• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1603-1605
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• 2002

TFT-LCD is widely used for flat panel display. The large-size TFT-LCD panel requires a high speed driving and various driving methods because of signal delay, which is responsible for the shading effects. In this work, the floating and double driving methods are applied to Pixel Design Array Simulation Tool(PDAST) and the pixel characteristics of TFT-LCD array is simulated. Also, we have implemented the semi-empirical TFT model to PDAST, which makes to obtain a more accurate pixel characteristics.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.452-454
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• 2000

In recent years, the Thin Film Transistor Liquid Crystal Display (TFT-LCD) is used in a variety of products as an interfacing device between human and them. Since TFT-LCDs have trend toward larger Panel sizes and higher spatial and/or gray-scale resolution, pixel charging characteristic is very important for the large panel size and high resolution TFT-LCD pixel characteristics. In this paper, both data line precharging method and line time extension (LiTEX) method is applied to Pixel Design Array Simulation Tool (PDAST) and the pixel charging characteristics of TFT-LCD array were simulated, which were compared with the results calculated by both PDAST In which the conventional device model of a-Si TFTs and gate step method is implemented.

• 한국정밀공학회지
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• 제22권8호
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• pp.7-16
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• 2005

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권6호
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• pp.1297-1303
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• 2003

반도체 방식의 capacitive type 지문인식센서의 신호처리를 위한 개선된 회로를 설계하였다. 최 상위 sensor plate가 지문의 굴곡을 감지한 capacitance의 변화를 전압의 신호로 전환하기위해서 charge-sharing 방식의 회로를 적용하였다. 지문센서 감도저하의 가장 큰 원인인 sensor plate에 존재하는 parasitic capacitance를 최소화하고 ridge와 valley 사이의 전압차를 향상시키기 위하여 기존과는 다른 아날로그버퍼회로를 설계하였다. 센서전압과 기준전압 신호를 비교하기 위해서 비교기를 설계하였으며, 센서어레이의 수직, 수평간 isolation 대책을 통하여 ESD 및 노이즈방지를 위한 설계를 제안하였다. 제안된 신호처리회로는 128${\times}$l44 pixel 규모의 회로로 구현되었다. 본 설계회로는 향후 생체인식을 이용한 정보보호용 지문인식 시스템에 응용될 수 있으리라본다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제13권3호
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• pp.531-536
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• 2009

본 논문에서는 개선된 회로를 적용한 $256{\times}256$ 픽셀 저항형 지문센서를 제안하고 있다. 단위 픽셀 수준의 센싱회로는 가변적인 전류를 전압으로 변환하여 이진 디지털 신호로 만든다. 정전기에 효과적으로 대처할 수 있는 인접 픽셀 간 전기적 차폐 레이아웃 구조를 제안하고 있다. 전체회로는 단위 센서 회로를 확장하여 ASIC 설계방식을 통하여 설계한 뒤 로직 및 회로에 대하여 모의실험을 하였다. 전체회로는 $0.35{\mu}m$ 표준 CMOS 공정규칙을 적용하여 센서블록은 전주문 방식을 적용하고 전체 칩은 자동배선 툴을 이용하여 반주문 방식으로 레이아웃을 실시하였다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제54권5호
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• pp.1760-1768
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• 2022

When gamma-camera sensor modules, which are key components of radiation imagers, are derived from the coupling between scintillators and photosensors, the light collection efficiency is an important factor in determining the effectiveness with which the instrument can identify nuclides via their derived gamma-ray spectra. If the pixel area of the scintillator is larger than the pixel area of the photosensor, light loss and cross-talk between pixels of the photosensor can result in information loss, thereby degrading the precision of the energy estimate and the accuracy of the position-of-interaction determination derived from each active pixel in a coded-aperture based gamma camera. Here we present two methods to overcome the information loss associated with the loss of photons created by scintillation pixels that are coupled to an associated silicon photomultiplier pixel. Specifically, we detail the use of either: (1) light guides, or (2) scintillation pixel areas that match the area of the SiPM pixel. Compared with scintillator/SiPM couplings that have slightly mismatched intercept areas, the experimental results show that both methods substantially improve both the energy and spatial resolution by increasing light collection efficiency, but in terms of the image sensitivity and image quality, only slight improvements are accrued.

• 대한전자공학회논문지SP
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• 제38권1호
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• pp.1-10
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• 2001

디지털 프린터와 같은 이진 출력 장치에서 영상을 표현하기 위해서는 연속 계조 영상을 이진 영상으로 변환하는 해프토닝 기법이 요구된다. 본 논문에서는 이진화 된 영상에서 균일한 도트들의 분포를 얻기 위하여 새로운 오차확산 방법을 제안한다. 제안하는 방법에서는 먼저, 현재 이진화 하려는 화소와 이미 이진화 된 소수화소(minor pixel)들간의 최소거리를 '최소화소거리(minimum pixel distance)'라 정의한다. 또한, 오차확산방법에의 적용을 위하여 계조값을 새로운 주거리 기반의 변수로 변환한다. 기존의 오차확산 방법에서는 이진화에 따르는 계조값의 차이를 주위 화소들에 전파하는데 반하여 제안하는 방법에서는 주거리상의 차이가 전파된다. 이진화 과정에서는 최소화소거리가 문턱치로 사용된다. 본 논문에서는 최소화소거리를 계산하는 방법으로 'MPOA'(Minor Pixel Offset Array)를 제안한다. MPOA는 이미 이진화 된 영역의 이진 화소의 종류와 2차원상의 위치를 1차원으로 표현하는 기법으로서 최소화소거리의 계산에 필요한 메모리와 계산량을 크게 감소시킨다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권11호
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• pp.857-861
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• 2012

FPN (fixed-pattern-noise) mainly comes from the device or pattern mismatches in pixel and color filter, pixel photodiode leakage in CMOS image sensor. In this paper, optical stack module related pixel FPN was investigated and the classification of pixel FPN contribution with the individual optical module process was presented. The methodology and procedure would be helpful in reducing the greater pixel FPN and distinguishing the complex FPN sources with respect to various noise factors.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권2호
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• pp.55-60
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• 2007

본 논문에서는 1차원 CMOS 포토다이오드 픽셀 어레이를 이용한 광학 각도 센서에서, 해상도를 2배 향상시키는 인터폴레이션 방법을 제안한다. 제안된 구조는 인터폴레이션을 위하여 모든 픽셀을 짝수 픽셀 그룹과 홀수 픽셀 그룹으로 나누어, 각 그룹에서 가장 밝은 빛이 들어오는 픽셀(winner)을 winner take all 회로를 이용하여 찾아 이로부터 인터폴레이션을 수행하여 각도 센서의 해상도를 2배 향상시킨다. 제안된 인터폴레이션 방법은 픽셀이나 WTA 회로의 추가없이 간단히 하나의 XOR 게이트와 전압 비교기 회로를 이용하여 구현할 수 있다. $5.6{\mu}m$의 픽셀 피치를 가진 336개의 포토다이오드 픽셀 어레이를 $0.35{\mu}m$ CMOS 공정으로 구현한 후, 그 위에 $50{\mu}m$ 폭의 슬릿을 붙여서 광학 센서를 구성하여 실험하였다. 측정된 각도 해상도는 $0.1{\circ}$이며 35mW의 전력을 소모하고 최대 초당 8000번 각도를 측정할 수 있다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제17권1호
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• pp.35-41
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• 2017

We propose a novel multi-photodiode array (MPDA) based retinal implant IC with on/off stimulation strategy for a visual prosthesis with improved spatial resolution. An active pixel sensor combined with a comparator enables generation of biphasic current pulses when light intensity meets a threshold condition. The threshold is tuned by changing the discharging time of the active pixel sensor for various light intensity environments. A prototype of the 30-channel retinal implant IC was fabricated with a unit pixel area of $0.021mm^2$, and the stimulus level up to $354{\mu}A$ was measured with the threshold ranging from 400 lx to 13120 lx.