• 한국자기학회지
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• 제25권6호
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• pp.175-179
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• 2015

덩치상태에서 반쪽금속성을 나타내는 $(AlP)_1/(CrP)_1$ 초격자계에서 (001) 표면의 자성과 반쪽금속성에 대해 FLAPW (Full-potential Liniarized Augmented Plane Wave) 방법을 이용하여 연구하였다. (001) 표면이 나타나는 Al(S)-, Cr(S)-, P(S)Al(S-1)- 및 P(S)Cr(S-1)-term 계 등 모두 네 가지 표면계를 고려하였다. 계산결과 Cr(S)-term 계만 정수배의 보어마그네톤의 자기모멘트를 가져 표면에서 반쪽금속성이 유지됨을 알았다. 이 계에서 표면 Cr 원자의 자기모멘트는 띠좁힘과 스핀분리의 증가 등의 표면효과로 인해 덩치상태에 비해 증가한 $3.02{\mu}_B$였다. P(S)Al(S-1)-term 계에서 표면 P(S)층의 상태밀도는 $p_z$ 상태의 국소화로 인해 매우 예리한 표면상태의 봉우리를 보여 주었으며, P(S)Cr(S-1)-term의 경우 P(S)층과 Cr(S-1)층 사이에 큰 혼합이 존재하였고, 그 결과 P(S)층의 자기모멘트는 $-0.33{\mu}_B$이었다.

• 청정기술
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• 제18권4호
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• pp.404-409
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• 2012

본 연구는 교반강도 및 응집제 주입량의 변화에 따라 플럭의 성장특성이 인의 제거에 미치는 영향을 파악하고자 수행되었다. 본 연구에서는 Al/P 몰비를 1.0, 1.5와 2.0으로 급속혼화강도 G값을 100, 300과 500 $s^{-1}$로 변화시켜 수행하였다. 응집시 발생되는 응집지수(floc size index, FSI)와 크기가 다른 여과지를 이용하여 인의 제거율을 측정하여 성장 특성을 파악하였다. 연구결과 교반강도가 높을수록 용존인의 제거효율이 증가하였으며 Al/P 몰비가 낮을수록 교반강도의 영향이 컸다. T-P의 제거율은 Al/P 몰비 1.0 이하에서는 급속혼화 교반강도가 높을수록 높았으나 Al/P 몰비 1.0 이상에서는 G값 300 $s^{-1}$에서 가장 높은 제거 효율을 나타내었다. Al/P 비 1.0 이하에서는 G값 500 $s^{-1}$에서 가장 큰 FSI값을 나타내었으며, Al/P 몰비 1.0 이상에서는 G값 300 $s^{-1}$에서 가장 큰 FSI값을 나타내었다. 실제하수처리장 유출수를 대상으로 응집에 의한 인 제거에 Al/P 몰비와 급속혼화 강도의 영향은 인공조제수의 결과와 유사하였다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제20권4호
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• pp.125-129
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• 2021

We investigated the electronic property and atomic structure for chalcopyrite (CH) Al_xGa_1-xAs semiconductor by using first-principles FPLMTO method. The CH-Al_xGa_1-xAs exhibits a p-type semiconductor with a direct band-gap. For low Al concentration unoccupied hole-carriers are induced, but for high Al concentration it is formed a localized bonding or anti-bonding state below Fermi level. The hybridization of Al(3s)-Ga(4s, or 4p) is larger than that of Al(3s)-As(4s, or 4p). And the Al film on As-terminated surface, Al/AsGa(001), is more energetically favorable one than that on Ga-terminated (001) surface. Consequently, the band-gap of CH-Al_xGa_1-xAs system increases exponentially with increasing Al concentration. The change of lattice parameter is shown two different configurations with increasing Al concentration. The calculated lattice parameters for CH-Al_xGa_1-xAs system are compared to the experimental ones of zinc-blend GaAs and AlAs.

• 자원환경지질
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• 제42권5호
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• pp.501-507
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• 2009

본 연구에서는 단일 벽(Single-wall) 구조를 갖는 나노크기의 속이 빈(hollow) 볼(Ball)형(NBs; Nano-balls), 짧은 길이 튜브(S-NTs; Short-fiber Nano-tubes)형 및 긴 길이 튜브(L-NTs; Long-fiber Nano-tubes) 물질을 동일한 조성 Al/Ge=1.33을 갖는 Aluminogermanate(ALGE) Precursor 최초 혼합용액의 단순한 pH 조절 과정에서 자기조합(Self-assembly)을 통해 성공적으로 합성하였다. 먼저 pH=13으로의 염기성화(Na/Al=28~30) 및 최종 pH=9 조건에서 5 nm의 균질한 크기를 갖으며, 화학조성인 Al/Ge=1.5~1.6인 속이 빈 구조의 NBs가 합성되었다. pH=13으로의 염기성화 및 최종 pH=4 조건에서는 3.3 nm 지름, 길이 15~20 nm, Al/Ge=2.6~2.8의 S-NTs가 합성되었다. 그러나 pH=9로 염기성화(Na/Al=3.8) 시킨 후 최종 pH=4조건에서는 나노-튜브의 길이가 100 nm 이상인 L-NTs가 처음으로 합성되었다. 이러한 결과는 ALGE Precursor로부터 -Ge-OH 표면에서의 $H^+$-dissociation 정도 차이, 즉, $Na^+$ 양 및 최종 pH 조건을 달리함으로써 의도하는 형태의 ALGE 나노물질 유도가 가능함을 시사한다.

• 동력기계공학회지
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• 제5권4호
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• pp.74-81
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• 2001

The infiltration behavior of molten Al-alloy, microstructures, hardness, and the interfacial reactions of $SiC_p/Al$ composites fabricated by the pressureless infiltration technique were investigated. It was made clear that both the weight fraction of SiC reinforcement and additive Mg content considerably influenced on the infiltration behavior of the molten Al-alloy matrix. Complete infiltration of molten Al-alloy achieved under the conditions that weight fraction of SiC content is more than 30wt%, and additive Mg content is more than 9wt%. Interfacial region of Al-alloy matrix and SiC reinforcement phase, $Mg_2Si$ was formed by the reaction between Mg and SiC. Another reaction product AlN was also formed by the reaction between Al-alloy matrix and gas atmosphere nitrogen.

• 한국세라믹학회지
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• 제32권9호
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• pp.1076-1084
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• 1995

A mixture of aluminum isopropoxide (Al(OC3H7i)3) solution and sodium hydroxide (NaOH) solution was hydrolyzed in the range between pH 1~14. the powder obtained from sol-gel process was calcined at several temperatures and crystallization behaviors of various samples were investigated. The hydrolyzed sols of pH 1~6 wre clear, or near clear. On the other hand, powder precipitated from sols of pH 7~14. The sample obtained from pH 3 solution crystallized via complicated route, and $\beta$-Al2O3 and $\beta$"-Al2O3 phases appeared at lower temperature than samples from other pH conditions. And the quantity of remained $\beta$"-Al2O3 phase after heat treatment at 150$0^{\circ}C$ was more than samples from other pH conditions. After sintering, ionic conductivities were 1.3$\times$10-4S.cm-1 to 0.76$\times$10-4S.cm-1.0-4S.cm-1.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.408-409
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• 2007

Al-doped p-type ZnO films were fabricated on n-Si (100) and homo-buffer layers in pure oxygen at $450^{\circ}C$ by RF magnetron sputtering. Target was ZnO ceramic mixed with 2wt% $Al_2O_3$. XRD spectra show that the Al-doped ZnO thin films have ZnO crystal structure and homo-buffer layers are beneficial to Al-doped ZnO films to grow along c-axis. Hall Effect experiments with Van der Pauw configuration show that p-type carrier concentrations are ranged from $1.66{\times}10^{16}\;to\;4.04{\times}10^{18}cm^{-3}$, mobilities from 0.194 to $2.3cm^2V^{-1}s^{-1}$ and resistivities from 7.97 to $18.4{\Omega}cm$. P-type sample has density of $5.40cm^{-3}$ which is smaller than theoretically calculated value of $5.67cm^{-3}$. XPS spectra show that O1s has O-O and Zn-O structures and A12p has only Al-O structure. P-ZnO:Al/n-ZnO:Al junctions were fabricated by magnetron sputtering. V-I curves show that the p-n junctions have rectifying characteristics.

• 한국안광학회지
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• 제17권1호
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• pp.67-74
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• 2012

목적: 4~17세의 소아 및 청소년을 대상으로 굴절이상과 안광학 성분간의 상관관계를 연구하여 한국인의 소아 굴절이상에 대한 이해를 높이고자 한다. 방법: 2010년 10월부터 2011년 2월까지 서울 소재 안과 병원에 내원한 교정 시력이 0.7 이상으로 4~17세인 124명(230안)을 대상으로 조절마비 굴절검사 또는 현성 굴절검사를 실시하여 축적된 의무기록 데이터를 바탕으로 하여 등가구면 굴절력으로 굴절상태를 조사하고 IOL Master를 이용하여 안광학 성분을 측정하였다. 결과: 굴절이상도와 안광학 성분의 상관관계 연구에서 굴절이상도는 AL/CR(axial length/corneal radius) 비와 -0.92 음의 상관관계(p=0.00)를, 안축의 길이와는 -0.80 음의 상관관계(p=0.00)를, 전방 깊이와는 -0.35음의 상관관계(p=0.00)를, 각막 굴절력과는 -0.11 음의 상관관계(p=0.12)를, 각막 곡률반경과는 +0.11 양의 상관관계 (p=0.11)를 보였다. 안축의 길이는 AL/CR 비와 +0.84 양의 상관관계(p=0.00)를, 전방 깊이와는 +0.47 양의 상관관계(p=0.00)를, 각막 굴절력과는 -0.38 음의 상관관계(p=0.00)를, 곡률반경과는 +0.38의 양의 상관관계(p=0.00)를 보였다. 각막 곡률반경은 각막 굴절력과 -1 음의 상관관계(p=0.00)를, AL/CR 비와는 -0.19 음의 상관관계(p=0.00)를, 전방 깊이와는 -0.06 음의 상관관계(p=0.39)를 보였다. 각막 굴절력은 AL/CR 비와 +0.19 양의 상관관계(p=0.00)를, 전방 깊이와는 +0.06 양의 상관관계(p=0.39)를 보였다. 전방 깊이는 AL/CR 비와 +0.53 양의 상관관계(p=0.00)를 보였다. 결론: AL/CR 비는 안광학 성분들과 밀접한 상관관계가 있으며 눈의 굴절이상을 예측하는데 AL/CR 비가 중요한 요소임을 알 수 있었다.

• 센서학회지
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• 제8권5호
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• pp.421-426
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• 1999

본 논문에서는 반절연성 GaAs(semi-insulating GaAs) 기판위에 $Al_2O_3$ 절연막이 게이트 절연막으로 이용된 공핍형모드 p-채널 GaAs MOSFET (depletion mode p-channel GaAs MOSFET)를 제조하였다. 반절연성 GaAs 기판위에 $1\;{\mu}m$의 GaAs 버퍼층(buffer layer), $4000\;{\AA}$의 p형 GaAs 에피층(epi-layer), $500\;{\AA}$의 AlAs층, 그리고 $50\;{\AA}$의 캡층(cap layer)을 차례로 성장시키고 습식열산화시켰으며, 이를 통하여 AlAs층은 완전히 $Al_2O_3$층으로 산화되었다. 제조된 MOSFET의 I-V, $g_m$, breakdown특성 측정을 통하여 AlAs/GaAs epilayer/S I GaAs 구조의 습식열산화는 공핍형 모드 p-채널 GaAs MOSFET를 구현하기에 적합함을 알 수 있다.

• 한국재료학회지
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• 제22권6호
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• pp.316-320
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• 2012

$Co_3O_4$, $Al_2O_3$ and $Co_3O_4$/$Al_2O_3$ mesoporous powders were prepared by a sol-gel method with starting matierals of aluminum isopropoxide and cobalt (II) nitrate. A P123 template is employed as an active organic additive for improving the specific surface area of the mixed oxide by forming surfactant micelles. A transition metal cobalt oxide supported on alumina with and without P123 was tested to find the most active and selective conditions as a heterogeneous catalyst in the reaction of styrene epoxidation. A bBlock copolymer-P123 template was added to the staring materials to control physical and chemical properties. The properties of $Co_3O_4$/$Al_2O_3$ powder with and without P123 were characterized using an X-ray diffractometer (XRD), a Field-Emission Scanning Electron Microscope (FE-SEM), a Bruner-Emmertt-Teller (BET) surface analyzer, and $^{27}Al$ MAS NMR spectroscopy. Powders with and without P123 were compared in catalytic tests. The catalytic activity and selectivity were monitored by GC/MS, $^1H$, and $^{13}C$-NMR spectroscopy. The performance for the reaction of epoxidation of styrene was observed to be in the following order: [$Co_3O_4$/$Al_2O_3$ with P123-1173 K > $Co_3O_4$/$Al_2O_3$ with P123-973 K > $Co_3O_4$-973 K>$Co_3O_4$/$Al_2O_3$-973 K > $Co_3O_4$/$Al_2O_3$ with P123-1473 K > $Al_2O_3$-973 K]. The existence of ${\gamma}$-alumina and the nature of the surface morphology are related to catalytic activity.