The diffusion coefficient of C.I. Disperse Red 4 in the dyeing of carrier-pretreated poly (ethylene terephthalate) film was Investigated by Sekido's film-rolled method. From the result it was shown that the diffusion coefficient increases exponentially with the content-ration of carrier in the film, and, for the films containing same concentration of carrier, the carrier effect was enhanced with the molar volume of the carriers. The greater carrier effect was accompanied by the decrease in diffusion activation energy and entropy, which shows that the carrier with larger molar volume plasticizes PET film to more extent.
Poly Si TFTs have been fabricated from low temperature annealed a-Si films. I-V and C-V characteristics in the off-state region were measured. Analytical model for the leakage current in the off-state was suggested. In the measurement, capacitance increased abruptly with Increasing gate and drain voltage. This phenomena is attributed to the leakage current.
A gene coding for triosephosphate isomerase (TPI) from a rat skeletal muscle cDNA library was cloned and its nucleotide sequence was determined. The 1, 348-bp cDNA clone contains 24 bp $5^I$ noncoding region, the entire 750 bp coding region corresponding to a protein of 249 amino acids, $547bp 3^I$ noncoding region and part of a poly(A) tail. It also contains a polyadenylation signal, AATAAA, starting from 17 bp upstream of the poly(A) tail. The calculated molecular weight of rat TPI is 27.8 kDa and the net charge is +4. The deduced amino acid sequence from rat TPI CDNA sequence has 93% and 94% homology with that of mouse and human clones, respectively. The amino acids at the residue of Asn12, Lys14, His96, Glu 166, His96, His101, Ala177, Tyr165, Glu13O, Tyr2O9, and Ser212 in catalytic site are completely identical, confirming that the functional residues in TPI proteins are highly conserved throughout evolution. The most profound characteristic of rat TPI enzyme, compared with other TPIs, is that there are five cysteine substitutions at the residue of 21, 27, 159, 195 and 204. A Glu123 instead of Gly was found in rabbit, rhesus, mouse and human sequences. Through the method of RT-PCR, the mRNA transcription level of TPI gene was found to be different among various tissues and was highest in muscle.
For poly- $\beta$ -hydroxybutyrate (PHB) production, a pink-pigmented facultative methylotrophic bacterium (PPFM) P-10 was newly isolated from soils through methanol-enrichment culture. The optimal medium composition for cell growth was 1.0% (vlv) of methanol as carbon source and l.Og/l of ,TEX>$NH_4Cl$, equivalent to C/N ratio of 13.2 at pH 7.0 and $30^{\circ}C$. To investigate the optimal condition for YHB accumulation, two-stage culture technique was adopted; first stage for cell growth and second stage for accumulation of PHB providing unbalanced growth conditions. The optimal PHB accumulation was 1.0% (vIv) of methanol and 0.26gll of $NH_4Cl$, C/N of 50.8 at pH 6.0. To overcome methanol inhibition on cell growth, intermittent feeding fed-batch culture technique was employed, and the cell concentration as high as 14gll with 40% of PHB was achieved. The purified PHB was identified using IR and $1^H NMR$ as homopolymer of 8hydroxybutyric acid. The absorption spectrum of extracted pink colored microbial pigment was alsa investigated.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07a
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pp.36-39
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2002
Polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistor (TFT) technology is emerging as a key technology for active matrix liquid crystal displays (AMLCD), allowing the integration of both active matrix and driving circuit on the same substrate (normally glass). As high temperature process is not used for glass substrate because of the low softening points below 450$^{\circ}C$. However, high temperature process is required for getting high crystallization volume fraction (i.e. crystallinity). A poly-Si thin film transistor has been fabricated to investigate the effect of high temperature process on the molybdenum (Mo) substrate. Improve of the crystallinity over 75% has been noticed. The properties of structural and electrical at high temperature poly-Si thin film transistor on Mo substrate have been also analyzed using a sputtering method
Photopolymerization of 2-hydroxyethyl methacrylate(HEMA), in the presence of ethyleneglycol dimethacrylate(EGDMA) and 1-Hydroxycyclohexyl phenyl ketone as crosslinker and photoinitiator, respectively, produced crosslinked poly-HEMA hydrogels. The hydrogels were colored by the exhaustion of vinylsul-phone-type reactive dyes. Good colorfastness to laundering was achieved when colored with C.I. Reactive Black 5. We investigated that the effect of coloration on the hydrophilicity and swelling properties of the films. More hydrophilic gel-surfaces were generated with in increase in coloration and crosslinking. Higher surface energy was observed with higher crosslinking level. The more rapid and higher water swellability of poly-HEMA gels after coloration may be resulted from a more opened gel structure by the easier hydration of the hydrophilic sulphonic acid groups of the reacted dyes in water.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07b
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pp.1030-1033
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2003
This paper presents the deposition characterization of polycrystalline silicon films by the HWCVD(Hot-wire Chemical Vapor Deposition) method at low substrate($300^{\circ}C$). The filament temperature, pressure and $SiH_4$ concentration were determined to be a critical parameter for the deposition of poly-Si films. Series A was deposited under the conditions of $1380^{\circ}C$(Tf), 100 mTorr and $2{\sim}10%\{SiH_4/(SiH_4+H_2)\}$ for 60 min. Series B was deposited under the conditions of $1400{\sim}1450^{\circ}C$ (Tf), 30 mTorr and $2{\sim}12%$ for 60 min. The physical characteristics were measured by Raman and FTIR spectroscopy, dark and photoconductivity measurements under AM1.5 illumination.
The effects of temperature on the conformational properties of poly(ethylene oxide) (PEO) in aqueous and aqueous urea solutions are reported. The values of intrinsic viscosity and Huggins coefficients for the PEO dissolved in water and urea/water mixtures (urea concentration 0.2, 1, and 2 M) were obtained using a viscometry method and discussed with respect to the change of water structure. At low temperatures (below 22 $^{\circ}C)$, the PEO-water interaction is favorable and the chain can be extended, whereas at higher temperatures (above 24 $^{\circ}C)$, it is less favorable and the chain can be contracted by a hydrophobic hydration, i.e., the PEO-water interaction becomes to be unfavorable with the increase in temperature. As the urea is added to the system, the PEO chain can be more extended and huged by the perturbation of the structured water originating from the unfavorable PEO-water interaction. The effect of temperature on the intrinsic viscosity values shows an Arrhenius behavior. The activation energies of the viscous flow were obtained and discussed.
Kim, Sang-Su;Kim, do-Young;Lim, Dong-Gun;Junsin Yi;Lee, Jae-Choon;Lim, Koeng-Su
Journal of Electrical Engineering and information Science
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v.2
no.5
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pp.65-71
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1997
We present heterojunction solar cells with a structure of metal/a-Si:H(n-i-p)/poly-Si(n-p)/metal for the terrestrial applications. This cell consists fo two component cells: a top n-i-p junction a-Si:Hi cell with wide-bandgap 1.8eV and a bottom n-p junction poly-Si cell with narrow-bandgap 1.1eV. The efficiency influencing factors of the solar cell were investigated in terms of simulation an experiment. Three main topics of the investigated study were the bottom cell with n-p junction poly-Si, the top a-Si:H cell with n-i-p junction, and the interface layer effects of heterojunction cell. The efficiency of bottom cell was improved with a pretreatment temperature of 900$^{\circ}C$, surface polishing, emitter thickness of 0.43$\mu\textrm{m}$, top Yb metal, and grid finger shading of 7% coverage. The process optimized cell showed a conversion efficiency about 16%. Top cell was grown by suing a photo-CVD system which gave an ion damage free and good p/i-a-Si:H layer interface. The heterojunction interface effect was examined with three different surface states; a chemical passivation, thermal oxide passivation, and Yb metal. the oxide passivated cell exhibited the higher photocurrent generation and better spectral response.
Schwann cells play an important role in peripheral nerve regeneration. Upon neuronal injury, activated Schwann cells clean up the myelin debris by phagocytosis, and promote neuronal survival and axon outgrowth by secreting various neurotrophic factors. However, it is unclear how the nerve injury induces Schwann cell activation. Recently, it was reported that certain cytoplasmic molecules, which are secreted by cells undergoing necrotic cell death, induce immune cell activation via the toll-like receptors (TLRs). This suggests that the TLRs expressed on Schwann cells may recognize nerve damage by binding to the endogenous ligands secreted by the damaged nerve, thereby inducing Schwann cell activation. Accordingly, this study was undertaken to examine the expression and the function of the TLRs on primary Schwann cells and iSC, a rat Schwann cell line. The transcripts of TLR2, 3, 4, and 9 were detected on the primary Schwann cells as well as on iSC. The stimulation of iSC with poly (I : C), a synthetic ligand for the TLR3, induced the expression of $TNF-{\alpha}$ and RANTES. In addition, poly (I : C) stimulation induced the iNOS expression and nitric oxide secretion in iSC. These results suggest that the TLRs may be involved in the inflammatory activation of Schwann cells, which is observed during Wallerian degeneration after a peripheral nerve injury.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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