns and peri-implant soft tissue. However, zirconia CAD-CAM copings and an opaque cement can effectively mask this darkening.
Jeeho Park;Young-Seok Song;Sukang Bae;Tae-Wook Kim
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.30
no.3
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pp.56-63
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2023
In this paper, we studied the effect of electron beam irradiation on sol-gel indium-gallium-zinc oxide (IGZO) thin films under air and nitrogen atmosphere and carried out the electrical characterization of the s ol-gel IGZO thin film transistors (TFTs). To investigate the optical properties, crystalline structure and chemical state of the sol-gel IGZO thin films after electron beam irradiation, UV-Visible spectroscopy, X-ray diffraction (XRD), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were carried out. The sol-gel IGZO thin films exhibited over 80% transmittance in the visible range. The XRD analysis confirmed the amorphous nature of the sol-gel IGZO films regardless of electron beam irradiation. When electron beam irradiation was conducted in a nitrogen (N2) atmosphere, we observed an increased proportion of peaks related to M-O bonding contributed to the improved quality of the thin films. Sol-gel IGZO TFTs subjected to electron beam exposure in a nitrogen atmosphere exhibited enhanced electrical characteristics in terms of on/off ratio and electron mobility. In addition, the electrical parameters of the transistor (on/off ratio, threshold voltage, electron mobility, subthreshold swing) remained relatively stable over time, indicating that the electron beam exposure process in a nitrogen atmosphere could enhance the reliability of IGZO-based thin-film transistors in the fabrication of sol-gel processed TFTs.
Lingmin Jiang;Hanna Choe;Yuxin Peng;Doeun Jeon;Donghyun Cho;Yue Jiang;Ju Huck Lee;Cha Young Kim;Jiyoung Lee
Journal of Microbiology and Biotechnology
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v.33
no.10
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pp.1292-1298
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2023
PAMB 00755T, a bacterial strain, was isolated from Korean fir leaves. The strain exhibits yellow colonies and consists of Gram-negative, non-motile, short rods or ovoid-shaped cells. It displays optimal growth conditions at 20℃, 0% NaCl, and pH 6.0. Results of 16S rRNA gene-based phylogenetic analyses showed that strain PAMB 00755T was most closely related to Sphingomonas chungangi MAH-6T (97.7%) and Sphingomonas polyaromaticivorans B2-7T (97.4%), and ≤96.5% sequence similarity to other members of the genus Sphingomonas. The values of average nucleotide identity (79.9-81.3%), average amino acid identity (73.3-75.9%), and digital DNA-DNA hybridization (73.3-75.9%) were significantly lower than the threshold values for species boundaries; these overall genome-related indexes (OGRI) analyses indicated that the strain represents a novel species. Genomic analysis revealed that the strain has a 4.4-Mbp genome encoding 4,083 functional genes, while the DNA G+C content of the whole genome is 66.1%. The genome of strain PAMB 00755T showed a putative carotenoid biosynthetic cluster responsible for its antioxidant activity. The respiratory quinone was identified as ubiquinone 10 (Q-10), while the major fatty acids in the profile were identified as C18:1ω7c and/or C18:1ω6c (summed feature 8). The major polar lipids of strain PAMB 00755T were diphosphatidylglycerol, phosphatidylethanolamine, sphingoglycolipid, and phosphatidylcholine. Based on a comprehensive analysis of genomic, phenotypic, and chemotaxonomic characteristics, we proposed the name Sphingomonas abietis sp. nov. for this novel species, with PAMB 00755T as the type strain (= KCTC 92781T = GDMCC 1.3779T).
Journal of Korea Society of Industrial Information Systems
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v.17
no.4
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pp.17-23
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2012
Ultra low-power design and energy harvesting applications require digital systems to operate under extremely low voltages approaching the point of balance between dynamic and static power consumption which is attained in the sub-threshold operation mode. Delay variations are extremely large in this mode. Therefore, in this paper, a new low-power logic design methodology using asynchronous NCL circuits is proposed to reduce power consumption and not to be affected by various technology variations in nanoscale MOSFET technology. The proposed NCL is evaluated using various benchmark circuits at 0.4V supply voltage, which are designed using 45nm MOSFET predictive technology model. The simulation results are compared to those of conventional synchrouns logic circuits in terms of power consumption and speed.
This paper presents a simple method for relieving the ambiguity problems within the sub-voxel based surface-fitting approach for the surface construction. ECB algorithm is proposed to avoid the ambiguity problem which is the root of the holes within the resulting polygon based approximation. The basic idea of our disambiguation strategy is the use of a set of predefined modeling primitives (we call SMP) which guarantees the topological consistency of resulted surface polygons. 20 SMPs are derived from the extension of the concept of the elementary modeling primitives in the CB algorithm [3], and fit one to five faces of them to the iso-surface crossing a cell with no further processing. A look-up table which has a surface triangle list is pre-calculated using these 20 SMPs. All of surface triangles in the table are from the faces of SMPs and are stored in the form of edge list on which vertices of each surface triangle are located. The resulted polygon based approximation is unique at every threshold value and its validity is guaranteed without considering the complicated problems such as average of density and postprocessing. ECB algorithm could be free from the need for the time consuming post-processing, which eliminates holes by revisiting every boundary cell. Through three experiments of surface construction from volume data, its capability of hole avoidance is showed.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.9
no.4
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pp.169-172
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2008
We attempted to fabricate carbon nanotube field effect transistor (CNT-FET) using single walled carbon nanotube(SWNT) on the heavily doped Si substrate used as a bottom gate, source and drain electrode were fabricated bye-beam lithography on the 500 nm thick $SiO_2$ gate dielectric layer. We investigated electrical and physical properties of this CNT-FET using Scanning Probe Microscope(SPM) and conventional method based on tungsten probe tip technique. The gate length of CNT-FET was 600 nm and the diameter of identified SWNT was about 4 nm. We could observed gating effect and typical p-MOS property from the obtained $V_G-I_{DS}$ curve. The threshold voltage of CNT-FET is about -4.6V and transconductance is 47 nS. In the physical aspect, we could identified SWNT with phase mode of SPM which detecting phase shift by force gradient between cantilever tip and sample surface.
Yang, Seung-Dong;Oh, Jae-Sub;Yun, Ho-Jin;Jeong, Kwang-Seok;Kim, Yu-Mi;Lee, Sang Youl;Lee, Hi-Deok;Lee, Ga-Won
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.14
no.3
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pp.139-142
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2013
Silicon nanowire (SiNW) silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) flash memory devices were fabricated and their electrical characteristics were analyzed. Compared to planar SONOS devices, these SiNW SONOS devices have good program/erase (P/E) characteristics and a large threshold voltage ($V_T$) shift of 2.5 V in 1ms using a gate pulse of +14 V. The devices also show excellent immunity to short channel effects (SCEs) due to enhanced gate controllability, which becomes more apparent as the nanowire width decreases. This is attributed to the fully depleted mode operation as the nanowire becomes narrower. 3D TCAD simulations of both devices show that the electric field of the junction area is significantly reduced in the SiNW structure.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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