Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.30
no.7
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pp.427-431
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2017
In this paper, we discuss ${\beta}-Ga_2O_3$ thin films that have been grown on freestanding GaN (FS-GaN) using furnace oxidation. A GaN template was grown by horizontalhydride vapor phase epitaxy (HVPE), and FS-GaN was fabricated using the laser lift off (LLO) system. To obtain ${\beta}-Ga_2O_3$ thin film, FS-GaN was oxidized at $900{\sim}1,100^{\circ}C$. Surface and cross-section of prepared ${\beta}-Ga_2O_3$ thin films were observed by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM). The single crystal FS-GaNs were changed to poly-crystal ${\beta}-Ga_2O_3$. The oxidized ${\beta}-Ga_2O_3$ thin film at $1,100^{\circ}C$ was peel off from FS-GaN. Next, oxidation of FS-GaNwas investigated for 0.5~12 hours with variation of the oxidation time. The thicknesses of ${\beta}-Ga_2O_3$ thin films were measured from 100 nm to 1,200 nm. Moreover, the 2-theta XRD result indicated that (-201), (-402), and (-603) peaks were confirmed. The intensity of peaks was increased with increased oxidation time. The ${\beta}-Ga_2O_3$ thin film was generated to oxidize FS-GaN.
This paper describes a ultrasonic signal processing front-end IC for distance range meter and body detector. The burst shaped ultrasonic signal is generated by a self oscillator and its frequency range is about 40[kHz]-300[kHz]. The generated ultrasonic signal transmit through piezo resonator. The another piezo device transduce from received ultrasonic signal to electrical signals. This front-end IC contained low noise amplifier, band pass filter, busrt detector and time pulse generator and so on. This IC has two type of new idea for improve function and performance, which are self frequency control (SFC) and Variable Gain Control amplifier (VGC) scheme. The dimensions and number of external parts are minimized in order to get a smaller hardware size. This device has been fabricated in a O.6[um] double poly, double metal 40[V] High Voltage CMOS process.
This paper describes a auto focus piezo actuator driver IC for portable digital camera. The 80[V] DC voltage is generated by a DC-DC converter and supplied to power of piezo moving control circuit. The voltage of piezo actuator needs range -20[V] to 80[V] proportional to 1[Vp-p] input control voltages. The dimensions and number of external parts are minimized in order to get a smaller hardware size. IIC(Inter-IC) interface logic is designed for data interface and it makes debugging easy, test for mass productions. The power consumption is around 40[mW] with supply voltage of 3.6[V]. This device has been fabricated in a 0.6[um] double poly, triple metal 100[V] BCD MOS process and whole chip size is 1600*1500 [$um^2$].
This paper describes the construction of a circular polariscope. Generally, a circular polariscope contains four optical elements and a light source. The first element following the light source is called the polarizer. It converts the ordinary light into plane-polarized light. The second element is a quarter wave plate which converts the plane-polarized light into circularly polarized light. Following the quarter wave plate, a specimen made of transparent photoelastic material is located in a loading device. The second quarter wave plate is set and the last element is the analyzer. These polarizing elements, two quarter wave plates and two polarizing filters, were purchased from the USA. Frames and other structures for holding polarizing filters were machined and assembled to be rotated. Light box, which include four incandescent lamps and two sodium-vapor lamps, was made. In order to proof the function of the newly built polariscope, Tardy compensation test was applied to a rectangular shaped specimen made of poly-carbonate material (PSM1). The error of the fringe constant, which was measured by the newly built polariscope, was within 4.4 percent compared to the standard value of this material. It is possible to make a good quality of polariscope if accurate polarizing filters will be used.
In this paper, Glass Fiber Reinforced Thermoplastic (GFRTP) for automotive headlight source module was fabricated by compounding and injection molding using PPS (Poly Phenylene Sulfide) resin with glass fiber which has three cross section (round type, cocoon type, flat type). Tensile, flexural, impact properties were investigated on effect of cross section, glass fiber contents. And it was observed flatness, dimensional stability, fluidity depending on glass fiber cross section. As a result, flat glass fiber reinforced thermoplastic's mechanical properties were most excellent. Also, dimensional stability and flatness showed better results when using flat glass fiber.
In this paper, the buckling, and free vibration analysis of tapered functionally graded carbon nanotube reinforced composite (FG-CNTRC) micro Reddy beam under longitudinal magnetic field using finite element method (FEM) is investigated. It is noted that the material properties of matrix is considered as Poly methyl methacrylate (PMMA). Using Hamilton's principle, the governing equations of motion are derived by applying a modified strain gradient theory and the rule of mixture approach for micro-composite beam. Micro-composite beam are subjected to longitudinal magnetic field. Then, using the FEM, the critical buckling load, and natural frequency of micro-composite Reddy beam is solved. Also, the influences of various parameters including ${\alpha}$ and ${\beta}$ (the constant coefficients to control the thickness), three material length scale parameters, aspect ratio, different boundary conditions, and various distributions of CNT such as uniform distribution (UD), unsymmetrical functionally graded distribution of CNT (USFG) and symmetrically linear distribution of CNT (SFG) on the critical buckling load and non-dimensional natural frequency are obtained. It can be seen that the non-dimensional natural frequency and critical buckling load decreases with increasing of ${\beta}$ for UD, USFG and SFG micro-composite beam and vice versa for ${\alpha}$. Also, it is shown that at the specified value of ${\alpha}$ and ${\beta}$, the dimensionless natural frequency and critical buckling load for SGT beam is more than for the other state. Moreover, it can be observed from the results that employing magnetic field in longitudinal direction of the micro-composite beam increases the natural frequency and critical buckling load. On the other hands, by increasing the imposed magnetic field significantly increases the stability of the system that can behave as an actuator.
Park, Hyung-Gu;Kim, Hongjin;Lee, Dong-Soo;Yu, Chang-Zhi;Ku, Hyunchul;Lee, Kang-Yoon
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.13
no.4
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pp.272-281
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2013
This paper presents low power frequency shift keying (FSK) transmitter using all digital PLL (ADPLL) for smart utility network (SUN). In order to operate at low-power and to integrate a small die area, the ADPLL is adopted in transmitter. The phase noise of the ADPLL is improved by using a fine resolution time to digital converter (TDC) and digitally controlled oscillator (DCO). The FSK transmitter is implemented in $0.18{\mu}m$ 1-poly 6-metal CMOS technology. The die area of the transmitter including ADPLL is $3.5mm^2$. The power consumption of the ADPLL is 12.43 mW. And, the power consumptions of the transmitter are 35.36 mW and 65.57 mW when the output power levels are -1.6 dBm and +12 dBm, respectively. Both of them are supplied by 1.8 V voltage source. The frequency resolution of the TDC is 2.7 ps. The effective DCO frequency resolution with the differential MOS varactor and sigma-delta modulator is 2.5 Hz. The phase noise of the ADPLL output at 1.8 GHz is -121.17 dBc/Hz with a 1 MHz offset.
This paper presents a design of LLC resonant converter IC for LED backlight unit based on PFM/PWM dual-mode feedback. Dual output LLC resonant architecture with a single inductor is proposed, where the master output is controlled by the PFM and slave output is controlled by the PWM. To regulate the master output PFM is used as feedback to control the frequency of the power switch. On the other hand, PWM feedback is used to control the pulse width of the power switch and to regulate the slave output. This chip is fabricated in 0.35um 2P3M BC(Bipolar-CMOS-DMOS) Process and the die area is $2.3mm{\times}2.2mm$. Current consumptions is 26mA from 5V supply.
In knowledge-based information society, national competitive power is determined by human resources rather than by material resources. Therefore, training technicians with new skills has been gathering as a question Polytechnic colleges play an important role in training technicians as a 2 year courses educational institute conducting both master craftsmen and craftsmen and occupational training. At present, an electricity departments of polytechnic colleges should look at the reality of retraining which is taken more time and more budget for graduates' employment in the industries, as reorganizing in knowledge based school subject they also train the students to be the excellent poly technicians who have both theory and practice by reflecting new technology in developing curriculum needed at the jobsite to join in upgrading our country's competitiveness as a go-between technician at the jobsite. In this paper, a four-semester system was investigated to meet the condition of colleges educating the skilled technicians needed the industry by analyzing the status of polytechnic colleges.
This paper proposes a single slope A/D converter (SSADC) that is possible to process the signal of the ultraviolet, visible and infrared rays with a single chip. And the proposed SSADC is a type of single channel ADC. In the conventional SSADC, it is possible to process the only one signal with a kind of the sensor because the speed of the operating frequency and the slope of ramp signal generated by the ramp generator are fixed. In order to improve the disadvantages, a ramp generator which has variable slope in ramp function is designed and $3{\times}1$ MUX(multiplexer) is adopted so that we can change the speed of the operating frequency and the slope of ramp signal. Therefore, the multiple signal processing of the wanted sensors can be possible. The designed circuit is layout by the $0.35-{\mu}m$ CMOS 2-poly 4-metal technology process and is checked through DRC and LVS tools.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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