• 전기전자학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.83-88
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• 2007

이 논문은 MOS 전류모드 논리 (MOS current-mode logic circuit, MCML) 회로를 이용하여 저 전력 특성을 갖는 8${\times}$8 비트 병렬 곱셈기를 설계하였다. 이 8${\times}$8 병렬 곱셈기는 제안한 MCML 구조의 전가산기와 기존의 전가산기를 이용하여 설계하였다. 설계한 곱셈기는 기존 곱셈기에 비해 전력소모에서 9.4% 감소하였으며, 전력소모와 지연시간의 곱에서 11.7%의 성능향상이 있었다. 이 회로는 삼성 0.35${\mu}m$ 표준 CMOS 공정을 이용하여 설계하였으며, HSPICE를 통하여 검증하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1995년도 하계학술대회 논문집 A
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• pp.382-384
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• 1995

The advancement of power semiconductor devices has given great attribution to the performance and reliability or power conversion systems. But contemporary power devices have room for improvement. So much interest and endeavor are being applied to develop an improved power devices. The MOS-Controlled Thyristor(MCT)is a recently developed power device which combines four layers thyristor structure and MOS-gate. Owing to advantages compared to other devices in many respects, the MCT attracts much notice recently. Nowadays, in designing and manufacturing power conversion systems, the importance of circuit simulation for reducing cost and time is incensed. And to excute the simulation that resemble the real system as much as possible, to develop a model of power device that provides properly static and dynamic characteristics is important. So, this paper presents a PSPICE model of the MCT considering dynamic characteristics.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1991년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.231-233
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• 1991

This paper discribes a study on the switching character of MOS-GTO and the design of gate drive circuit. Chopping power supply converter, synchronious and asyncronious motor speed adjustment, inverter, etc., needs low drive energy "high frequency" switches. To fulfill these need, switches must have rapid switching time and insulated gate control. MOS-GTO structure is well suited to these constraints. The power switch is serial installation of a GTO thyrister and a MOS Transistor. The gate of the GTO is linked to positive pole of the cascode structure via a MOS high voltage transistor and ground via a transient absorber diode. This high performance MOS-GTO assembly considerably increases the strength which facilitate the drive of GTO thyristers.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 1995년도 Proceedings of the Korea Automation Control Conference, 10th (KACC); Seoul, Korea; 23-25 Oct. 1995
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• pp.87-90
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• 1995

When the ultrasonic transducer operating at l MHz for use in cleaning semiconductor wafers or other industsrial materials is driven from the MOS-FET DC-to RF inverter, the output power severely depends on the frequency of operation since the quality factor of the transducer is high. In order to tune to the eresonating frequency of the ultrasonic transducer, the drive signal frequency of the MOS-FET power inverter is automatically scananed until the frequency is set at the resonating frequency of the ultrasonic transducer is maximized. The control circuit consists of an output power sensing circuit, a PLL controller, a frequency standard, and other peripheral circuits. The operation was satisfactory when the transducer having an output of 600 W at 1 MHz was used.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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• pp.1863-1864
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• 2008

한국전력거래소에서 운영중인 EMS(Energy Management System)와 MOS(Market Operation System) 설비는 각각 Alstom사와 ABB사에 의해 우리나라의 전력계통 특성에 맞게 제작되어 공급된 전력계통과 전력시장의 운영을 자동화한 시스템이다. EMS는 전력계통 감시와 효율적인 운영을 위해 전력계통을 모델링한 데이터를 활용하며, MOS는 실시간 급전계획 수립을 위한 기반자료로 전력계통을 모델링한 데이터를 사용하게 된다. 그러나, 대한민국 전력산업의 핵심인 두 시스템은 시스템 설계 방식 및 DB 구조가 상이하여 전력계통의 신.증설 및 변경 시 동일한 데이터를 양 시스템에 각각 따로 구축, 운영해야하는 실정이다. 이에 따라 DB작업을 위한 자료 준비부터 입력, 수정, 검증 등 모든 과정에 중복된 관리가 이루어지고 있다. 중복 관리는 양 시스템 간 DB의 주요 데이터 특성 및 명칭이 상이하여 일률적인 관리가 어렵고, 시스템별 특성 및 운영노하우가 없이는 인적실수에 의한 입력오류 개연성이 폭넓게 존재하는 등 현 상황에서 피할 수 없는 현실이었다. EMS와 MOS 시스템 중 최소한 개의 시스템을 전면 재구축하지 않으면 해결되지 않을 본 문제를 해소하기 위하여 전력거래소는 특정 시스템에 구축된 데이터를 변환알고리즘을 통해 나머지 하나의 시스템에 자동 구축할 수 있는 시스템을 개발하여 활용하고자 한다. 이것이 바로 EMS에 입력되어 정확성이 검증된 계통데이터를 추출하여 MOS의 데이터 형식으로 변환하고, 변환된 데이터를 MOS시스템에 자동으로 입력할 수 있는 MOS/EMS 데이터 자동변환시스템이다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제8권4호
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• pp.145-154
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• 1997

Pd, Pd-Rh 게이트 MOS센서의 $H_2$, $H_2S$ 검지특성과 Pd박막의 중착조건이 감지특성에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. rf power의 증가와 증착온도의 증가는 모두 센서의 감도와 초기반응속도를 감소시켰으며 rf power의 변화보다는 증착온도의 변화에 의한 효과가 현저하였다. Pd-Rh 센서의 경우 순수한 Pd 센서에 비해 감도가 낮았으며 Rh의 양이 증가할수록 감도는 감소하였다. Pd-Rh 센서에서 $H_2$가 $H_2S$보다 더 뛰어난 감도를 보여주었다. rf power, 증착온도, 기판의 변화가 MOS센서의 감도나 초기반응속도 등의 센서특성에 영향을 미친다는 사실을 확인할 수 있었다.

• 전자공학회논문지SC
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• 제39권3호
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• pp.201-210
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• 2002

본 논문에서는 뉴런모스를 사용한 다운리터럴(Down-Literal) 회로블록과 전류미러 스위치 블록을 사용하여 3.3(V)의 저전력과 고속에서 동작하는 4치 아날로그 변환기(Quartenary to Analog Converter : QAC)를 설계하였다. 다운리터럴 회로를 사용하여 4치입력을 전류미러 스위치의 제어신호로 전환하고 전류미러 스위치는 4치입력에 해당하는 아날로그 신호를 출력한다. 제안된 구조로 설계된 QAC는 고속의 정착시간과 저전력소모의 특징을 가지며 CMOS 0.35㎛ n-well 공정을 사용한 실험 결과를 통해서 3.3(V)의 단일 전원을 사용하여 6MHz의 표본속도와 24.5mW의 전력소모를 확인한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 A
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• pp.237-239
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• 1994

The MOS-controlled thyristor(MCT) is a new power semi-conductor device that combines four layers thyristor structure presenting regenerative action and MOS-gate providing controlled turn-on and turn-off. The MCT has very fast switching speed owing to voltage controlled MOS-gate, and very low on-state voltage drop resulting from regenerative action of four layers thyristor structure. In addition, because of a higher dv/dt rating and di/dt rating, gate drive circuit and snubber circuit can be simpler comparing to other power switching devices. So recently much interest and endeavor is being applied to develop the performance and ratings of the MCT. This paper describes the switching characteristic of the MCT for its practical applications and presents a model for PSPICE circuit simulation. The model for PSPICE circuit simulation is compared to the experimental result using MCTV75P60F1 made by Harris co..

• 한국재료학회지
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• 제7권8호
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• pp.640-645
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• 1997

Pd게이트 MOS센서의 수소검지특성에 Pd 박막의 증착조건이 미치는 영향에 대해서 조사였다. rf power의 증가와 증착온도의 증가는 모두 센서의 감도와 초기반응속도를 감소시켰으며 rf power의 변화보다는 증착온도의 변화에 의한 효과가 현저하였다. 절연막을 Si$_{x}$N$_{y}$ /SiO$_{2}$로 대신한 결과 SiO$_{2}$에서돠는 달리 시간이 지남에 따라 평탄대역전압이 여러 단계로 변화하는 양상을 보였다. rf power, 증착온도, 기판의 변화가 MOS 센서의 감도나 초기반응속도등의 센서특성에 영향을 미친다는 사실을 확인할 수 있었다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.159-164
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• 2016

무선통신시스템은 한정된 에너지를 갖는 배터리를 사용하기 때문에 저전력 회로로 구현되어야 하며, 이를 위하여 주파수와 상관없이 일정한 전력을 나타내는 전류모드 회로가 연구되어왔다. 본 논문에서는 초저전력 동작이 가능하도록 Dynamic Voltage Scaling 전원을 유도하며, 전류모드 신호처리 중 메모리 동작에서 저장된 에너지가 누설되는 Clock-Feedthrough 문제를 최소화하는 전류메모리 회로를 제안한다. $0.35{\mu}m$ 공정의 BSIM3 모델로 Near-threshold 영역의 전원 전압을 사용한 시뮬레이션을 진행한 결과, 1MHz의 스위칭 동작에서 $2{\mu}m$의 메모리 MOS Width, $0.3{\mu}m$의 스위치 MOS Width, $13{\mu}m$의 Dummy MOS Width로 설계할 때, Clock-Feedthrough의 영향을 최소화시킬 수 있었으며 1.2V의 Near-threshold 전원전압에서 소비전력은 $3.7{\mu}W$가 계산되었다.