The object of this study is to develop a reliable FEM simulation technique for the analysis of can making process using PAM-STAMP software. The processes consist of doming and necking in addition to drawing, redrawing. After body making process, this study analyzed the stability for internal pressure by simulating buckling test. Through these technique, we estimated the dome reversal pressure of steel D&I Can for various can profile and process conditions. From this study, we found the cause and mechanism of wrinkling during necking process. This mechanism is largely affected by can wall thickness and the clearance between knock out punch and necking die. The dome reversal pressure improves with increasing dome depth. These results validate the usefulness of the developed simulation technique for the analysis of body making process and optimization of the dome profile.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07a
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pp.374-377
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2003
In this paper, turn on characteristics of (Punch-Through Insulated Gate Bipolar Transistor) PT-IGBT has been studied. Based on the transient power loss, turn on charges first base to collector capacitance. Furthermore we present the charge variation in the base including n+ buffer layer to express the transient turn-on characteristics of the device.
Kim, Byoung-Gil;Choi, Sung-Hwan;Lee, Jong-Hun;Bae, Young-Ho
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.11a
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pp.16-17
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2005
Local lifetime control by ion implantation has become an useful tool for production of modern power devices. In this work, punch-through diodes were irradiated with protons for the high speed power diode fabrication. Proton irradiation was executed at the various energy and dose conditions. Characterization of the device was performed by I-V, C-V and Trr measurement. We obtained enhanced reverse recovery time characteristics which was about 45% of original device and about 73% of electron irradiated device. The measurement results showed that proton irradiation was able to effectively reduce minority carrier lifetime.
Kim Byoung-Gil;Choi Sung-Hwan;Lee Jong-Hun;Bae Young-Ho
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.19
no.3
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pp.216-221
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2006
Lifetime control technique by proton implantation has become an useful tool for production of modern power devices. In this work, punch-through type diodes were irradiated with protons for the high speed power diode fabrication. Proton irradiation which was capable of controlling carrier's lifetime locally was carried out at the various energy and dose conditions. Characterization of the device was performed by current-voltage, capacitance-voltage and reverse recovery time measurement. We obtained enhanced reverse recovery time characteristics which was about $45\;\%$ of original device reverse recovery time and about $73\;\%$ of electron irradiated device reverse recovery time. The measurement results showed that proton irradiation technique was able to effectively reduce minority carrier lifetime without degrading the other characteristics.
In the recent years, the production of light-weight products has become important because of increasing demands for the energy savings through weight reduction. Therefore the advanced manufacturing technology with Al alloy is continuously required in many industrial fields. Bending characteristics of Al rectangular tube with hollow and solid section has been analyzed by FE analysis in press bending with wing-die. Bending stress is affected by punch stroke and rotation of wing-die. There were different sectional sagging characteristics between the solid rectangle section and the hollow rectangle section.
Proceedings of the Korea Concrete Institute Conference
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2000.10b
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pp.989-994
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2000
Nine tests to failure are performed on full-scale eight composite beams with unreinforced web opening having ribbed slabs with formed deck which are perpendicular to the steel section and one steel beam. The effects of slab width, reinforcing of stud, moving of rib, moment-shear ratio are studied. At the low M/V ratio, Vierendeel action around the high moment end of the opening is occurred and the large deflection across the opening and transverse cracking are occurred with increasing of applied load. As the M/V ratio increases, the relative deflection across the opening decreases. And at failure, full tensile strain are occurred at bottom T section of steel beam, and concrete crushes at the High Moment End of the opening. With narrow slabs, diagonal tension failure at the high moment end of the opening is occurred. And with wide slabs, rib punch-through failure is occurred near the high moment end of the opening. The implications for design are discussed.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.2
no.3
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pp.33-37
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2001
A vertical trench electrode type EST has been proposed in this paper. The proposed device considerably improves snapback which leads to a lot of problems of device applications. In this paper, the vertical dual gate Emitter Switched Thyristor (EST) with trench electrode has been proposed for improving snab-back effect. It is observed that the forward blocking voltage of the proposed device is 745V. The conventional EST of the same size were no more than 633V. Because the proposed device was constructed of trench-type electrodes, the electric field moved toward trench-oxide layer, and the punch through breakdown of the proposed EST is occurred at latest.
The capabilities of finite elements codes allow now accurate simulations of blanking processes when appropriate materials modelling are used. Over the last decade, numerous numerical studies have focused on the influence of process parameters such as punch-die clearance, tools geometry and friction on blanking force and blank profile. In this study, three dimensional finite element analysis is carried out to design a lead frame blanking die using LS-Dyna3D package. After design of the blanking die, an experiment is also carried out to investigate the characteristics of blanking for nickel alloy Alloy42, a kind of IC lead frame material. In this paper, it has been researched the investigation to examine the influence of process parameters such as clearance and air cylinder pressure on the accuracy of sheared plane. Through the experiment results, it is shown that the quality of sheared plane is less affected by clearance and air cylinder pressure.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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v.13
no.3
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pp.330-336
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1989
In analyzing the axisymmetric backward extrusion process a new method of analysis using upper-bound theorem is proposed in which the plastic zone and dead metal zone cam be predicted. Experiments are carried out with commercial aluminum. The metal flow on the meridional plane has been visualized experimentally by using the gridded specimens. It is shown that the theoretical results both in extrusion load and deformation pattern are in good agreement with the experimental results and they can be used for effective punch and die design to consider various process parameters in axisymmetric backward extrusion.
A $2{\mu}m$ CMOS P-well double metal technology has been developed. Phosphorus deep implantation and drive-in diffusion steps were utilized to prevent the low voltage bulk punch through in the short channel, 1.6[${\mu}m$] Leff, PMOS device. Double metal process with the rules of 5[${\mu}m$] 1st metal pitch and 7[${\mu}m$] 2nd metal pitch was successfully implemented by using VLTO, low temperature oxide, as on intermetal dielectric.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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