• 제목/요약/키워드: resistor

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디지털 방식의 이득조절 기능을 갖는 CMOS VGA를 위한 새로운 가변 축퇴 저항 (A New Variable Degeneration Resistor for Digitally Programmable CMOS VGA)

  • 권덕기;박종태;유종근
    • 전기전자학회논문지
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    • 제7권1호
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    • pp.43-55
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    • 2003
  • 디지털 신호에 의해 이득이 조절되는 CMOS VGA의 구조로는 축퇴된 차동쌍 구조가 많이 사용되고 있다. 이 구조에서 가변 축퇴 저항을 구현하기 위해 기존해 사용되던 방법으로는 MOSFET 스위치와 함께 저항열 구조를 사용하는 방법과 R-2R 사다리 구조를 사용하는 방법이 있다. 그러나 이 방법들을 이용하는 경우에는 축퇴 저항에서의 dc 전압 강하에 의해 저전압 동작이 어려우며, 높은 이득 설정시 대역폭이 크게 제한되기 때문에 고속의 VGA 구현이 어렵다. 따라서, 본 논문에서는 이러한 문제점들을 해결하기 위해 축퇴 저항에서의 dc 전압 강하를 제거한 새로운 가변 축퇴 저항을 제안하였다. 제안된 이득조절 방법을 사용하면, 저전압에서 고속의 VGA 구현이 용이해 진다. 기존의 이득조절 방법들의 문제점과 제안된 이득조절 방법의 원리 및 장점 그리고 기존의 방법들과 성능 비교에 대해 자세히 언급하였다. 또한, 제안된 축퇴 저항을 사용하여 VGA 셀을 설계한 결과 -12dB에서 +12dB까지 6dB 단계의 이득 조절 범위에서 3dB 대역폭은 650㎒ 보다 크고, 이득오차는 0.3dB 보다 작으며, 2.5V 전원에서 3.1㎃의 전류소모 특성을 보였다.

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마그네트론 스퍼터링에 의해 제조된 CrAlSiN 박막의 화학성분에 따른 온도저항계수와 미세구조

  • 문선철;하상민;김상호
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.100-102
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    • 2013
  • Magnetron-sputtering법을 사용하여 기존에 연구하였던 CrAlN (Cr 7:Al 3)박막에 Si를 첨가하여 Si의 함량 변화에 따라 미세구조와 화학적 결합상태, 온도저항계수(TCR) 및 산화저항의 영향과 기계적특성 개선을 통한 multi-functional heater resistor layer로써의 가능성을 연구하였다. CrAlSiN 박막의 Si 함량에 변화에 따라 온도저항계수 변화를 확인하였으며 X-선 회절 분석(XRD) 패턴 분석결과 CrAlSiN 박막의 결정구조가 Bl-NaCl 구조를 가지고 있는 것을 확인하였으며 SEM과 AFM을 통한 표면 및 미세구조 분석결과 Si의 함량이 증가할수록 입자가 조밀해짐을 알 수 있었다. 최근 digital priting technology의 핵심 기술로 부각되고 있는 inkjet priting technology는 널리 태양전지뿐만 아니라 thin film process, lithography와 같은 반도체 공정 기술에 활용 할 수 있기 때문에 반도체 제조장비에도 사용되고 있으며, 현재 thermal inkjet 방식을 사용하고 있다. Inkjet printing technology는 전기 에너지를 잉크를 배출하기 위해 열에너지로 변환하는 thermal inkjet 방식을 사용하고 있는데, 이러한 thermal inkjet 방식은 기본적으로 전기저항이 필요하지만 electrical resistor layer는 잉크를 높은 온도에서 순간적으로 가열하기 때문에 부식이나 산화 등의 문제가 발생할 수 있어 이에 대한 보호층을 필요로 한다. 하지만, 고해상도, 고속 잉크젯 프린터, 대형 인쇄 등을 요구되고 있어 저 전력 중심의 잉크젯 프린터의 열효율을 방해하는 보호층 제거에 필요성이 제기되고 있다. 본 연구는 magnetron-sputtering을 사용하여 기존의 CrAlN 박막에 Si를 합성하여 anti-oxidation, corrosion resistance 그리고 low temperature coefficient of resistance 값을 갖는 multi-functional heater resistor layer로써 CrAlSiN 박막의 Si 함량에 따른 효과에 초점을 두었다. 본 실험은 CrAlN 박막에 Si 함량을 4~11 at%까지 첨가시켜 함량의 변화에 따른 특성변화를 확인하였다. 함량이 증가할수록 amorphous silicon nitride phase의 영향으로 박막의 roughness는 감소하였으며 XRD 분석결과 (111) peak의 Intensity가 감소함을 확인하였으며 SEM 관찰시 모든 박막이 columnar structure를 나타내었으며 Si함량이 증가할수록 입자가 치밀해짐을 보여주었다.Si함량이 증가할수록 CrAlN 박막에 비하여 면저항은 증가하였으며 TCR 측정결과 Si함량이 6.5 at%일 때 가장 안정한 TCR값을 나타내었다. Multi-functional heater resistor layer 역할을 하기 위해서, CrAlSiN 박막의 원소 분포, 표면 거칠기, 미세조직, 전기적 특성 등을 조사하였다. CrAlN 박막의 Si의 첨가는 크게 XRD 분석결과 주상 성장을 억제 할 수 있으며 SEM 분석을 통하여 Si 함량이 증가할수록 Si3N4 형성이 감소하며 입자크기가 작아짐을 확인하였다. 면저항의 경우 Si 함량이 증가함에 따라 높은 면저항을 나타내었으며 Si함량이 6.5 at%일 때 가장 낮은 TCR 값인 3120.53 ppm/K값을 보였다. 이 값은 상용되고 있는 heater resistor보다 높지만, CrAlSiN 박막이 더 우수한 기계적 특성을 가지고 있기 때문에 hybrid heater resistor로 적용할 수 있을 것으로 기대된다.

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완전-차동 선형 OTA를 사용한 새로운 계측 증폭기 설계 (A Design of Novel Instrumentation Amplifier Using a Fully-Differential Linear OTA)

  • 차형우
    • 전자공학회논문지
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    • 제53권1호
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    • pp.59-67
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    • 2016
  • 저가, 광대역, 그리고 넓은 이득 제어 범위를 갖는 전자 계측 시스템을 실현하기 위한 완전-차동 선형(fully-differential linear operational transconductance amplifier : FLOTA)를 사용한 새로운 계측 증폭기(instrumentation amplifier : IA)를 설계하였다. 이 IA는 한 개의 FLOTA, 두 개의 저항 그리고 한 개의 연산 증폭기(operational amplifier : op-amp로 구성된다. 동작 원리는 FLOTA에 인가되는 두 입력 전압의 차가 각각 동일한 차동 전류로 변환되고 이 전류는 op-amp의 (+)단자의 저항기와 귀환 저항기를 통과시켜 단일 출력 전압을 구하는 것이다. 제안한 IA의 동작 원리를 확인하기 위해 FLOTA를 설계하였고 상용 op-amp LF356을 사용하여 IA를 구현하였다. 시뮬레이션 결과 FLOTA를 사용한 전압-전류 특성은 ${\pm}3V$의 입력 선형 범위에서 0.1%의 선형오차와 2.1uA의 오프셋 전류를 갖고 있었다. IA는 1개의 저항기의 저항 값 변화로 -20dB~+60dB의 이득을 갖고 있으며, 60dB에 대한 -3dB 주파수는 10MHz이였다. 제안한 IA의 외부의 저항기의 정합이 필요 없고 다른 저항기로 오프셋을 조절할 수 있는 장점을 갖고 있다. 소비전력은 ${\pm}5V$ 공급전압에서 105mW이였다.

SPICE를 이용한 무전극 램프의 모델링 및 시뮬레이션 (A SPICE Modeling and Simulation of Electrodeless fluorescent lamp Endura)

  • 박석인;한수빈;정봉만;유승원;장우진
    • 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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    • 한국조명전기설비학회 2002년도 학술대회논문집
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    • pp.19-21
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    • 2002
  • Electroded lamps operated at a high enough frequency can usually be modeled for the purpose of ballast design, as a resistor. Electrodeless fluorescent lamps include other components such as the arc tube's inductance. But that's impedance is small and so will be neglected in this paper. So, electrodeless fluorescent lamps is modeled as a resistor. A SPICE compatible model was developed for an electrodeless fluorescent lamp(OSRAM SYLVANIA ICETRON/ENDURA 150W).

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Chua 회로에서의 카오스 동기화 (Chaos Synchronization using Chua Circuit)

  • 배영철
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2000년도 춘계종합학술대회
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    • pp.247-254
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    • 2000
  • Chua's circuit is a simple electronic network which exhibits a variety of bifurcation and attractors. The circuit consists of two capacitors, an inductor, a linear resistor, and a nonlinear resistor. In this paper, a transmitter and a receiver using two identical Chua's circuits are proposed and a synchronizations methods are investigated. Since the synchronization of the transmission system or nonidea system are impossible by coupled synchronization, the drive-response synchronization theory were used.

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OPERA를 이용한 MRI 마그네트의 권선간 인덕턴스 계산 (Inductance Calculation with OPERA program between Sections of MRI Magnet)

  • 배준한;심기덕;고락길;진홍범;권영길;류강식;이상진
    • 한국초전도저온공학회:학술대회논문집
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    • 한국초전도저온공학회 2000년도 KIASC Conference 2000 / 2000년도 학술대회 논문집
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    • pp.173-176
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    • 2000
  • MRI magnet has generally multi-section coil configurations to generate highly homogeneous magnetic field. Each coil is bridged by a shunt resistor to protect the superconducting magnet during quench. In order to optimize the shunt resistor, self inductance of each coil and mutual inductances between coils should be determined beforehand. Therefore, we calculated the self and the mutual inductances of MRI magnet with OPERA program for electromagnetic analysis.

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EMTP를 이용한 765kV 송전선로 다상 섬락에 관한 연구 (A Study on Multi-Phase Flashover in 765kV Transmission Line using EMTP)

  • 가복현;민석원
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 E
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    • pp.1586-1588
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    • 1998
  • To use the EMTP, in this paper, a arcing horn is simulated by non-linear resistor and inductor element using TACS, a tower by distributed parameter model, and lines as K. C. Lee model. Changing lightning current characteristics, lightning position, and tower footing resistor value, we analysis multi-phase flashover characteristics in 765 kV transmission line.

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전송선형 초광대역 FM변별기에서 결합 저항기의 오차가 미치는 영향 (Effects of Coupling Resistor Resistance Discrepancy from Characteristic Impedance on Discriminating Characteristics of Super Wide-Band FM Line Discriminator)

  • 이충웅
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제7권4호
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    • pp.1-5
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    • 1970
  • 본 논문에서는 전차선형초광대역 FM 변별기의 결합저항식(변별기에 사용된 전송선의 특성임피단스)와의 오차가 ±10%이내일 때 전송선형 FM 변별기의 입력임피단스와 출력파형의 디스토숀에 미치는 영향을 고찰했다.

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