• 한국정밀공학회지
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• 제12권6호
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• pp.20-26
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• 1995

With the recent development of light and high efficient automobiles and aircraft, demand of the A1-Si alloy is rapidly increasing. However, there is an inclination that as the content of silicon increases it becomes more difficult to machine. Accordingly, the present study intends to analyse and study the cutting resistance and surface roughness of A1-Si alloy with Si contents of 8%, 12%, 17%, and 20%. The A1-Si alloy specimens were turned by a poly- crystalline diamond tool under selected cutting conditions, and results are here described and discussed.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제21권4호
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• pp.71-76
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• 2022

We evaluated and developed a 6th generation large-size polisher in the type of face-up and Oscar. We removed the hillocks of the low temperature poly-silicon (LTPS) thin film with this polisher. The surface roughness of LTPS was lowered from 7.9 nm to 0.6 nm after CMP(chemical mechanical polishing). The thickness of the LTPS is measured through reflectance in real time during polishing, and the polishing process is completed according to this thickness. The within glass non-uniformity (WIGNU) was 6.2% and the glass-to-glass non-uniformity (GTGNU) was 2.5%, targeting the LTPS thickness of 400Å. In addition, the residual slurry after the CMP process was removed through the Core Flow PVA Brush and alkaline chemical.

• 전기화학회지
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• 제22권4호
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• pp.155-163
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• 2019

우수한 수명특성을 지니는 흑연과 높은 용량을 지니고 있는 실리콘 일산화물의 혼합전극을 제조하여 리튬이온 이차전지용 음극으로 적용하여 이의 사이클 성능에 대하여 평가하였다. 천연흑연과 실리콘 일산화물을 9:1의 질량비로 혼합하여 제조한 전극은 $480mAh\;g^{-1}$의 가역용량으로 천연흑연에 비하여 33% 이상의 높은 용량을 나타내었다. 그러나, 실리콘 일산화물의 부피변화로 인하여 용량의 퇴화가 지속적으로 발생하였다. 본 연구에서는 전극 및 전해질의 구성에 변수들을 적용하여 각각의 변수가 영향을 주는 전기화학적 특성을 파악하고 이를 통하여 사이클 수명을 향상시킬 수 있는 방안을 모색하고자 하였다. 전극 제조 시에 poly(vinylidene fluoride)(PVdF) 바인더에 비하여 carboxymethyl cellulose (CMC) 바인더는 가장 우수한 사이클 특성을 나타내었으며, CMC와 styrene-butadiene rubber (SBR)을 함께 사용하는 SBR/CMC 바인더의 경우에는 CMC 단독 바인더를 사용하는 경우와 유사한 사이클 특성과 동시에 속도특성에서 장점을 지니고 있었다. 전해액 첨가제로 fluoroethylene carbonate (FEC)를 적용하는 경우에 수명특성이 크게 개선되었다. FEC의 함량이 10 질량%로 높아지게 되면 전지의 속도특성이 저하되기 때문에 5 질량%의 사용이 적절하였다. 또한 전극의 로딩값을 낮추게 되면 사이클 특성을 크게 향상시킬 수 있었으며, 집전체를 사포로 연마하여 거칠기를 증가시키는 것도 사이클 특성의 개선을 가져올 수 있었다.

• 공업화학
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• 제9권7호
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• pp.990-997
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• 1998

ECR 산소플라즈마를 이용하여 저온 확산법에 의해 서로 다른 종류의 기판에 마이크로파 출력, 기판의 위치 등을 실험변수로 실리콘 산화막을 제조하고, 열처리 전 후 물리 화학적 특성을 분석하여 Si/O 의 조성비, 산화막 표면의 morphology와 전기적 특성과의 관계를 살펴보았다. 마이크로파 출력이 높은 영역에서, 산화속도는 증가하지만 식각으로 인하여 표면조도가 증가하였다. 따라서 막내에 결함이 증가하고 기판자체에 걸리는 DC bias의 증가로 기상에 존재하는 산소 양이온이 다량 함유되어 산화막의 질이 저하되었다. 기판의 종류에 따라 기상에 존재하는 산소 양이온의 함량은 Si(100) $Si/SiO_2$계면에 존재하는 결함들은 줄일 수 있으나, 고정전하와 계면포획전하 밀도는 열처리와 무관하고 단지 기상에 존재하는 반응성 산소이온의 양과 기판자체 DS bias에 의존하였다. 마이크로파 출력이 300, 400 W인 실험조건에서 표면조도가 낮고, 계면결함밀도가 ${\sim}9{\times}10^{10}cm^{-2}eV^{-1}$로 $Si/SiO_2$계면에서 결함이 적은 양질의 산화막이 얻어졌다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제28권6호
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• pp.351-359
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• 2015

Next-generation displays should be transparent and flexible as well as having high resolution and frame number. The main factor for active matrix organic light emitting diode and next-generation displays is the development of TFTs (thin-film transistors) with high mobility and large area uniformity. The TFTs used for transparent displays are mainly oxide TFT that has oxide semiconductor as channel layer. Zinc-oxide based substances such as indium-gallium-zinc-oxide has attracted attention in the display industry. In this paper, the mobility improvement of low cost oxide TFT is studied for fast operating next-generation displays by overcoming disadvantages of amorphous silicon TFT that has low mobility and poly silicon TFT that requires expensive equipment for complex process and doping process.

• International Journal of Control, Automation, and Systems
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• 제3권3호
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• pp.477-485
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• 2005

This paper is concerned with the development of a micro tensile testing machine for optically functional materials such as single or poly crystalline silicon and nickel film. This micro tensile tester has been developed for testing various types of materials and dimensions. PZT type actuation is utilized for precise displacement control. The specifications of the PZT actuated micro tensile testers developed are as follows: the volumetric size of the tester is desktop type of 710mm' 200mm' 270mm; the maximum load capacity and the load resolution in this system are IKgf and 0.0152mgf respectively and; the full stroke and the stoke resolution of the PZT actuator are $1000{\mu}m$ and 10nm respectively. Special automatic specimen installing and setting equipment is applied in order to prevent unexpected deformation and misalignment of specimens during handling of specimens for testing. Nonlinearity of the PZT actuator is compensated to linear control input by an inverse compensation method that is proposed in this paper. The strain data is obtained by ISDG method that uses the laser interference phenomenon. To test the reliance of this micro tensile testing machine, a $200{\mu}m$ thickness nickel thin film and SCS (Single Crystalline Silicon) material that is made with the MEMS fabrication process are used.

• 멤브레인
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• 제9권3호
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• pp.185-192
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• 1999

반도체 산업의 wafer 가공공정에서 발생하는 폐수를 재활용하고자 한외여과 공정을 이용한 막분리 공정의 도입 가능성을 검토하였다. Pilot 규모의 장치에 분획분자량이 각각 10,000, 20.000, 30,000인 한외여과막 모듈을 이용하여 투과유속 및 제거율 등을 측정하였다. 투과수의 성상은 SDI15, 탁도, 전기전도도, 실리콘 농도분석을 통해 공정수로 재이용이 가능함을 확인할 수 있었다. 투과유속 저하를 막기 위한 역세척 방법으로는 압축공기와 물은 sweeping 하는 방법이 가장 효과적이었고, 이때 투과유속의 회복율이 높게 나타났다. 분획분자량 30,000인 한외여과막에서 가장 높은 투과유속을 나타내었다. 또한 폐수의 평균 실리콘 입자 평균 함량은 3.8-5.6mg/$\ell$이고, 투과수의 실리콘 입자 함량은 0.2${\mu}g$/$\ell$이하로 나타나 제거율은약 96%이상으로 나타났다.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권4호
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• pp.210-214
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• 2002

$450^{\circ}C$ 이하에서 Cu를 이용한 전계 유도 방향성 결정화 공정을 통해 비정질 실리콘의 결정화 거동을 고찰하였다. 열처리와 동시에 전계를 인가하여 Cu가 증착된 패턴의 외부에서 Cu가 존재하지 않는 비정질 실리콘의 영역으로 측면 결정화를 유도하였다. 특히, Cu가 존재하지 않는 영역의 측면결정화는 (-) 전극 쪽에서 (+) 전극 쪽으로 방향성을 가지고 결정화가 진행되었다. 이러한 현상은 Cu와 Si가 반응 할 때, 주확산 종이 금속(Cu)이기 때문에 가능하다고 판단되었다. 또한, FALC 공정을 이용한 $350^{\circ}C$의 온도에서 결정화된 영역 내에 커다란 dendrites 형태의 가지가 형성되었고 전계 방향에 따른 측면 결정화가 진행되었음을 확인하였다. 결론적으로 $350^{\circ}C$의 매우 낮은 온도에서 30 V/cm의 전계 인가를 통해 12$\mu$m/h의 결정화 속도로 결정화가 가능함을 확인하였다.

• Journal of Information Display
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• 제10권1호
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• pp.33-36
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• 2009

A new hybrid silicon thin-film transistor (TFT) fabrication process using the DPSS laser crystallization technique was developed in this study to realize low-temperature poly-Si (LTPS) and a-Si:H TFTs on the same substrate as a backplane of the active-matrix liquid crystal flat-panel display (AMLCD). LTPS TFTs were integrated into the peripheral area of the activematrix LCD panel for the gate driver circuit, and a-Si:H TFTs were used as a switching device of the pixel electrode in the active area. The technology was developed based on the current a-Si:H TFT fabrication process in the bottom-gate, back-channel etch-type configuration. The ion-doping and activation processes, which are required in the conventional LTPS technology, were thus not introduced, and the field effect mobility values of $4\sim5cm^2/V{\cdot}s$ and $0.5cm^2/V{\cdot}s$ for the LTPS and a-Si:H TFTs, respectively, were obtained. The application of this technology was demonstrated on the 14.1" WXGA+(1440$\times$900) AMLCD panel, and a smaller area, lower power consumption, higher reliability, and lower photosensitivity were realized in the gate driver circuit that was fabricated in this process compared with the a-Si:H TFT gate driver integration circuit

• 한국진공학회지
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• 제7권1호
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• pp.29-34
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• 1998

PECVD방법으로 증착된 비정질 실리콘(a-Si)박막이 고상결정화되고 x-선 회절 (XRD)방법으로 조사되었다. a-Si박막들은 기판 온도 120-$380^{\circ}C$사이에서 Si(100)웨이퍼 위에 $SiH_4$가스 혹은 수소희석된 $SiH_4$가스로 증착되고, $600^{\circ}C$로 가열되어 결정화되었다. 고상화 되었을 때(111), (220), (311)XRD피크들이 나타났고 (111) 우선방위가 두드러졌다. 고상결정 화된 다결정 실리콘(poly-Si)박막들의 XRD피크의 세기는 기판온도가 낮아짐에 따라 증가되 었고, 수소희석은 고상화 효과를 감소시켰다. XRD로 측정된(111)결정립의 평균크기는 기판 온도가 낮아짐에 따라 약 10nm로 증가하였다. 기판온도가 낮아질수록 증착속도는 증가하였 으며, 결정의 크기는 증착속도와 밀접한 관계가 있었다. Si계의 구조적 무질서도가 클수록 고상화에 의한 결정립의 크기도 커지는 것으로 생각된다.