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Effect of Cytochalasin B Treatment on the Improvement of Survival Rate in Vitrified Pig Oocyte

  • Hwang, In-Sul;Park, Mi-Ryung;Kwak, Tae-Uk;Park, Sang-Hyun;Lim, Ji-Hyun;Kim, Sung Woo;Hwang, Seongsoo
    • 한국발생생물학회지:발생과생식
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    • 제22권3호
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    • pp.245-252
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    • 2018
  • To improve survival rates of vitrified pig oocytes, the treatment of cytoskeletal stabilizer on an appropriate time is one of the possible approaches. However, the exact treatment timing and effect of cytoskeletal stabilizer such as cytochalasin B (CB) is not well known during oocyte vitrification procedures. Thus, the present study was conducted to determine optimal treatment timing of CB during vitrification and warming procedures. In experiment 1, the survival rates of the postwarming pig oocytes were analyzed by fluorescein diacetate (FDA) assays with 4 classifications. In results, post-warming oocytes showed significantly (p<0.05) decreased number of alive oocytes (31.8% vs. 86.4%) compared to fresh control. In detail, the significant difference (p<0.05) was found only in strong fluorescence (18.2% vs. 70.5%) not in intermediate fluorescence groups (13.6% vs. 15.9%). In experiment 2, CB was treated before (CB-Vitri) and after (Vitri-CB) vitrification. In results, group of Vitri-CB showed significantly (p<0.05) higher (91.6%) survival rates compared to group of CB-Vitri (83.7%), significantly (p<0.05) and comparable with group of Vitri Control (88.7%) by morphological inspection. In FDA assay results, group of Vitri-CB showed significantly (p<0.05) higher (44.2%) survival rates compared to groups of CB-Vitri (36.7%) and Vitri Control (35.1%). In conclusion, the increased survival rates of post-warming pig oocyte treated with Vitri-CB method are firstly described here. The main finding of present study is that the CB treatment during recovery could be helpful to refresh the post-warming pig oocyte resulting its improved survival rates.

우리나라 유류오염 방제교육과정 개발에 관한 연구 (A Study on Development of Oil Spill Response Training Courses in Korea)

  • 윤종휘;김광수;조동오;조현서
    • 해양환경안전학회:학술대회논문집
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    • 해양환경안전학회 2009년도 춘계학술발표회
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    • pp.17-24
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    • 2009
  • 본 연구에서는 IMO 국제기준, 선진해양국 및 한국 유류오염방제교육을 상호 비교분석하여 향후 우리나란 방제교육과정을 개발하기 위한 연구를 수행하였다. 그 결과, 기본적으로 IMO 모델코스를 기준으로 교육과정을 편성하고, 이 교육의 사전 교육으로 방제기초과정을 신설한다. 그리고 단계별로 연관성 있게 내용을 구성하고 초급단계에서는 현장실습위주로, 상급교육에서는 도상훈련 등 모의훈련 비중을 상향조정한다. 그리고 해안오염에 추가하여 해안방제평가기법 과정을 추가하고, 또한 교육이수자의 최신기술 보완 및 갱신을 위한 보수교육과정을 포함하여 총 9개과정을 개설할 것을 제안한다.

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웹크롤러의 수집주기 최적화 (Refresh Cycle Optimization for Web Crawlers)

  • 조완섭;이정은;최치환
    • 한국콘텐츠학회논문지
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    • 제13권6호
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    • pp.30-39
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    • 2013
  • 웹 크롤러는 서버의 부담을 최소화하면서도 최신의 데이터를 웹사이트로부터 수집하고 유지해야 한다. 빅데이터 시대와 같이 데이터가 폭발적으로 증가하는 시대에 데이터 소스로부터 자주 모든 데이터를 추출하는 것은 서버에 심각한 부담을 주게 된다. 무선통신 기술과 다양한 스마트 기기들의 확산으로 정보가 급속도로 생성되고 있으며, 어디에서나 어느 시간이나 지속적으로 생성 및 변경되고 있다. 웹크롤러는 이러한 상황을 감안하여 최신의 정보를 적은 오버헤드로 유지해 나가는 것이 중요한 이슈로 부각되고 있다. 본 논문에서는 웹사이트의 변경사항을 체크할 수 있는 효과적인 방안과 웹사이트의 수집 주기를 동적으로 변경함으로써 적은 비용으로 최신성을 유지할 수 있는 방안을 제시한다. 핵심 아이디어는 과거 히스토리로부터 웹사이트 변경이 집중되는 시간을 파악하여 웹수집 주기를 결정하는데 반영한다는 점이다. 논문에서는 특정 웹사이트의 데이터를 추출하는 Java 크롤러를 개발하고, 제안된 방식과 기존 방식의 유용성을 비교하였다. 제안된 기법을 사용하면 정적인 방식보다 서버 오버헤드를 절반정도(46.2%)로 줄이면서도 최신성을 더욱 높게 보장할 수 있게 된다.

대형 TFT-LCD용 SDI 신호 생성기의 개발 (Development of SDI Signal generator for Large size TFT-LCD)

  • 최대섭;신호철
    • 한국위성정보통신학회논문지
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    • 제9권1호
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    • pp.13-16
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    • 2014
  • 최근 TFT-LCD TV를 구동하는데 있어서 비발광소자인 LCD의 응답특성을 개선하기 위해서 많은 연구가 진행되고 있다. 특히 기존의 1 Frame 의 시간주기를 보다 작게 나누어 구동하는 방법에 대해서 많은 연구가 진행되고 있으며, 이 경우 화면을 구성하는 데이터의 양이 많이 소요됨과 동시에 드라이버 IC의 구동 속도가 문제가 되고 있다. 기존의 차동신호를 바탕으로 한 TFT-LCD 구동신호는 이러한 문제에 대응하는데 문제가 있으며, 본 연구에서는 Full HD를 Quad 쌍으로 구동하는 고속 구동을 위해서 기존의 신호전송방식이 가지고 있던 많은 입력선 수를 효과적으로 줄이기 위해서 직렬 데이터 전송방식의 Full HD Generator 를 제작하여 평가하는데 목적을 두었으며, 평가 결과 육안으로도 잔상이 없는 고속구동이 가능한 직렬 데이터 방식의 구동 설비를 제작할 수 있었다.

『온병조변(溫病條辨)』에 나타난 양조(凉燥) 개념에 대한 고찰 (A Study on the Concept of Cold Dryness in 『Wenbingtiaobian(溫病條辨)』)

  • 은석민
    • 대한한의학원전학회지
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    • 제31권1호
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    • pp.1-14
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    • 2018
  • Objectives : This paper reviews the possibility of confusing wind-cold and cold dryness that can be found in the critical discussion revolving Wu Jutong's concept of cold dryness. With this, the paper aims to refresh the understanding of the concept of cold dryness as put together by Wu Jutong. Methods : The paper reviews the concept of Wu Jutong's cold dryness based on today's critical discussions on the topic. At the same time, the paper searches for additional theoretical basis that can be proposed with regards to Wu Jutong's concept of cold dryness. Results : The core element of the criticisms against Wu Jutong's cold dryness is that cold dryness's cold dryness pattern proposes cold fluid as one of the main symptoms, and that Xiaoqinglongtang is referred to as a cure. However, the problem of the dryness and dampness that can be found in Wu Jutong's cold dryness seems that it can be explained by the discussions regarding Shenkuzao as written in Neijing. Moreover, considering the fact that the connection between cold paathogen and Shenkuzao that surfaced in historical medical theories can also be applied to the concept of cold dryness, it seems that it can be helpful in understanding the characteristics of disease mechanism of cold dryness. Conclusions : The discussion on the concept of cold dryness originally derives as a branch of the discussion on cold. Acknowledging this, it seems that reconsideration is required on the assertion that Wu Jutong confused the symptoms of wind-cold with that of cold dryness.

단결정 실리콘 TFT Cell의 적용에 따른 SRAM 셀의 전기적 특성 (The Electrical Characteristics of SRAM Cell with Stacked Single Crystal Silicon TFT Cell)

  • 이덕진;강이구
    • 한국컴퓨터산업학회논문지
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    • 제6권5호
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    • pp.757-766
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    • 2005
  • There have been great demands for higher density SRAM in all area of SRAM applications, such as mobile, network, cache, and embedded applications. Therefore, aggressive shrinkage of 6T Full CMOS SRAM had been continued as the technology advances, However, conventional 6T Full CMOS SRAM has a basic limitation in the cell size because it needs 6 transistors on a silicon substrate compared to 1 transistor in a DRAM cell. The typical cell area of 6T Full CMOS SRAM is $70{\sim}90F^{2}$, which is too large compared to $8{\sim}9F^{2}$ of DRAM cell. With 80nm design rule using 193nm ArF lithography, the maximum density is 72M bits at the most. Therefore, pseudo SRAM or 1T SRAM, whose memory cell is the same as DRAM cell, is being adopted for the solution of the high density SRAM applications more than 64M bits. However, the refresh time limits not only the maximum operation temperature but also nearly all critical electrical characteristics of the products such as stand_by current and random access time. In order to overcome both the size penalty of the conventional 6T Full CMOS SRAM cell and the poor characteristics of the TFT load cell, we have developed $S^{3}$ cell. The Load pMOS and the Pass nMOS on ILD have nearly single crystal silicon channel according to the TEM and electron diffraction pattern analysis. In this study, we present $S^{3}$ SRAM cell technology with 100nm design rule in further detail, including the process integration and the basic characteristics of stacked single crystal silicon TFT.

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DDR2 SDRAM을 이용한 비메모리 검사장비에서 정시성을 보장하기 위한 메모리 컨트롤러 개발 (Development of Memory Controller for Punctuality Guarantee from Memory-Free Inspection Equipment using DDR2 SDRAM)

  • 전민호;신현준;강철규;오창헌
    • 한국항행학회논문지
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    • 제15권6호
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    • pp.1104-1110
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    • 2011
  • 현재의 반도체 검사장비는 테스트 패턴 프로그램을 위한 메모리로 시스템 설계가 간단하고 리프레시가 필요 없는 SRAM(static random access memory) 모듈을 채용하고 있다. 그러나 SRAM 모듈을 이용한 시스템 구성은 용량이 커질수록 장비의 부피가 증가하기 때문에 메모리 대용량화 및 장비의 소형화에 걸림돌이 되고 있다. DRAM(dynamic random access memory)을 이용하여 반도체 검사 장비를 제작할 경우 SRAM 보다 비용과 장비의 면적이 줄어드는 장점이 있지만 DRAM의 특성 상 메모리 셀 리프레시가 필요하여 정시성을 보장해야 하는 문제가 있다. 따라서 본 논문에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 DDR2 SDRAM(double data rate synchronous dynamic random access memory)을 이용한 비메모리 검사장비에서 정시성을 보장해 주는 알고리즘을 제안하고 알고리즘을 이용한 메모리 컨트롤러를 개발하였다. 그 결과, DDR2 SDRAM을 이용할 경우 SRAM을 이용할 때 보다 가격과 면적이 줄어들어 가격측면에서는 13.5배 그리고 면적측면에서는 5.3배 이득이 있음을 확인하였다.

XML 뷰 인덱싱 (XML Vicw Indexing)

  • 김영성;강현철
    • 한국정보과학회논문지:데이타베이스
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    • 제30권3호
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    • pp.252-272
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    • 2003
  • 뷰는 이질적인 데이타의 통합 및 여과(filtering) 기능을 통해서 데이타베이스의 필요한 부분을 제공한다. 많은 정보가 쏟아지고 있는 웹 환경의 데이타 교환 표준인 XML에 대해서도 뷰의 개념은 유용하다. 본 논문은 XML 뷰 인덱싱이라고 명명한 XML 뷰를 구현하는 기법을 제안한다. XML 뷰는 XML 뷰에 대한 정보와 더불어 뷰를 구성하는 하부 XML 엘리먼트에 대한 식별자를 저장하는 구조인 XML 뷰 인덱스로 표현된다. XML 뷰 인덱스가 XML 엘리먼트 자체가 아닌 식별자만을 저장하므로, 사용자가 XML 뷰를 요청하면 하부 XML 문서를 기반으로 XML 뷰를 실체화해야 한다. 또한, 하부 XML 문서에 대한 변경에 대하여 XML 뷰 인덱스의 일관성을 유지하기 위한 효율적인 점진적 갱신 기법이 필요하다. 본 논문에서는 XML 뷰 인덱싱을 위한 자료구조와 알고리즘을 제안하고 구현하였다. 성능 평가 결과 XML 뷰 인덱싱을 사용하는 것이 매번 뷰를 재생성하는 경우보다 질의 재수행 시간이 적게 걸렸다. XML 뷰 인덱싱 기법이 실체화 시간으로 인해 XML 실체뷰 기법보다 질의 재수행 시간은 많이 걸리지만, 저장 공간 면에서는 약 30배 정도 효율적인 것으로 나타났다.

Stacked Single Crystal Silicon TFT Cell의 적용에 의한 SRAM 셀의 전기적인 특성에 관한 연구 (Electrical Characteristics of SRAM Cell with Stacked Single Crystal Silicon TFT Cell)

  • 강이구;김진호;유장우;김창훈;성만영
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제19권4호
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    • pp.314-321
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    • 2006
  • There have been great demands for higher density SRAM in all area of SRAM applications, such as mobile, network, cache, and embedded applications. Therefore, aggressive shrinkage of 6 T Full CMOS SRAM had been continued as the technology advances. However, conventional 6 T Full CMOS SRAM has a basic limitation in the cell size because it needs 6 transistors on a silicon substrate compared to 1 transistor in a DRAM cell. The typical cell area of 6 T Full CMOS SRAM is $70{\sim}90\;F^2$, which is too large compared to $8{\sim}9\;F^2$ of DRAM cell. With 80 nm design rule using 193 nm ArF lithography, the maximum density is 72 Mbits at the most. Therefore, pseudo SRAM or 1 T SRAM, whose memory cell is the same as DRAM cell, is being adopted for the solution of the high density SRAM applications more than 64 M bits. However, the refresh time limits not only the maximum operation temperature but also nearly all critical electrical characteristics of the products such as stand_by current and random access time. In order to overcome both the size penalty of the conventional 6 T Full CMOS SRAM cell and the poor characteristics of the TFT load cell, we have developed S3 cell. The Load pMOS and the Pass nMOS on ILD have nearly single crystal silicon channel according to the TEM and electron diffraction pattern analysis. In this study, we present $S^3$ SRAM cell technology with 100 nm design rule in further detail, including the process integration and the basic characteristics of stacked single crystal silicon TFT.

DDR2 SDRAM을 이용한 비메모리 검사장비에서 정시성을 보장하기 위한 메모리 컨트롤러 구현 (Implementation of Memory controller for Punctuality Guarantee from Memory-Free Inspection Equipment using DDR2 SDRAM)

  • 전민호;신현준;강철규;오창헌
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2011년도 춘계학술대회
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    • pp.136-139
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    • 2011
  • 현재의 반도체 검사장비는 테스트 패턴 프로그램을 위한 메모리로 시스템 설계가 간단하고 리프레시가 필요 없는 SRAM(static random access memory) 모듈을 채용하고 있다. 그러나 SRAM 모듈을 이용한 시스템 구성은 용량이 커질수록 장비의 부피가 증가하기 때문에 메모리 대용량화 및 장비의 소형화에 걸림돌이 되고 있다. DRAM(dynamic random access memory)을 이용하여 반도체 검사 장비를 제작할 경우 SRAM 보다 비용과 장비의 면적이 줄어드는 장점이 있지만 DRAM의 특성 상메모리 셀 리프레시가 필요하여 정시성을 보장해야 하는 문제가 있다. 따라서 본 논문에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 DDR2 SDRAM(double data rate synchronous dynamic random access memory)을 이용한 비메모리 검사장비에서 정시성을 보장해 주는 알고리즘을 제안하고 알고리즘을 이용한 메모리 컨트롤러를 제작하였다.

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