The half-metallicity and magnetism of the (001) surfaces of $(AlP)_1/(CrP)_1$ superlattice were investigated by means of FLAPW (Full-potential Liniarized Augmented Plane Wave) method. We considered four types of (001) surface termination, i.e., Al(S)-, Cr(S)-, P(S)Al(S-1)- and P(S)Cr(S-1)-term systems. We found that only Cr(S)-term system maintains the half-metallicity at the surface as only this system has the calculated magnetic moment of integer number of bohr magnetons. The magnetic moment of Cr(S) atom in the system was $3.02{\mu}_B$ which was increased from the bulk value by the effects of band narrowing and increased spin-splitting at the surface. The electronic density of states of the P(S) atom in the P(S)Al(S-1)-term showed very sharp surface states due to the broken $p_z$ bonds at the surface. We found there is still a strong p-d hybridization between the P(S) and Cr(S-1) layers in the P(S)Cr(S-1)-term which causes a considerable increase of magnetic moment of P(S) atom.
In this study, the effects of mixing intensity and coagulant dosages on the characteristics of floc growth for phosphorus removal were investigated. The experiments were conducted under Al/P molar ratio of 1.0, 1.5 and 2.0; rapid mixing intensity with G value of 100, 300, and 500 $s^{-1}$. The characteristics of floc growth were measured by flocculation index (FSI) and the removal efficiencies of phosphorus by using different size filters. The removal efficiencies of soluble phosphorus increased as Al/P molar ratio and rapid mixing intensity increased. However, the highest removal efficiencies of T-P were observed at G value of 300 $s^{-1}$. When Al/P molar ratio was lower than 1.0, the value of FSI at G value of 500 $s^{-1}$ was the largest. However, when Al/P ratio was larger than 1.0, the value of FSI at G value 300 $s^{-1}$ was the largest. Effects of mixing intensity and Al/P molar ratio on coagulation for phosphorus removal of synthetic and real wastewater effluent were observed to be similar.
We investigated the electronic property and atomic structure for chalcopyrite (CH) AlxGa1-xAs semiconductor by using first-principles FPLMTO method. The CH-AlxGa1-xAs exhibits a p-type semiconductor with a direct band-gap. For low Al concentration unoccupied hole-carriers are induced, but for high Al concentration it is formed a localized bonding or anti-bonding state below Fermi level. The hybridization of Al(3s)-Ga(4s, or 4p) is larger than that of Al(3s)-As(4s, or 4p). And the Al film on As-terminated surface, Al/AsGa(001), is more energetically favorable one than that on Ga-terminated (001) surface. Consequently, the band-gap of CH-AlxGa1-xAs system increases exponentially with increasing Al concentration. The change of lattice parameter is shown two different configurations with increasing Al concentration. The calculated lattice parameters for CH-AlxGa1-xAs system are compared to the experimental ones of zinc-blend GaAs and AlAs.
Ordered single-walled hollow aluminogermanate (ALGE) nano-balls(NBs) and nano-tubes(NTs) have been self-assembled from the ALGE precursors having an Al/Ge ratio of 1.33 using simple pH-control. The hollow ALGE NBs with average monodisperse diameters of 5 nm and chemistry of Al/Ge=1.5~1.6 were formed through structural assembly in the ALGE solution (Al/Ge=1.33) highly basified to pH=13(Na/Al=28~30) and followed by immediate acidification to pH=9. When the basified solution(pH=13) were acidified to pH=4, ALGE S-NTs (Short-fiber nano-tubes) with diameters of 3.3 nm, 15~20 nm in length, and chemistry of Al/Ge=2.6~2.8 were successfully synthesized. Whereas the solution was basified to pH=9, and subsequently acidified to pH=4, L-NTs(Long-fiber nano-tubes) with >100 nm in length were synthesized for the first time. The self-assembly of the hollow NBs, S-NTs, and L-NTs form the ALGE precursors can be explained by the degree of $H^+$-dissociation of the -Ge-OH inner surfaces, which was controlled by amount of $Na^+$ and pH conditions of ALGE precursor solutions. This results indicate that target forms of ALGE nanomaterials can be synthesized by simple pH controls.
The infiltration behavior of molten Al-alloy, microstructures, hardness, and the interfacial reactions of $SiC_p/Al$ composites fabricated by the pressureless infiltration technique were investigated. It was made clear that both the weight fraction of SiC reinforcement and additive Mg content considerably influenced on the infiltration behavior of the molten Al-alloy matrix. Complete infiltration of molten Al-alloy achieved under the conditions that weight fraction of SiC content is more than 30wt%, and additive Mg content is more than 9wt%. Interfacial region of Al-alloy matrix and SiC reinforcement phase, $Mg_2Si$ was formed by the reaction between Mg and SiC. Another reaction product AlN was also formed by the reaction between Al-alloy matrix and gas atmosphere nitrogen.
A mixture of aluminum isopropoxide (Al(OC3H7i)3) solution and sodium hydroxide (NaOH) solution was hydrolyzed in the range between pH 1~14. the powder obtained from sol-gel process was calcined at several temperatures and crystallization behaviors of various samples were investigated. The hydrolyzed sols of pH 1~6 wre clear, or near clear. On the other hand, powder precipitated from sols of pH 7~14. The sample obtained from pH 3 solution crystallized via complicated route, and $\beta$-Al2O3 and $\beta$"-Al2O3 phases appeared at lower temperature than samples from other pH conditions. And the quantity of remained $\beta$"-Al2O3 phase after heat treatment at 150$0^{\circ}C$ was more than samples from other pH conditions. After sintering, ionic conductivities were 1.3$\times$10-4S.cm-1 to 0.76$\times$10-4S.cm-1.0-4S.cm-1.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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pp.408-409
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2007
Al-doped p-type ZnO films were fabricated on n-Si (100) and homo-buffer layers in pure oxygen at $450^{\circ}C$ by RF magnetron sputtering. Target was ZnO ceramic mixed with 2wt% $Al_2O_3$. XRD spectra show that the Al-doped ZnO thin films have ZnO crystal structure and homo-buffer layers are beneficial to Al-doped ZnO films to grow along c-axis. Hall Effect experiments with Van der Pauw configuration show that p-type carrier concentrations are ranged from $1.66{\times}10^{16}\;to\;4.04{\times}10^{18}cm^{-3}$, mobilities from 0.194 to $2.3cm^2V^{-1}s^{-1}$ and resistivities from 7.97 to $18.4{\Omega}cm$. P-type sample has density of $5.40cm^{-3}$ which is smaller than theoretically calculated value of $5.67cm^{-3}$. XPS spectra show that O1s has O-O and Zn-O structures and A12p has only Al-O structure. P-ZnO:Al/n-ZnO:Al junctions were fabricated by magnetron sputtering. V-I curves show that the p-n junctions have rectifying characteristics.
Purpose: The purpose of this study to evaluate visual acuity and refractive state and measure and analyze the components of eye's optical system in children and teenagers. Methods: With subjects of 124 (230 eyes) children and teenagers who had no eye diseases, correlation between the correlation between refractive errors and component's of eye's optical system was investigated. The spherical equivalent power of cycloplegic clinical refraction or manifest clinical refraction(SE), corneal power(CP), corneal radius(CR), axial length(AL), anterior chamber depth(ACD) and axial length to corneal radius (AL/CR) ratio were measured and analysed. Results: the SE was negatively correlated with the AL(r = -0.80, p = 0.00), the ACD(r = -0.35, p = 0.00) and the CR(r = -0.11, p=0.00) and positively correlated with the CP(r = +0.11, p=0.00). The AL was positively correlated with the AL/CR ratio (r = +0.84, p = 0.00), the ACD(r = +0.47, p=0.00) and the CR(r = +0.38, p = 0.00) and negatively correlated with the CP(r = -0.38, p=0.00). The CR was negatively correlated with CP(r = -1.00, p = 0.00), the AL/CR ratio(r = -0.19, p = 0.00) and the ACD(r = -0.06, p = 0.39). The CP was positively correlated with the AL/CR ratio(r = +0.19, p = 0.00) and the ACD(r = +0.06, p = 0.39). The ACD was positively correlated with the AL/CR ratio(r = 0.53, p = 0.00). Conclusions: the highest change of refractive errors was shown that the AL/CR ratio was a very important indicator for diagnosing the refractive errors of the children and teenagers.
In this paper, we present p-channel GaAs MOSFET having $Al_2O_3$ as gate insulator fabricated on a semi-insulating GaAs substrate, which can be operated in the depletion mode. $1\;{\mu}m$ thick undoped GaAs buffer layer, $4000\;{\AA}$ thick p-type GaAs epi-layer, undoped $500{\AA}$ thick AlAs layer, and $50\;{\AA}$ thick GaAs cap layer were subsequently grown by molecular beam epitaxy(MBE) on (100) oriented semi-insulating GaAs substrate and this wafer was oxidized. AlAs layer was fully oxidized as a $Al_2O_3$ thin film. The I-V, $g_m$, breakdown charateristics of the fabricated GaAs MOSFET showed that wet thermal oxidation of AlAs/GaAs epilayer/S I GaAs was successful in realizing depletion mode p-channel GaAs MOSFET.
$Co_3O_4$, $Al_2O_3$ and $Co_3O_4$/$Al_2O_3$ mesoporous powders were prepared by a sol-gel method with starting matierals of aluminum isopropoxide and cobalt (II) nitrate. A P123 template is employed as an active organic additive for improving the specific surface area of the mixed oxide by forming surfactant micelles. A transition metal cobalt oxide supported on alumina with and without P123 was tested to find the most active and selective conditions as a heterogeneous catalyst in the reaction of styrene epoxidation. A bBlock copolymer-P123 template was added to the staring materials to control physical and chemical properties. The properties of $Co_3O_4$/$Al_2O_3$ powder with and without P123 were characterized using an X-ray diffractometer (XRD), a Field-Emission Scanning Electron Microscope (FE-SEM), a Bruner-Emmertt-Teller (BET) surface analyzer, and $^{27}Al$ MAS NMR spectroscopy. Powders with and without P123 were compared in catalytic tests. The catalytic activity and selectivity were monitored by GC/MS, $^1H$, and $^{13}C$-NMR spectroscopy. The performance for the reaction of epoxidation of styrene was observed to be in the following order: [$Co_3O_4$/$Al_2O_3$ with P123-1173 K > $Co_3O_4$/$Al_2O_3$ with P123-973 K > $Co_3O_4$-973 K>$Co_3O_4$/$Al_2O_3$-973 K > $Co_3O_4$/$Al_2O_3$ with P123-1473 K > $Al_2O_3$-973 K]. The existence of ${\gamma}$-alumina and the nature of the surface morphology are related to catalytic activity.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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