골과 임플란트의 기계적인 결합을 증진시키기 위한 다양한 시도가 이루어졌으며, 최근에는 불소 부식법, 양극산화법, 이온주입법 등 생화학적인 골유착을 유도할 수 있는 임플란트의 표면개질이 관심의 대상이 되고 있다. 본 연구는 플라즈마 상태의 이온을 임플란트 표면에 주입하여 이온 피막을 형성하는 방법(plasma source ion implantion, PSII)으로 표면을 개질한 임플란트에 대한 골반응을 흡수성 재료로 블라스팅 처리(resorbable blasting media, RBM)된 임플란트를 대조군으로 하여 평가하고 이온 주입량을 달리하여 비교한 결과를 알아보고자 하였다. 12마리의 뉴질랜드 가토의 경골에 대조군인 RBM 임플란트와 Mg이온 주입량을 달리한 Mg이온주입 임플란트 3개씩을 식립하고 공진주파수를 측정하였으며 6주 후 48개 임플란트의 뒤틀림 제거력과 공진주파수를 측정하였다. 반복측정이 있는 분산분석을 이용하여 95% 유의수준으로 통계적 유의성을 확인하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 각 임플란트간 공진주파수의 차이는 없었으나 군에 관계없이 식립 시에 비해 6주 후의 공진주파수는 증가하였다. 2. 초기 낮은 공진주파수를 나타낸 임플란트군의 공진주파수 증가량이 큰 경향을 나타내었다. 3. 이온잔존량 9.4%인 Mg 1 임플란트가 다른 임플란트 보다 통계적으로 유의하게 큰 뒤틀림제거력을 보였다. 이상의 결과를 종합하여 가장 우수한 골반응을 나타내는 이온주입량을 알 수 있었으며 이러한 이온주입 임플란트가 임상적으로 뛰어난 효능을 보이는 RBM 표면에 비해서도 생물학적 골반응이 더 우수하다는 것을 입증하는 결과라 할 수 있다.
본 연구에서는 중고 레이저 복합기의 재제조 과정에서 복합기의 성능에 큰 영향을 미치는 인쇄회로기판(printed circuit board, PCB) 등 전자부품에 대하여 세정공정의 도입 적용 가능성을 분석하고 세정장치 및 최적의 운전조건을 설계하였다. 1단계로 물에 의한 부식의 염려가 없는 건식세정방식으로 플라즈마세정에 의한 세정성을 분석하였다. 플라즈마세정 의한 PCB세정에서는 세정이 어느 정도 이루어졌으나 플라즈마가 전도 될 수 있는 피세정물의 금속 부분 주위에서 피 세정물의 손상을 확인할 수 있었으며 레이저 복합기의 재제조용으로는 생산성 및 경제성이 부족하였다. 2단계에서는 경제성이 있는 초음파세정방식을 위하여 현재 현장에서 사용되고 있는 세정제를 포함하여 세정효율이 우수한 4종의 대체 세정제를 선정하여, 세정제의 물성을 측정하였고 세정성을 평가하였다. 준수계 세정제와 비수계 세정제보다 수계 세정제의 세정력이 우수 하였으며, 초음파 주파수가 작을수록 세정력이 우수하였다. 수계세정제 A를 사용하여 28 kHz의 초음파 세기에서 세정을 한다면 30초~1분 내에 빠른 세정이 가능할 것으로 판단되었다. 3단계에서는 선정된 세정제로 초음파 세정시스템을 구축하고, 실제 부품들을 초음파 세정하여 현장에서 사용이 적합한 최적의 세정조건을 구하였다. PCB 보드 및 대전기에 대하여 최적 세정 조건을 구한 결과, 40 kHz, $50^{\circ}C$에서 1분 30초 및 2분에 세정을 끝낼 수 있었다. 수작업에 의존하거나 외부처리를 하고 있는 중소 재제조 업체들은 본 세정시스템의 도입으로 전자부품 기능의 신뢰성이 확보되며 전체적인 재제조 공정의 생산성 및 경제성 향상에 큰 효과를 볼 수 있을 것으로 기대된다.
Strain-relaxed SiGe layer on Si substrate has numerous potential applications for electronic and opto- electronic devices. SiGe layer must have a high degree of strain relaxation and a low dislocation density. Conventionally, strain-relaxed SiGe on Si has been manufactured using compositionally graded buffers, in which very thick SiGe buffers of several micrometers are grown on a Si substrate with Ge composition increasing from the Si substrate to the surface. In this study, a new plasma process, i.e., the combination of PIII&D and HiPIMS, was adopted to implant Ge ions into Si wafer for direct formation of SiGe layer on Si substrate. Due to the high peak power density applied the Ge sputtering target during HiPIMS operation, a large fraction of sputtered Ge atoms is ionized. If the negative high voltage pulse applied to the sample stage in PIII&D system is synchronized with the pulsed Ge plasma, the ion implantation of Ge ions can be successfully accomplished. The PIII&D system for Ge ion implantation on Si (100) substrate was equipped with 3'-magnetron sputtering guns with Ge and Si target, which were operated with a HiPIMS pulsed-DC power supply. The sample stage with Si substrate was pulse-biased using a separate hard-tube pulser. During the implantation operation, HiPIMS pulse and substrate's negative bias pulse were synchronized at the same frequency of 50 Hz. The pulse voltage applied to the Ge sputtering target was -1200 V and the pulse width was 80 usec. While operating the Ge sputtering gun in HiPIMS mode, a pulse bias of -50 kV was applied to the Si substrate. The pulse width was 50 usec with a 30 usec delay time with respect to the HiPIMS pulse. Ge ion implantation process was performed for 30 min. to achieve approximately 20 % of Ge concentration in Si substrate. Right after Ge ion implantation, ~50 nm thick Si capping layer was deposited to prevent oxidation during subsequent RTA process at $1000^{\circ}C$ in N2 environment. The Ge-implanted Si samples were analyzed using Auger electron spectroscopy, High-resolution X-ray diffractometer, Raman spectroscopy, and Transmission electron microscopy to investigate the depth distribution, the degree of strain relaxation, and the crystalline structure, respectively. The analysis results showed that a strain-relaxed SiGe layer of ~100 nm thickness could be effectively formed on Si substrate by direct Ge ion implantation using the newly-developed PIII&D process for non-gaseous elements.
본 연구는 우리나라 성인 남녀에서 관상동맥질환의 주요 예측 지표인 AIP와 식품군 섭취의 관련성을 분석하였다. 본 연구에서는 40-79세의 성인 남녀 133,381명을 대상으로 AIP 5분위 그룹에 따른 식품군 섭취량을 제시하였으며, 그 결과 AIP가 높은 그룹에서 낮은 그룹에 비해 곡류, 김치/피클류의 섭취가 높았고, 콩류, 종실류, 육류, 난류, 생선류, 우유 및 유제품 등의 섭취가 낮은 경향을 보였다. 본 연구는 한국인의 식사와 관상동맥질환 위험도 간의 관계에 대한 중요한 정보를 제공하며, 관상동맥질환 예방을 위해 다양한 식품군이 포함된 균형 잡힌 식사가 중요함을 시사한다. 본 연구 결과는 관상동맥질환을 예방할 수 있는 식사지침 제시를 위한 기초자료로 활용될 수 있을 것이다. 추후 연구를 통해 한국인의 식사패턴을 분석하여 심혈관질환 발생 및 사망과의 관련성을 조사하고, 이를 통해 한국인의 심혈관질환 예방에 기여할 수 있을 것으로 기대한다.
In this work further optical and electrical investigations of pure and Zr doped $Mn_3O_4$ (from 0 up to 20 at.%) thin films as a function of frequency. First, the refractive index, the extinction coefficient and the dielectric constants in terms of Zr content are reached from transmittance and reflectance data. The dispersion of the refractive index is discussed by means of Cauchy model and Wemple and DiDomenico single oscillator models. By exploiting these results, it was possible to estimate the plasma pulse ${\omega}_p$, the relaxation time ${\tau}$ and the dielectric constant ${\varepsilon}_{\infty}$. Second, we have performed original ac and dc conductivity studies inspired from Jonscher model and Arrhenius law. These studies helped establishing significant correlation between temperature, activation energy and Zr content. From the spectroscopy impedance analysis, we investigated the frequency relaxation phenomenon and hopping mechanisms of such thin films. Moreover, a special emphasis has been putted on the effect of the oxidation in air of hausmannite thin films to form $Mn_2O_3$ ones at $350^{\circ}C$. This intrigue phenomenon which occurred at such temperature is discussed along with this electrical study. Finally, all results have been discussed in terms of the thermal activation energies which were determined with two methods for both undoped and Zr doped $Mn_3O_4$ thin films in two temperature ranges.
To enjoy a healthy life, it is important to have a well-balanced diet. However, in today's society, there is an increase in the consumption of preprocessed foods and frequency of eating out. Also the western diet, which is becoming move popular worldwide, contains relatively high levels of protein and fat, and a low amount of fiber, Furthermore, the increased availability of favorite foods has created a condition were the individual diet is less variable. With these conditions, it is difficult to maintain a diet that is nutritionally balanced. With these unbalanced diets, which are difficult to change, there has been an increase in adult disease and health problems, such as colon and breast cancer, It is speculated that metabolites for carcinogens are produced from diet components and that intestinal bacteria contribute to the production of these metabolites. Therefore, it is necessary to evaluate the relationships between health, diet, and intestinal microflora. Soybean oligosaccharide is composed of water-soluble saccharides that have been extracted from soybean whey, a by-product from the production of soy protein. This is mainly a mixture of mono-, di-, tri-, and tetrasac-charides, with the principle components being the oligosaccharide raffinose and stachyose. When consumed by humans, the oligosaccharides cannot be digested in the human duodenal and small intestinal mucosa, and these are selectively utilized by beneficial bifidobacteria in intestines. The results of acute and subacute toxicity tests, soy-bean oligosaccharides were nonpoisonous. Soybean oligosaccharides promote the growth of indigenous bifido-bacteria in the colon which by their antagonistic effects, suppress the activity of putrefactive bacteria. Also, they reduce toxic metabolites, detrimental enzymes and plasma lipid, and increase in the frequency of bowel evacuation and fecal quantities. Consequently, soybean oligosaccharides as functional foods components have potential roles in the prevention and medical treatment of chronic adult diseases. The study of processing property and physiological function of soybean oligosacchavides and development of high oligosaccharide variety allow the creation of new and exciting foodstuffs that aye functional healthy.
This study was conducted to investigate the effects of extremely low frequency electromagnetic fields (EMF) on signal pathway in plasma membrane of cultured cells (RAW 264.7 cells and RBL 2H3 cells), by measuring the activity of phospholipase $A_2$ ($PLA_2$), phospholipase C (PLC) and phospholipase D (PLD). The cells were exposed to the EMF (60 Hz, 0.1 or 1 mT) for 4 or 16 h. The basal and $0.5\;{\mu}M$ melittin-induced arachidonic acid release was not affected by EMF in both cells. In cell-free $PLA_2$ assay, we failed to observe tbe change of $cPLA_2$ and $sPLA_2$ activity. Also both PLC and PLD activities did not show any change in the two cell lines exposed to EMF. This study suggests that the exposure condition of EMF (60 Hz, 0.1 or 1 mT) which is 2.4 fold higher than the limit of occupational exposure does not induce phospholipases-associated signal pathway in RAW 264.7 cells and RBL 2H3 cells.
This study was performed to explore the frequency of panic attack induced by sodium lactate in alcohol dependence patients and to compare the extent of blunted growth hormone reponses after clonidine infusion with that of normal controls. The authors investigated 10 alcohol dependence patients receiving inpatient care in Hangang Sacred Heart Hospital from March 2, 1993 to August 31, 1993 and 10 normal controls. The disagnosis of alcohol dependence was based on DSM-III-R. Thirty minutes after the sodium lactate infusions clonidins were administrated. Venous bloods were sampled before the sodium lactate infusions, and 30, 45, 60, 90 minutes after the administrations of clonidine. Plasma growth hormone levels were measured by RIA method. The results were as follows : 1) In the questionaires of Hamilton Anxiety Rating Scale, Hamilton Depression Raing Scale, CAGE, Korean MAST, the scores of alcohol dependent patients were higher than those of normal controls. 2) Sixty percent of alcohol dependence patients and twenty percent of normal controls had panic attacks induced by sodium lactate. 3) All panic attacks induced by sodium lactate were relieved after clonidine infusions. 4) There were blunted growth hormone responses after clonidine infusions in alcohol dependence patients who had sodium lactate induced panic attacks like panic disorder patients. These results suggest that alcohol dependence patients may have noradrenergic abnormality same as panic disorder patients and two disorder may have high biological correlations each other.
KIM, JAE-YOUNG;TRIPPE, SASCHA;SOHN, BONG WON;OH, JUNGHWAN;PARK, JONG-HO;LEE, SANG-SUNG;LEE, TAESEOK;KIM, DAEWON
천문학회지
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제48권5호
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pp.285-298
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2015
Active Galactic Nuclei (AGN) with bright radio jets offer the opportunity to study the structure of and physical conditions in relativistic outflows. For such studies, multi-frequency polarimetric very long baseline interferometric (VLBI) observations are important as they directly probe particle densities, magnetic field geometries, and several other parameters. We present results from first-epoch data obtained by the Korean VLBI Network (KVN) within the frame of the Plasma Physics of Active Galactic Nuclei (PAGaN) project. We observed seven radio-bright nearby AGN at frequencies of 22, 43, 86, and 129 GHz in dual polarization mode. Our observations constrain apparent brightness temperatures of jet components and radio cores in our sample to > 108.01 K and > 109.86 K, respectively. Degrees of linear polarization mL are relatively low overall: less than 10%. This indicates suppression of polarization by strong turbulence in the jets. We found an exceptionally high degree of polarization in a jet component of BL Lac at 43 GHz, with mL ~ 40%. Assuming a transverse shock front propagating downstream along the jet, the shock front being almost parallel to the line of sight can explain the high degree of polarization.
RF-PECVD 장치에 의해 증착된 실리콘 질화막(SiNx)은 결정질 실리콘 태양전지에서 반사 방지막 효과 및 우수한 표면 패시베이션 특성을 제공하는 것으로 알려져 있다. 본 논문에서는 실리콘 질화막의 패시베이션 특성을 향상시키기 위해서 공정온도를 $400^{\circ}C$로 고정하고 공정압력, 가스비, RF (radio frequency) power를 가변하였다. 이 때의 실리콘 질화막의 굴절률 및 두께는 각각 2.0, 80 nm로 증착하여 그에 따른 특성에 대해 분석하였다. 공정 압력이 감소할수록 실리콘 질화막이 증착된 결정질 실리콘 태양전지의 유효 반송자 수명이 증가함을 보였고, 반면에 증착속도는 감소하였다. 또한 RF-power 500 W에서 실리콘 질화막이 증착된 결정질 실리콘 태양전지의 유효 반송자 수명이 상대적으로 높았으며 출력이 올라갈수록 증착속도가 증가하였다. 결과적으로 결정질 실리콘 태양전지에 증착한 실리콘 질화막은 0.8torr 공정 압력과 RF-power 500 W에서 $38.8{\mu}s$로 가장 좋은 유효 반송자 수명을 확인하였다. 위의 결과를 바탕으로 결정질 실리콘 태양전지를 제작하였고 향상된 패시베이션 특성을 갖는 실리콘 질화막의 조건을 찾기 위해서 개방전압(open circuit voltage)을 비교하였다. 공정압력 0.8 torr, RF-power 500 W에서 가장 높은 결과를 보였으며 이는 유효 반송자 수명과 유사한 결과를 나타냈다. 하지만 낮은 FF (fill factor)로 인해 변환 효율이 낮은 결과를 보였다. 태양전지 제작시 낮은 fill factor를 보인 이유와 위의 단점을 보완하기 위해 추가 실험을 수행하였으며, 개선된 fill factor를 통해 18.3% 효율의 태양전지를 제작하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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