• 해양환경안전학회:학술대회논문집
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• 해양환경안전학회 2018년도 공동국제학술발표회
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• pp.13-13
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• 2018

• 한국진공학회지
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• 제3권1호
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• pp.71-76
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• 1994

The electrical characteristics of the capacitor dielectric films of amorphous silicon-nit-ride-oxide(ANO) structures are compared with the capacitor dielectric films of oxide-nitride-oxide (ONO) structrues The electrical characteristics of ONO and ANO films were evaluated by high frequency(1 MHz) C-V high frequency C-V after constant voltage stree I-V TDDB and refresh time measurements. ANO films shows good electrical characteristics such as higher total charge to breakdown storage capacitance and longer refresh time than ONO films. Also it makes little difference that leakage current and flat band voltage shyift(ΔVfb)of ANO ana ONO films.

• 한국방송∙미디어공학회:학술대회논문집
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• 한국방송공학회 1997년도 학술대회
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• pp.91-93
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• 1997

본 논문에서는 실시간 비디오 서비스에 적합한 MPEG2 인코더-Splitted Intra-refresh[3]의 성능을 검증, 과시한다. 여기서는 M value에 따른 분석 및 양자화 인수에 따른 성능, 입력 영상의 종류에 따른 효과 등을 비교, 검토한다. 제안한 방법은 기존의 방법에 비해 비트율의 오차헤드는 적으면서도 비트율 평탄화 효과가 뛰어나며 셀손실율 역시 낮게 나타났다. 그러나 허용하는 지연이 짧을 경우에는(50msec 이하) 매우 효과적이나 지연이 클 경우(100msec 이상)에는 효과가 없다. 따라서 제안한 방법은 짧은 지연을 요구하는 실시간 VBR 비디오 데이터의 ATM 전송에 적합하다.

• 해양환경안전학회:학술대회논문집
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• 해양환경안전학회 2017년도 공동학술발표회
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• pp.197-197
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• 2017

• 정보처리학회논문지D
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• 제13D권1호
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• pp.11-22
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• 2006

XML 문서의 생성 및 활용도가 증가함으로 인해 XML 문서를 데이터베이스에 저장하여 관리하는 기법이 활발히 연구되고 있다. 관계형 또는 객체 관계형 데이터베이스 관리 시스템(RDBMS/ORDBMS)을 XML 문서의 저장소로 사용하는 것은 현재 가장 실용적인 방법으로 받아들여지고 있다. 데이터베이스에 저장된 XML 문서에 대한 빠른 질의 처리를 위하여 XML 질의 캐쉬를 사용할 수 있다. 그러나 XML 질의 캐쉬의 사용은 하부 자료의 변경에 대한 일관성 유지비용이 든다. 본 논문에서는, ORDBMS를 XML 질의 캐쉬와 하부 XML 자료의 저장소로 사용하고 변경로그를 사용하여 XML 질의 캐쉬를 지연 갱신할 때, XML 질의 캐쉬에 대한 비효율적인 갱신의 원인인 변경로그에 저장된 동일한 XML 문서에 대한 중복 변경을 제거 또는 여과하는 알고리즘을 제시한다. 또한 이를 바탕으로 XML 질의 캐쉬의 갱신에 사용할 최적화된 SQL 문을 생성한다. 실험을 통해 본 논문에서 제안한 XML 질의 캐쉬의 지연 갱신 방법의 효율성을 보인다.

• 전기전자학회논문지
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• 제5권1호
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• pp.43-51
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• 2001

메모리의 집적도가 올라갈수록 원치 않는 셀간의 간섭과 동시에 bit-line간의 상호 노이즈도 증가하게 된다. 그리고 높은 고장 검출율을 요구하는 고집적 메모리의 테스트는 많은 테스트 백터를 요구하게 되거나 비교적 큰 추가 테스트 회로를 요구하게 된다. 지금까지 기존의 테스트 알고리즘은 이웃 bit-line의 간섭이 아니라 이웃 셀에 중점을 두었다. 본 논문에서는 NPSFs(Neighborhood Pattern Sensitive Faults)를 기본으로 한 NBLSFs(Neighborhood Bit-Line Sensitive Faults)를 위한 새로운 테스터 알고리즘을 제안한다. 그리고 제안된 알고리즘은 부가 회로를 요구하지 않는다. 메모리 테스트를 위해 기존의 5개의 셀 레이아웃이나 9개의 셀 레이아웃을 사용하지 않고 NBLSF 검출에 최소한 크기인 3개의 셀 레이아웃을 이용하였다. 더구나 이웃 bit-line에 의한 최대의 상호잡음을 고려하기 위해 테스트 동작에 refresh 동작을 추가하였다(예 $write{\rightarrow}\;refresh{\rightarrow}\;read$). 또한 고착고장, 천이고장, 결합고장, 기존의 pattern sensitive 고장, 그리고 이웃 bit-line sensitive 고장 등도 검출될 수 있음을 보여준다.

• 정보처리학회논문지D
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• 제8D권4호
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• pp.327-338
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• 2001

뷰는 이질적인 데이터의 통합 및 여과(filtering) 기능을 통해서 사용자가 요구하는 데이터를 제공한다. 뷰는 질의 처리의 성능 향상을 위해 형성뷰(materialized view)로 유지될 수 있다. 형성뷰는 하부 데이터가 변경되었을 경우에 일관성을 유지해야하는데, 그 기법으로는 뷰의 재생성(recomputation)과 변경 내용 중 뷰와 관련이 있는 것만 반영하는 점진적 갱신(incremental refresh)이 있다. XML은 문서의 구조정보를 나타낼 수 있으므로 XML 형성뷰에 대해서는 기존의 관계 형성뷰 등의 관리 기법과는 다른 관리 기법이 요구된다. 본 논문에서는 XML 문서들을 대상으로 생성된 XML 형성뷰를 지원하고, 하부 XML 문서가 변경되었을 경우에 형성뷰에 대해 점진적 갱신을 지원하는 XML 형성뷰 관리 프레임워크를 제안한다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제8권1호
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• pp.98-103
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• 2008

1T1C DRAM has been facing technological and physical constraints that make more difficult their further scaling. Thus there are much industrial interests for alternative technologies that exploit new devices and concepts to go beyond the 1T1C DRAM technology, to allow better scaling, and to enlarge the memory performance. The technologies of DRAM cell are changing from 1T1C cell type to capacitor-less 1T-gain cell type for more scalable cell size. But floating body cell (FBC) of 1T-gain DRAM has weak retention properties than 1T1C DRAM. FET-type 1T-FeRAM is not adequate for long term nonvolatile applications, but could be a good alternative for the short term retention applications of DRAM. The proposed nonvolatile refresh scheme is based on utilizing the short nonvolatile retention properties of 1T-FeRAM in both after power-off and power-on operation condition.

• 한국시뮬레이션학회논문지
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• 제9권4호
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• pp.51-58
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• 2000

The control of the data retention time is a main issue for realizing future high density dynamic random access memory. The novel junction process scheme in sub-micron DRAM cell with STI(Shallow Trench Isolation) has been investigated to improve the tail component in the retention time distribution which is of great importance in DRAM characteristics. In this' paper, we propose the new implantation scheme by gate-related ion beam shadowing effect and buffer-enhanced ${\Delta}Rp$ (projected standard deviation) increase using buffered N-implantation with tilt and 4X(4 times)-rotation that is designed on the basis of the local-field-enhancement model of the tail component. We report an excellent tail improvement of the retention time distribution attributed to the reduction of electric field across the cell junction due to the redistribution of N-concentration which is Intentionally caused by ion Beam Shadowing and Buffering Effect using tilt implantation with 4X-rotation. And also, we suggest the least requirements for adoption of this new implantation scheme and the method to optimize the key parameters such as tilt angle, rotation number, Rp compensation and Nd/Na ratio. We used MEDICI Simulator to confirm the junction device characteristics. And measured the refresh time using the ADVAN Probe tester.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2005년도 추계학술대회 논문집
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• pp.878-881
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• 2005

A Stereolithography technology is based on stacking of sliced layer from STL file that is converted from 3-dimensional CAD data. A microstereolithography technology is evolved from conventional stereolithography to fabricate microstructures. In this technology, we have to consider influence of resin flow to make refresh surface. To generate new resin surface, stage has to be moved downward deeply and upward to desired position. At this time, resin flow affects to refresh surface of resin. And resin viscosity is the key factor in simulation of resin flow. By setting optimal refresh time for resin surface, total fabrication time is reduced and there is no damage to fabricated layers. In this research, we simulate resin flow using CFD software and derive optimal stage moving time and dwelling time.