The dielectric properties of the uniaxial relaxor ferroelectric $Sr_xBa_{1-x}Nb_2O_6$ with x = 0.75 were investigated along the polar [001] direction as a function of temperature. The capacitance maximum showed the frequency dispersion commonly observed in relaxors. Additional weak dielectric anomalies were observed in the paraelectric phase; they were only seen during the heating process and disappeared upon subsequent cooling. These were attributed to the existence of large polar clusters strongly pinned at defects and/or to random fields and their metastable characters. Aligning the ferroelectric domains along the polar axis at room temperature removed the high-temperature dielectric anomalies. The dependences of the capacitance and the dielectric maximum temperature on the magnitude of the poling field were investigated.
BaTiO3-Poly vinylidene fluoride (PVDF) solution was prepared by adding 0~25 wt% BaTiO3 nanopowder and 10 wt% PVDF powder in solvent. BaTiO3-PVDF film was fabricated by spreading the solution on a glass with a doctor blade. The output performance increased with increasing BaTiO3 concentration. When the BaTiO3 concentration was 20 wt%, the output voltage and current were 4.98 V and 1.03 ㎂ at an applied force of 100 N. However, they decreased when the over 20 wt% BaTiO3 powder was added, due to the aggregation of particles. To enhance the output performance, the generator was poled with an electric field of 150~250 kV/cm at 100 ℃ for 12 h. The output performance increased with increasing electric field. The output voltage and current were 7.87 V and 2.5 ㎂ when poled with a 200 kV/cm electric field. This result seems likely to be caused by the c-axis alignment of the BaTiO3 after poling treatment. XRD patterns of the poled BaTiO3-PVDF films showed that the intensity of the (002) peak increased under high electric field. However, when the generator was poled with 250 kV/cm, the output performance of the generator degraded due to breakdown of the BaTiO3-PVDF film. When the generator was matched with 800 Ω resistance, the power density of the generator reached 1.74 mW/m2. The generator was able to charge a 10 ㎌ capacitor up to 1.11 V and turn on 10 red LEDs.
Congruent or stoichiometric $LiNbO_3$ fiber single crystals were grown by the $\mu$-PD method, and the grown fiber crystals have the several (2 or 3) ridges with a diameter of $1.35{\sim}1.5\;mm$ and a length of $40{\sim}100\;mm$. In this $\mu$-PD process, different growth rates ($10{\sim}60\;mm/h$) were applied. Pt wire or $LiNbO_3$ crystal was used as a seed. The properties of grown $LiNbO_3$ fiber single crystals having a-axis or c-axis according to seeds were effected by the grown conditions(Pt tube diameter, pulling speed, after heater etc.). Disk-type $LiNbO_3$ samples were poled in condition of DC 5 V/cm at 1050, 1075 or $1100^{\circ}C$. XRD, SEM, conoscope image through the polarized microscope, $T_C$ measuring apparatus, optical transmittance measuring instrument are used to identify the properties of $LiNbO_3$.
Transactions of the Society of Information Storage Systems
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v.3
no.1
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pp.47-53
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2007
In this paper, a thermo-piezoelectric mechanism with integrated heaters and piezoelectric sensors has been studied for low power probe-based data storage. Silicon nitride cantilever integrated with silicon heater and piezoelectric sensor has been developed to improve the uniformity of cantilevers. Data bits of 40 nm in diameter were recorded on PMMA film. The sensitivity of the piezoelectric sensor was 0.615 fC/nm after poling the PZT layer. And, the $34\times34$ probe array integrated with CMOS circuits has been successfully developed by simple one-step bonding process. The process can simplify the process step and reduce tip wear using silicon nitride tip.
Journal of the Korean Graphic Arts Communication Society
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v.14
no.1
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pp.1-15
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1996
In this paper, the preparation of lead zirconium titanate(PZT) thin film by sol-gel processing was descried. Thin film coated with thickness of 4${\mu}{\textrm}{m}$ on the stainless steel substrates using the multiple spin-coating process. The crystalline phases of PZT powder and film were investigated by X-ray diffraction pattern and PZT thin film has perovskite structure over 600 C annealing temperature. Corona charging characteristics of the ferroelectric PZT thin film at 600 C were investigated by electrophotographic measurement. A difference in the charging characteristics between positive and negative corona charging was found. The charge acceptance depended in the polarity of corona and the poling of film. According to the D-E hysteresis measurment, PZT thin film can be poled by corona charging without use of top electrode. The remnant polarization in the PZT thin film is generally in the order of 48$\mu$C/$\textrm{cm}^2$. From this results, the ferroelectric PZT thin film will be possible to apply for the add-on type imaging formation.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.34D
no.4
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pp.73-78
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1997
A polymeric waveguide TE-pass polarier operating at wavelengths around 1.55.mu.m is realized by utilizing the birefringence induced by photoleaching at room temperature. To implement the polarizer, the photobleached waveguide supporting only TE mode is integrated in the middle of the etched rib waveguide that supports TE and TM modes. It has a simple structure and requires no high temperature process like poling. The measured polarization extinction ratio is about 21dB and the estimted excess loss is about 0.4dB.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2002.10a
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pp.820-823
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2002
The asymptotic problem of a semi-infinite conducting crack parallel to the poling direction in ferroelectric ceramics subjected to electric fields is analyzed. The main mechanism for the conducting crack growth behavior is thought to be ferroelectric domain switching leading to the development of a process zone around the crack. The shape and size of the switching zone is shown to depend strongly on the relative magnitude on the ratio of the coercive electric field to the yield electric field. It is shown that the crack growth can be either enhanced or retarded depending on the ratio of the coercive electric field to yield electric field.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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v.37
no.3
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pp.163-170
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1988
In order to investigate the mechanism of pyroelectricity on polyvinylidene fluoride film, the observations were carried out on the characteristics of infrared spectra, thermally stimulated current and pyroelectric current. As the results obtained from the study, it was concluded that the origin for thermally stimulated current exhibited above room temperature can be attributed to hole injected from anode during poling process. Futhermore it is clarified also that the origin of pyroelectricity observed on the specimen concerned is to spontaneous polarization of CF dipole attached to molecular chain segment, however, the fraction of spontaneous polarization is largely influenced by the amount of hole injected from anode.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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v.41
no.1
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pp.50-55
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1992
Piezoelectric Buzzer which has been generally used requires about 30kV/cm poling process and has the aging effects. In this study, 0.85 PZN - 0.10 BT - 0.05 PT system ceramics with additives of 0 - 2 wt% YS12TOS13T were fabricated and investigated on electromechanical coupling coefficient(kS1pT), electric field induced charge coefficient(dS131T), and sound level. As the results, in the 0.4 wt% YS12TOS13T added composition ceramics compared with the basic, kS1pT was increased from 0.355 to 0.39 and induced piezoelectric d constant increased from 204 to 220 x 10S0-12T (C/N) and sound level of electrostrictive Buzzer has the highest value of 71.5 dB under 8kV/cm bias electric field.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.08a
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pp.34-35
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2000
A Y-branch phase modulator made of an electro-optic(EO) polymer has been designed and fabricated. An EO polymer, PMMA-DR1, is used for the core layer, and UV-curable polymers, UV-15 and UV-15 LV, for the cladding layers. The rib type polymeric waveguides are fabricated by the reactive ion etching method and their EO effects are obtained by the poling process. The optical properties of the fabricated phase modulator are as follows: the halfwave voltage, $V_{\pi}$, is 25 V, the insertion loss of TM mode is 13.8 dB, and the intensity modulation is 0.17 % (V).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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