A three-dimensional image capturing device and its signal processing algorithm and apparatus are presented. Three dimensional information is one of emerging differentiators that provides consumers with more realistic and immersive experiences in user interface, game, 3D-virtual reality, and 3D display. It has the depth information of a scene together with conventional color image so that full-information of real life that human eyes experience can be captured, recorded and reproduced. 20 Mega-Hertz-switching high speed image shutter device for 3D image capturing and its application to system prototype are presented[1,2]. For 3D image capturing, the system utilizes Time-of-Flight (TOF) principle by means of 20MHz high-speed micro-optical image modulator, so called 'optical resonator'. The high speed image modulation is obtained using the electro-optic operation of the multi-layer stacked structure having diffractive mirrors and optical resonance cavity which maximizes the magnitude of optical modulation[3,4]. The optical resonator is specially designed and fabricated realizing low resistance-capacitance cell structures having small RC-time constant. The optical shutter is positioned in front of a standard high resolution CMOS image sensor and modulates the IR image reflected from the object to capture a depth image (Figure 1). Suggested novel optical resonator enables capturing of a full HD depth image with depth accuracy of mm-scale, which is the largest depth image resolution among the-state-of-the-arts, which have been limited up to VGA. The 3D camera prototype realizes color/depth concurrent sensing optical architecture to capture 14Mp color and full HD depth images, simultaneously (Figure 2,3). The resulting high definition color/depth image and its capturing device have crucial impact on 3D business eco-system in IT industry especially as 3D image sensing means in the fields of 3D camera, gesture recognition, user interface, and 3D display. This paper presents MEMS-based optical resonator design, fabrication, 3D camera system prototype and signal processing algorithms.
This study describes the doping effect of $Yb_2O_3$ on microstructure, electrical and dielectric properties of $ZnO-V_2O_5-MnO_2-Nb_2O_5$ (ZVMN) ceramic semiconductors sintered at a temperature as low as $900^{\circ}C$. As the doping content of $Yb_2O_3$ increases, the ceramic density slightly increases from 5.50 to $5.54g/cm^3$; also, the average ZnO grain size is in the range of $5.3-5.6{\mu}m$. The switching voltage increases from 4,874 to 5,494 V/cm when the doping content of $Yb_2O_3$ is less than 0.1 mol%, whereas further doping decreases this value. The ZVMN ceramic semiconductors doped with 0.1 mol% $Yb_2O_3$ reveal an excellent nonohmic coefficient as high as 70. The donor density of ZnO gain increases in the range of $2.46-7.41{\times}10^{17}cm^{-3}$ with increasing doping content of $Yb_2O_3$ and the potential barrier height and surface state density at the grain boundaries exhibits a maximum value (1.25 eV) at 0.1 mol%. The dielectric constant (at 1 kHz) decreases from 592.7 to 501.4 until the doping content of $Yb_2O_3$ reaches 0.1 mol%, whereas further doping increases it. The value of $tan{\delta}$ increases from 0.209 to 0.268 with the doping content of $Yb_2O_3$.
우리는 경제 내에 불확실성이 있을 경우의 최적 통화정책 준칙을 살펴본다. 특히 총수요에 대한 주택가격의 효과 뿐 만 아니라 주택가격 상승률에 관한 두 가지 가능한 영역을 허용한다. 두 가지 상태에 대한 불확실성이 Markov 상태 변환으로 모형화 된다. 미국 자료에 대한 예비 추정 결과는 두 개의 다른 상태 즉 정상 상태와 주택가격 버블 상태 영역의 존재를 확인한다. 다음으로, 본 연구에서는 주택시장에 두 개의 상태가 존재할 경우 중앙은행의 최적통화준칙을 살펴본다. '통상적' 상태 하에서는 인플레이션 압력에 반대로 대응해야 하는 반면, 버블 상태에서는 인플레이션 압력을 수용해야 한다는 면에서 중앙은행의 최적통화정책은 비대칭적이다. 또한, 미래 상태에 대한 불확실성이 있을 경우 더욱 보수적으로 통화정책을 운용해야 한다는 결과를 도출한다.
Uniformity is a key feature of state-of-the-art infrared focal planed array (IRFPA) and infrared imaging system. Unlike traditional infrared telescope facility, a ground-based infrared radiant characteristics measurement system with an IRFPA not only provides a series of high signal-to-noise ratio (SNR) infrared image but also ensures the validity of radiant measurement data. Normally, a long integration time tends to produce a high SNR infrared image for infrared radiant characteristics radiometry system. In view of the variability of and uncertainty in the measured target's energy, the operation of switching the integration time and attenuators usually guarantees the guality of the infrared radiation measurement data obtainted during the infrared radiant characteristics radiometry process. Non-uniformity correction (NUC) coefficients in a given integration time are often applied to a specified integration time. If the integration time is switched, the SNR for the infrared imaging will degenerate rapidly. Considering the effect of the SNR for the infrared image and the infrared radiant characteristics radiometry above, we propose a-wide-dynamic-range NUC algorithm. In addition, this essasy derives and establishes the mathematical modal of the algorithm in detail. Then, we conduct verification experiments by using a ground-based MWIR(Mid-wave Infared) radiant characteristics radiometry system with an Ø400 mm aperture. The experimental results obtained using the proposed algorithm and the traditional algorithm for different integration time are compared. The statistical data shows that the average non-uniformity for the proposed algorithm decreased from 0.77% to 0.21% at 2.5 ms and from 1.33% to 0.26% at 5.5 ms. The testing results demonstrate that the usage of suggested algorithm can improve infrared imaging quality and radiation measurement accuracy.
본 논문에서는 어댑터나 배터리에 의해 단일전원을 공급받는 IT기기에서, 저렴한 buck 소자를 이용해 마이너스 전압을 발생할 때 발생하는 문제점을 분석하였다. 원인 분석을 위해 buck 소자의 동작원리와 inverter 회로의 원리를 살펴보고, buck 소자를 이용해 inverter 회로를 구성했을 떄의 회로적 특성을 분석하였다. 분석 결과 buck 소자를 이용한 inverter회로는 초기에 큰 기동전류가 필요함을 확인하였으며, 특히 전원을 공급하는 회로에서 기동전류에 미치지 못하는 전류용량일 경우 래치 업 현상과 유사한 상태에 빠질 수 있음을 확인하였다. 분석결과를 확인하기위해 실험회로를 구성하고 입력전류를 확인한 결과, 공급전류가 충분한 경우 과전류가 흐르면서 기동됨을 확인하고, 공급전류가 충분치 않은 경우에는 회로가 기동하지 못해 래치 업 현상이 발생해 회로 전체가 위험상태에 도달함을 확인하였다.
This is the third part of the four-part paper describing the development of a packet-switched computer communication network named the KORNET. In this paper we describe the design and implementation of the X.25 protocol connecting packet mode data terminal equipments(PDTE's) with data circuit terminating equipments(DCE's). In the KORNET, the X.25 protocol has been implemented on the line processing module-A(LPMA) of the network node processor(NNP). In the implementation of X.25, we have divided the software module according to the service function, and have determined the the rules that interact between the modules. Each layer protocol has been developed using the technique of the finite state machine. Before the actual coding of softwares, we hafve used formal software development tools based on the specification and description language (SDL) and program design languate (PDL) recommended by the CCITT. In addition, for the efficient operation of the X.25 protocol system we have analyzed the system performance and the service scheduling method of each module. The results will also be given.
본 연구에서는 개념적인 토양수분수지 모형을 구성하여 유역에서의 물의 기화량과 유역의 습윤량의 비인 Horton 지수의 변동성을 살펴보고 있다. 제안된 모형으로부터 다양한 수문기상학적 변수들 및 유역 특성변수를 반영한 토양수분 확률밀도함수가 유도되며, 강수현상을 구성하는 두 가지 주요 인자인 강수발생빈도와 우기일의 평균 강수량의 변화에 따른 Horton지수의 민감도가 탐색된다. 수치모의결과를 통하여 Horton 지수는 강수량의 연간변동성보다 약 절반가량 낮았으며 둘 사이에는 강한 역 상관관계가 있음을 살펴볼 수 있다. 또한 강수량이 일정하더라도 강수발생빈도와 우기일 강수량 평균에 따라 서로 다른 Horton 지수를 가질 수 있음이 보여진다. 마지막으로 Horton 지수와 강수 프로세스를 구성하는 두 가지 주요 성분과는 어떤 한계점을 기준으로 비례/반비례 관계가 전환되는 비선형적인 관계를 가지고 있음을 살펴볼 수 있다.
4H-SiC power metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) have been developed to achieve lower specific-on-resistance (Ron,sp), and the gate oxides have been thermally grown. The poor channel mobility resulting from the high interface trap density (Dit) at the SiO2/4H-SiC interface significantly affects the higher switching loss of the power device. Therefore, the development of novel fabrication processes to enhance the quality of the SiO2/4H-SiC interface is required. In this paper, NO post-oxidation annealing (POA) by using the conditions of N2 diluted NO at a high temperature (1,300℃) is proposed to reduce the high interface trap density resulting from thermal oxidation. The NO POA is carried out in various NO ambient (0, 10, 50, and 100% NO mixed with 100, 90, 50, and 0% of high purity N2 gas to achieve the optimized condition while maintaining a high temperature (1,300℃). To confirm the optimized condition of the NO POA, measuring capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V), and time-of-flight secondary-ion mass spectrometry (ToF-SIMS) are employed. It is confirmed that the POA condition of 50% NO at 1,300℃ facilitates the equilibrium state of both the oxidation and nitridation at the SiO2/4H-SiC interface, thereby reducing the Dit.
Fadhil Abass Tuma;Hussain Ali Badran;Harith Abdulrazzaq Hasan;Riyadh Chassib Abul-Hail
Current Optics and Photonics
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제7권6호
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pp.721-731
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2023
This paper studies various roughness parameters, besides waviness, texture, and nonlinear parameters of Bismarck brown Y (BBY)-doped Poly(methyl methacrylate) (PMMA) films based on the computed values of optical limiting (OL) threshold power and nonlinear refractive index. The films' morphology, grain size, and absorption spectra were investigated using atomic force microscopy in conjunction with ultraviolet-visible (UV-Vis) spectrophotometer. The particle size of the films ranged between 4.11-4.51 mm and polymer films showed good homogeneity and medium roughness, ranging from 1.11-4.58 mm. A polymer film's third-order nonlinear optical features were carried out using the Z-scan methodology. The measurements were obtained by a continuous wave produced from a solid-state laser with a 532 nm wavelength. According to the results, BBY has a nonlinear refractive index of 10-6 cm2/W that is significantly negative and nonlinear. The optical limiting thresholds are roughly 10.29, 13.52, and 18.71 mW, respectively. The shift of nonlinear optical features with the film's concentration was found throughout the experiment Additionally, we found that the polymer samples have outstanding capabilities for restricting the amount of optical power that may be transmitted through them. We propose that these films have the potential to be used in a wide variety of optoelectronic applications, including optical photodetectors and optical switching.
Long-lasting post-switched plasma cells (PCs) arise mainly from germinal center (GC) reactions, but little is known about the mechanism by which GC B cells differentiate into PCs. Based on our observation that the expression of the transcription factor CCAAT/enhancer binding protein β (C/EPBβ) is associated with the emergence of post-switched PCs, we enquired whether a cell-autonomous function of C/EPBβ is involved in the program for PC development. To address this, we generated C/EPBβ-deficient mice in which the Cebpb locus was specifically deleted in B cells after transcription of the Ig γ1 constant gene segment (Cγ1). In response to in vitro stimulation, B cells from these Cebpbfl/flCγ1Cre/+ mice had defects in the induction of B lymphocyte-induced maturation protein 1 (Blimp1) and the formation of IgG1+ PCs, but not in proliferation and survival. At steady state, the Cebpbfl/flCγ1Cre/+ mice had reduced serum IgG1 titers but normal IgG2c and IgM titers. Moreover, upon immunization with T-dependent Ag, the mice produced reduced levels of Ag-specific IgG1 Ab, and were defective in the production of Ag-specific IgG1 Ab-secreting cells. These results suggest that a cell-autonomous function of C/EPBβ is crucial for differentiation of post-switched GC B cells into PCs through a Blimp1-dependent pathway.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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