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이중 애노드 구조의 SOI LIGBT (Dual Anode LIGBT on SOI Subskates)

  • 최승필;전병철;한민구;최연익
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2001년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.81-83
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    • 2001
  • 새로이 제안한 이중 애노드 LIGBT(Dual Anode LIGBT)는 빠른 스위칭을 위한 기존의 단락 애노드 구조를 캐소드의 양쪽에 위치시킴으로써 단락 애노드 구조가 갖는 부성저항영역을 효과적으로 제거했다. 뿐만 아니라 순방향전압강하 또한 기존의 분리된 단락 애노드 LIGBT (Seperate Shorted Anode LIGBT)에 비해 30%의 개선 효과를 갖는다.

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단채널 GaAs MESFET 및 SOI 구조의 Si JFET의 2차원 전계효과에 대한 해석적 모델에 대한 연구 (An analytical modeling for the two-dimensional field effect of a short channel GaAs MESFET and SOI-structured Si JFET)

  • 최진욱;지순구;최수홍;서정하
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제42권1호
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    • pp.25-32
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    • 2005
  • 본 논문에서는 단 채널 GaAs MESFET과 SOI-구조의 Si JFET가 갖는 전형적인 특성: i) 드레인 전압 인가에 의한 문턱전압 roll-off, ii) 포화영역에서의 유한한 ac 출력저항, iii) 채널길이에 대한 드레인 포화전류의 의존성 약화, 등을 통합적으로 기술할 수 있는 해석적 모델을 제안하였다. 채널 방향의 전계 변화를 포함하는 새로운 형태의 가정을 기존의 GCA와 대체하고, 채널의 전류 연속성과 전계-의존 이동도를 고려하여, 공핍영역과 전도 채널에서 2차원 전위분포 식을 도출해 내었다. 이 결과, 문턱전압, 드레인 전류의 표현 식들이 동작전압전 구간의 영역에 걸쳐 비교적 정확하게 도출되었다. 또한 본 모델은 기존의 채널 shortening 모델에 비해 Early 효과에 대한 보다 더 적절한 설명을 제공하고 있음을 보이고 있다.

100 keV $O^+$ 이온 빔에 의한 SIMOX SOI의 $ Si-SiO_2$계면 구조 (The $ Si-SiO_2$ interface structure of a SIMOX SOI formed by 100keV $O^+$ ion beam)

  • 김영필;최시경;김현경;문대원
    • 한국진공학회지
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    • 제7권1호
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    • pp.35-42
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    • 1998
  • 100keV $O^+$이온 빔에 의해 형성된 separation by implanted oxygen(SIMOX) silicon on insulator (SOI)의 열처리 전후의 계면 구조를 high resolution transmission electron microscopy(HRTEM)을 이용하여 관찰하였다. 실리콘 주입 온도 $550^{\circ}C$에서 ~$5\times 10^{17}\textrm{cm}^{-2}O^+$를 주입한 직후의 계면은 매우 거칠고 산화물 석출, stacking fault, coesite $SiO_2$ 상 석출물 등 여러 가지 형태의 결함들을 가지고 있었다. 반면, 이것을 $1300^{\circ}C$에서 열처리한 후의 계면은 매우 편편하고 잘 정의된 계면으로 변하였다. 열처리후의 계면은 HRTEM을 통해서 3keV$O_2^\;+$이온 빔에 의해 형성된 산화막 계면, 그리고 게이트 산화막으로 사용되는 ~ 6nm열 산화막 계면과 비교하여 볼 때 비슷한 수준의 roughness를 보여 주었다.

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토미즘의 인간적 행위에서 '자기초월'의 의미 (La signification du dépassement de soi dans le Thomisme)

  • 이명곤
    • 철학연구
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    • 제105권
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    • pp.49-74
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    • 2008
  • 본 연구의 목적은 토미즘에 있어서 '인간적 행위'가 가지는 '자기초월의 성격'을 조명하는 데에 있다. 토미즘에 있어서 이성과 의지를 가진 인간의 본성은 궁극적인 목적에로 지향성을 가진 것이며, 따라서 '인간의 행위'가 아닌 '인간적 행위'란 이러한 본성에 적합한 행위를 말하며, 현재의 상태보다 더 낳은 상태를 지향하는 '자기초월'을 성격을 가지는 것이다. 물론 이러한 자기초월적 성격을 본질적으로 가지게 되는 인간적 행위의 근거는 인간의 형상인 이성혼(理性魂)이 '자립적인 형상'이라는 데에 있다. 토마스 아퀴나스에게 있어서 이러한 인간적 행위의 자기초월의 성격은 크게 세 가지 단계를 거친다고 볼 수 있는데, (1)자연적 진보의 질서 안에서의 초월, (2)도덕적 질서 안에서의 자기초월 그리고 (3)종교적 삶에 있어서 자기초월이 그것이다. 자연적 진보에서는 우선적으로 이성적 영혼의 특성에서 드러나는데, 아퀴나스는 인간의 이성적인 덕을 '나약함 안에서의 충만함'이라고 규정하는데, 이는 이성적인 덕이란 '외적 감각능력들의 목적지($finalit{\acute{e}}$)'로서 고려하기 때문이다. 외적 감각을 통해서 인간은 '감각적 상(especies sensibilis)'들을 수용하며, 이미지들을 보존하고, 이 이미지들은 기억 혹은 추억이라는 형태로 그의 실존의 일부가 되며, 자기의식을 의미하는 정신적인 실재가 되는 것이다. 따라서 토마스에게 있어서 이성의 덕은 단순히 사변적인 능력이 아니라, '되어짐'의 질서, 충만함의 질서 안에 있는 것이다. 바로 이 때문에 토마스는 이성(ratio)의 능력을 '생성(generatio)'에 비유하고 있으며, 지성(intellectus)을 존재(esse)에 비유하고 있는 것이다. 즉 이성은 감각을 초월하고, 지성은 이성을 초월하는 것이다. 도덕적 질서 안에서의 자기초월은 의식의 진보와 관련되어 있는데, 인간의 의식은 언제나 이중적인데, 일차적으로 외부대상에 대한 인식이요, 이차적으로 이러한 외부대상에 대한 인식의 결과라 할 수 있는 자기의식(contientia)이다. 즉 이러한 외부대상에 대한 인식은 근본적으로 자기의식 혹은 자기인식을 목적으로 하며, 자기인식에서 완성된다. 자기의식은 '자기동일성'에 대한 의식을 말하는데, 여기서 인간의 특유한 도덕적 행위가 발생한다. 즉 당위 혹은 의무라는 것은 언제나 '자기동일성'에 대한 적합성을 의미하는 것이며, 이러한 행위가 지속적일 때, 도덕적 삶이 발생하는 것이다. 도덕적 삶이 그 자체 초월적인 성격을 가지는 것은 '자기동일성'에 적합한 인간적 행위란 언제나 '보다 나은 것' 보다 '이상적인 삶'을 지향하기 때문이다. 종교적 삶에 있어서 토미즘의 특성을 보다 잘 부각하기 위해서 본 논문에서는 키엘케고올의 종교적 삶에 대한 초월성을 우선적으로 고찰하고 있는데, 그에 의하면 종교적 삶에 있어서 초월적 성격은 '절대적 차원의 초월'로서 근본적으로 합리적으로 기술되거나 표현될 수 있는 모든 문화적인 인간적인 지평을 넘어서는 '초월' 즉 '절대적 초월($d{\acute{e}}passement$ absolu)을 의미하는 것이다. 반면 아퀴나스에게 있어서 신과 인간 사이의 '친근성($affinit{\acute{e}}$)'은 수용된 덕들(virtutes infusas)이 있는 곳에는 반드시 일종의 종교적인 초월이 수반된다. '가능태'중에 있는 하나의 (수용된)덕이 '현실태'가 되는 곳에는 반드시 '자기초월'의 행위가 수반되는 것이다. 왜냐하면 이러한 수용된 덕의 국면은 신과 인간 사이의 소통을 말해주고 있기 때문이며, 이는 곧 '인간적인 것'에서 '신성한 것'에로의 초월을 암시하고 있기 때문이다. 이러한 아퀴나스의 사유는 구체적이고 개별적인 한 인간의 종교적인 삶 안에서 '자기초월'이 이루어지는 곳에는 언제나 신의 섭리가 개입하고 있다는 실재론적인 사유를 가능하게 하고 있는 것이다.

SOI형 대칭 DG MOSFET의 문턱전압 도출에 대한 간편한 해석적 모델 (A simple analytical model for deriving the threshold voltage of a SOI type symmetric DG-MOSFET)

  • 이정호;서정하
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제44권7호통권361호
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    • pp.16-23
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    • 2007
  • 본 논문에서는 완전 공핍된 SOI형 대칭 이중게이트 MOSFET의 문턱 전압에 대한 간단한 해석적 모델을 제시하고자 실리콘 몸체 내의 전위 분포를 근사적으로 채널에 수직한 방향의 좌표에 대해 4차 다항식으로 가정하였다. 이로써 2차원 포아송 방정식을 풀어 표면 전위의 표현식을 도출하고, 이 결과로부터 드레인 전압 변화에 의한 문턱 전압의 roll-off를 비교적 정확하게 기술할 수 있는 문턱 전압의 표현식을 closed-form의 간단한 표현식으로 도출하였다. 도출된 표현식으로 모의 실험을 수행한 결과 $0.01\;[{\mu}m]$의 실리콘 채널 길이 범위까지 채널 길이에 지수적으로 감소하는 것을 보이는 비교적 정확한 결과를 얻을 수 있음을 확인하였다.

Lamp ZMR에 의한 SOI에서 비대칭 선형가열의 효과 (Effect of Asymmetric Line Heating in SOI Lamp ZMR)

  • 반효동;이시우;임인곤;주승기
    • 한국결정성장학회지
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    • 제2권2호
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    • pp.53-62
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    • 1992
  • SOI구조 형성을 위항 대용융 재결정(ZMR) 공정에서 타원형의 반사경을 기울여 빔강도분포를 인위적으로 변화시켜 실리콘 박막을 재결정시켰다. 비대칭 선형가열 효과를 해석하기 위하여 전산모사를 행하여 응고계면 근처에서의 온도분포와 열구배 변화를 조사하였다. 상부집속열원의 경사각이 증가할수록 액상의 과냉도와 실리콘 박막내의 결함열 간격은 증가하였다. 주된 결함은 연속적인 아결정립계였고 결함밀도가 낮은 경우는 isolated threading dislocations만이 관찰되었다. 단면 TEM과 박막 XRD 분석결과 실리콘 박막은 (100) 집합조직을 갖는 단결정 박막으로 재결정되었음을 확인할 수 있었다.

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선형접합기를 이용한 Si II 1.3$\mu\textrm{m}$-SiO$_2$/1.3$\mu\textrm{m}$-SiO$_2$ II SOI 기판의 직접접합 (Direct Bonding of Si II 1.3$\mu\textrm{m}$-SiO$_2$/1.3$\mu\textrm{m}$-SiO$_2$ II SOI substrates prepared by FLA method)

  • 송오성;이영민;이상현;이진우;강춘식
    • 한국표면공학회지
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    • 제34권1호
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    • pp.33-38
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    • 2001
  • 10cm-diameter Si(100)∥$1.3\mu\textrm{m}$-X$1.3_2$X$1.3\mu\textrm{m}$-$SiO_2$∥Si(100) afers were prepared using a fast linear annealing (FLA) equipment. 1.3$\mu\textrm{m}$-thick $SiO_2$ films were grown by dry oxidation process. After cleaning and premating the wafers in a class 100 clean room, they were heat treated using with the FLA and conventional electric furnace. Bonded area and bond strength of wafer pairs were measured using a infrared (IR) camera and razor blade crack opening method, respectively. It was confinmed that the bonded area by FLA was around 99% and the bond strength value reached 2172mJ/$\m^2$, which is equivalent to theoritical bond strength. Our result implies that thick $SiO_2$ SOI may be prepared more easily by using $SiO_2$$SiO_2$ bonding interfaces then those of Si/$SiO_2$'s.

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도플러 초음파검사를 이용한 안면마비 환자의 안면부 경혈의 혈류 관찰 (Clinical Observation on Blood Flow of Facial Acupuncture Points in Bell's Palsy Patients by Doppler Ultrasound)

  • 인창식;배영민;최양식;고정민;김세르게이;강욱;이상훈
    • Journal of Acupuncture Research
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    • 제26권2호
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    • pp.49-58
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    • 2009
  • Objectives : The aim of this study was to investigate whether Doppler ultrasound device is applicable for the evaluation of facial palsy patients. Methods : A total of 25 patients participated in the first assessment and 22 of them finished a follow-up assessment one week later. An assessment comprised of a Minimax-Doppler-K device examination on bilateral acupoints $ST_5$, $SI_{19}$, $ST_2$, and $BL_1$, House-Brackmann grading, and subjective symptom questionnaire. Measurement reliability was assessed and clinically meaningful variations of Doppler measurement values were explored. Results : Doppler ultrasound examination revealed a significant difference of some measurement values between values of the symptom side and the contralateral side, between groups of severe paralysis and moderate paralysis, and between groups of short duration(0-3 weeks) and long duration (3 weeks-5 months) by non-parametric analyses (p<0.05). Several re-examination values showed a significant correlation with the first examination values by Spearman's correlation tests (p<0.05). Conclusions : This study revealed several possibilities for the clinical application of this device. Further validity tests and device improvements for a user's convenience would be helpful for its practical application.

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