• 제목/요약/키워드: resistor string

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10-bit Source Driver with Resistor-Resistor-String Digital to Analog Converter Using Low Temperature Poly-Si TFTs

  • Kang, Jin-Seong;Kim, Hyun-Wook;Sung, Yoo-Chang;Kwon, Oh-Kyong
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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    • pp.696-699
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    • 2008
  • A 10-bit source driver using low temperature poly-silicon(LTPS) TFTs is developed. To reduce the DAC area, the DAC structure including two 5-bit resistor-string DACs and analog buffer, which has analog adder is proposed. The source driver is fabricated using LTPS process and its one channel area is $3,200{\mu}m\;{\times}\;260{\mu}m$. The simulated INL and DNL of output voltages are less than 3 LSB and 1 LSB, respectively.

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0.18 ㎛ CMOS 공정을 이용한 저 전력 1 Ms/s 12-bit 2 단계 저항 열 방식 DAC (A Low-Power 1 Ms/s 12-bit Two Step Resistor String Type DAC in 0.18 ㎛ CMOS Process)

  • 유명섭;박형구;김홍진;이동수;이성호;이강윤
    • 전자공학회논문지
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    • 제50권5호
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    • pp.67-74
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    • 2013
  • 본 논문은 무선 센서분야를 위한 1MS/s rate의 저 전력 12-bit 2단계 저항 열 DAC를 제시하고 있다. 2단계 저항 열 구조를 채택함으로써 복잡함을 줄이고, 소비 전력을 최소화 하고 변환속도를 증가 시킬 수 있었다. 이 칩은 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정에서 제작 되었으며, Die 면적은 $0.76{\mu}m{\times}0.56{\mu}m$ 이다. 1.8V의 공급 전압으로부터 측정된 전력 소비는 1.8 mW 이다. 샘플링 주파수가 1MHz 이하에서 측정된 동적 동작범위(Spurious-Free Dynamic Range: SFDR)은 70dB 이다.

MML(merged memory logic) 라이브러리 구축을 위한 반자동 아날로그 컴파일러 개발에 관한 연구 (A Study on the Development of Semi-automated Analog Cell Compiler for MML Library)

  • 최문석;송병근곽계달
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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    • pp.695-698
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    • 1998
  • Today SOC(system on a chip) is a trend in VLSI design society. Especially MML(merged memory Logic) process provides designers with good chances to implement SOC which is consists of DRAM, SRAM, Logic and A/D mixed mode ciruit blocks. Designers need good circuit library which is reliable and easy to tune for specific design. For this need we present semi-automated analog compiler methodology. And we aplied this design methodology to resistor-string DAC design.

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디지털 방식의 이득조절 기능을 갖는 CMOS VGA를 위한 새로운 가변 축퇴 저항 (A New Variable Degeneration Resistor for Digitally Programmable CMOS VGA)

  • 권덕기;박종태;유종근
    • 전기전자학회논문지
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    • 제7권1호
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    • pp.43-55
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    • 2003
  • 디지털 신호에 의해 이득이 조절되는 CMOS VGA의 구조로는 축퇴된 차동쌍 구조가 많이 사용되고 있다. 이 구조에서 가변 축퇴 저항을 구현하기 위해 기존해 사용되던 방법으로는 MOSFET 스위치와 함께 저항열 구조를 사용하는 방법과 R-2R 사다리 구조를 사용하는 방법이 있다. 그러나 이 방법들을 이용하는 경우에는 축퇴 저항에서의 dc 전압 강하에 의해 저전압 동작이 어려우며, 높은 이득 설정시 대역폭이 크게 제한되기 때문에 고속의 VGA 구현이 어렵다. 따라서, 본 논문에서는 이러한 문제점들을 해결하기 위해 축퇴 저항에서의 dc 전압 강하를 제거한 새로운 가변 축퇴 저항을 제안하였다. 제안된 이득조절 방법을 사용하면, 저전압에서 고속의 VGA 구현이 용이해 진다. 기존의 이득조절 방법들의 문제점과 제안된 이득조절 방법의 원리 및 장점 그리고 기존의 방법들과 성능 비교에 대해 자세히 언급하였다. 또한, 제안된 축퇴 저항을 사용하여 VGA 셀을 설계한 결과 -12dB에서 +12dB까지 6dB 단계의 이득 조절 범위에서 3dB 대역폭은 650㎒ 보다 크고, 이득오차는 0.3dB 보다 작으며, 2.5V 전원에서 3.1㎃의 전류소모 특성을 보였다.

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새로운 가변 Degeneration 저항을 사용한 2.5V 300MHz 80dB CMOS VGA 설계 (Design of a 2.5V 300MHz 80dB CMOS VGA Using a New Variable Degeneration Resistor)

  • 권덕기;문요섭;김거성;박종태;유종근
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권9호
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    • pp.673-684
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    • 2003
  • 디지털 신호에 의해 이득이 조절되는 CMOS VGA의 구조로는 degenerated 차동쌍 구조가 많이 사용되고 있다. 이 구조에서 가변 degeneration 저항을 구현하기 위해 기존해 사용되던 방법으로는 MOSFET 스위치와 함께 저항열 구조를 사용하는 방법과 R-2R ladder 구조를 사용하는 방법이 있다. 그러나 이 방법들을 이용하는 경우에는 degeneration 저항에서의 dc 전압 강하에 의해 저전압 동작이 어려우며, 높은 이득 설정시 대역폭이 크게 제한되기 때문에 고속의 VGA 구현이 어렵다. 따라서, 본 논문에서는 이러한 문제점들을 해결하기 위해 degeneration 저항에서의 dc 전압 강하를 제거한 새로운 가변 degeneration 저항을 제안하였다. 제안된 이득조절 방법을 사용하여, 저전압에서 동작하는 고속의 CMOS VGA를 설계하였다. 0.2㎛ CMOS 공정변수를 사용하여 HSPICE 모의실험을 한 결과, 설계된 VGA는 360MHz의 대역폭과 80dB의 이득조절 범위를 갖는다. 이득오차는 200MHz에서 0.4dB보다 작으며 300MHz에서는 1.4dB보다 작다. 설계된 회로는 2.5V의 전원전압에서 10.8mA의 전류를 소모하며, 칩 면적은 1190㎛×360㎛이다.

Gain Controllable ABC using Two-Stage Resistor String for CMOS Image Sensor

  • No, Ju-Young;Yoon, Jin-Han;Park, Soo-Yang;Park, Yong;Son, Sang-Hee
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2002년도 ITC-CSCC -1
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    • pp.341-344
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    • 2002
  • This paper is proposed a 8-bit analog to digital converter for CMOS image sensor. A analog to digital converter for CMOS image sensor is required function to control gain. Frequency divider is used In control gain in this proposed analog to digital converter. At 3.3 Volt power supply, total static power dissipation is 8㎽ and programmable gain control range is 30㏈. Newly suggested analog to digital converter is designed by 0.35um 2-poly 4-metal CMOS technology.

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AMOLED 컬럼 구동회로 응용을 위한 시분할 기법 기반의 면적 효율적인 10b DAC (An Area-Efficient Time-Shared 10b DAC for AMOLED Column Driver IC Applications)

  • 김원강;안태지;이승훈
    • 전자공학회논문지
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    • 제53권5호
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    • pp.87-97
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    • 2016
  • 본 논문에서는 시분할 기법을 적용하여 AMOLED 컬럼 구동회로용 DAC의 유효 채널 면적을 최소화한 2단 저항 열 기반의 10비트 DAC를 제안한다. 제안하는 DAC는 시분할 기법 기반의 DEMUX, 6비트 및 4비트의 2단 저항 열 구조를 기반으로 하는 롬 구조의 디코더를 2단계로 사용하여 기존의 디스플레이용 DAC보다 빠른 변환속도를 가지는 동시에 하나의 패널 컬럼 구동을 위한 DAC의 유효 면적을 최소화하였다. 두 번째 단 4비트 저항 열에서는 DAC 채널의 면적과 부하 영향을 줄이는 동시에 버퍼 증폭기로 인한 채널 간 오프셋 부정합을 제거하기 위해 기존의 단위-이득 버퍼 대신 간단한 구조의 전류원으로 대체하였다. 제안하는 1:24 DEMUX는 하나의 클록과 5비트 2진 카운터만을 사용하여, 하나의 DAC 채널이 24개의 컬럼을 순차적으로 구동할 수 있도록 하였다. 각 디스플레이 컬럼을 구동하는 출력 버퍼 입력 단에는 0.9pF의 샘플링 커패시터와 작은 크기의 source follower를 추가하여 top-plate 샘플링 구조를 사용하면서 채널 전하 주입에 의한 영향을 최소화하는 동시에 출력 버퍼의 신호정착 정확도를 향상시켰다. 제안하는 DAC는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정으로 제작하였으며, DAC 출력의 정착 시간은 입력을 '$000_{16}$'에서 '$3FF_{16}$'으로 인가했을 때 62.5ns의 수준을 보인다. 제안하는 DAC 단위 채널의 면적 및 유효 채널 면적은 각각 $0.058mm^2$$0.002mm^2$이며, 3.3V의 아날로그 및 1.8V의 디지털 전원 전압에서 6.08mW의 전력을 소모한다.

10-비트 CMOS 시간-인터폴레이션 디지털-아날로그 변환기 (A 10-bit CMOS Time-Interpolation Digital-to-Analog Converter)

  • 김문규;장영찬
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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    • pp.225-228
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    • 2012
  • 본 논문은 8-비트 디코더, 2-비트 시간-인터폴레이터, 그리고 출력 버퍼로 구성된 10-비트 시간-인터폴레이션 디지털-아날로그 변환기를 제안한다. 제안하는 시간-인터폴레이션 기법은 RC 로우패스 필터에 의한 시정수를 이용해서 charging time을 조절하여 아날로그 값을 결정하는 방법이다. 또한 시간-인터폴레이터를 구현하기 위해 공정 변화를 최소화하기 위해 레플리카 회로를 포함한 제어 펄스 발생기를 제안한다. 제안하는 10-비트 시간-인터폴레이션 디지털-아날로그 변환기는 3.3 V $0.35{\mu}m$ 1-poly 6-metal CMOS 공정을 이용하여 설계된다. 설계된 10-비트 시간-인터폴레이션 디지털-아날로그 변환기의 면적은 기존의 10-비트 저항열 디지털-아날로그 변환기의 61%를 차지한다. 그리고 시뮬레이션 된 DNL과 INL은 각각 +0.15/-0.21 LSB와 +0.15/-0.16 LSB이다.

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14 비트 분해능을 갖는 2차 Sigma-Delta 변조기 설계를 위한 구성요소의 최대에러 허용 범위 조사 (Investigation of miximum permitted error limits for second order sigma-delta modulator with 14-bit resolution)

  • 조병욱;최평;손병기
    • 한국통신학회논문지
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    • 제23권5호
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    • pp.1310-1318
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    • 1998
  • 저주파의 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하기 위해 sigma-delta 아날로그-디지털 변환기의 이용이 용이하다. 이 변환기는 변조기와 디지털 필터로 구성되는데 여기에서는 변조기에 대해 언급한다. 14비트 분해능을 갖는 2차 sigma-delta 변조기를 설계하기 위한 변조기의 구성요소 즉 연산 증폭기, 적분기, 내부 ADC 및 DAC의 최대 허용 에러 범위를 규정하였다. 이를 위하여 먼저 이상적인 변조기를 모델링하고 다음으로 변조기의 성능을 저하시키는 여러 가지 에러 요인 즉 연산증폭기의 최대 출력 제한, DC 이득, slew rate, 축전기의 불일치에 의한 적분기 이득 에러와 내부 ADC 및 DAC의 에러 등을 이상적인 모델에 적용하여 성능을 검증하였다. 이러한 에러 허용 범위에 대한 조사를 바탕으로 sigma-delta 변조기 설계 시 요구되는 구성 요소의 사양을 결정 할 수 있으며, 제조과정에서 나타나는 에러 성분에 대한 한계를 규정하여 최종 제작될 변조기의 성능을 확신 할 수 있다.

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고속 . 저전력 CMOS 아날로그-디지탈 변환기 설계 (A Design of CMOS Analog-Digital Converter for High-Speed . Low-power Applications)

  • 이성대;홍국태;정강민
    • 한국정보처리학회논문지
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    • 제2권1호
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    • pp.66-74
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    • 1995
  • 이 논문에서는 고속 저전력 분야에 적용하기 위한 8비트, 15MHz A/D 변환기 설계 에 관해 기술한다. 2단 플래시 방식인 서브레인징 구조 A/D 변환기에서 칩 면적을 줄 이기 위해 저항의 수를 감소시킨 전압분할 회로를 설계하였다. 비교기는 80 dB의 이득, 50 MHz의 대역폭, 오프셋 전압이 0.5mV이고, 전압분할 회로의 최대오차는 1mV이다. 설계된 A/D변환기는 +5/-5V 공급 전압에 대해 전력소비가 150mW, 지연시간이 65ns 이다. A/D 변환기는 N-well공정을 이용하여 설계하고, 제작하였다. 제안된 변환기는 고속, 저전력, 소형 단일 칩 아날로그-디지탈 혼합 시스템 응용에 적합하다. 시뮬레이 션은 PSPICE를 이용하여 수행하였고, 1차 가공된 칩을 데스트 하였다.

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