• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.27 no.7
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• pp.1033-1041
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• 1990

In this paper, under pinch-off conditions, the gate-drain breakdown voltage characteristics of GaAs Power MESFET's as a function of device parameters such as channel thickness, doping concentration, gate length etc. are analyzed. Using the Green's function, the gate ionic charge induced by the depleted channel ionic charge is calculated. The impact ionization integral by avalanche multiplication between gate and drain is used to investigate breakdown phenomena. Especially, the localized excess surface charge effect as well as the uniform surface charge effect on breakdown voltage is considered.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• v.10 no.2
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• pp.152-159
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• 2010

We propose a semi-analytical current conduction model for depletion-mode n-type nanowire field-effect transistors (NWFETs) with top-gate structure. The NWFET model is based on an equivalent circuit consisting of two back-to-back Schottky diodes for the metal-semiconductor (MS) contacts and the intrinsic top-gate NWFET. The intrinsic top-gate NWFET model is derived from the current conduction mechanisms due to bulk charges through the center neutral region as well as of accumulation charges through the surface accumulation region, based on the electrostatic method, and thus it includes all current conduction mechanisms of the NWFET operating at various top-gate bias conditions. Our previously developed Schottky diode model is used for the MS contacts. The newly developed model is integrated into ADS, in which the intrinsic part of the NWFET is developed by utilizing the Symbolically Defined Device (SDD) for an equation-based nonlinear model. The results simulated from the newly developed NWFET model reproduce considerably well the reported experimental results.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.31A no.1
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• pp.65-70
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• 1994

GaAs power MESFETs with 0.8$\mu$m gate lengths are fabricated using image reversal (IR) methods on the wafer with an undoped surface layer grown by MOCVD. The fabricated GaAs power MESFETs with an undoped surface layer show that an ideality factor 1.17, a built-in potential 0.83 V, a pinch-off voltage -2.7 V, a specfic contact resistance 1.21$\times$10$^{5}$ ~3.42$\times$10$^{2}$$\Omega$-cm$^{2}$ and an extrinsic g$_{m}$ = 103.5 mS/mm. The maximum RF output power densities of the 0.8$\mu$m devices are 360 mW/mm and 499 mW/mm, and power added efficiencies 29.67% and 29.05%, for the unit gate width 150$\mu$m and 200$\mu$m at 12 GHz.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2003.10a
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• pp.773-776
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• 2003

In this paper, we have designed the p-type SiGe MOSFET and analyzed the electrical characteristics. When the gate voltage is biased to -1.5V, the threshold voltage values are -0.97V and -1.15V at room temperature and 77K, respectively. We know that the operating characteristics of SiGe MOSFET is superior to the basic Si MOSFET which the threshold voltage is -1.36V.

• Computational Structural Engineering
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• v.3 no.1
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• pp.59-70
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• 1990

The p-version of the finite element method is a new approach to finite element analysis in which the partition of the domain is held fixed while the degree p of approximating piecewise polynomials is increased. In this paper, the focus is on computer implementation of a new hierarchic p-convergence shell model based on blend mapping functions. Its rigid-body modes, round-off error, and convergence characteristics are investigated.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.07c
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• pp.1769-1771
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• 2002

정전형 펄스파워시스템에서 핵심은 투입 스위치라고 해도 과언이 아니다. 이러한 투입 스위치 중 진공 아크를 이용하는 스위치로는 로렌츠력을 이용 아크를 회전시켜 전극의 손상을 억제한 횡자계형과 전극의 축방향으로 자계를 발생시켜 아크가 확산되도록 함으로써 z-pinch에 의한 전극 손상을 감소시키는 종자계형으로 대별 할 수 있다. 본 논문에서는 고전압/대전류용 횡자계형과 종자계형 진공스위치의 동작특성을 파악하기위해 아크전압-전류 특성에 대해서 기술하였다. 횡자계형 전극과 종자계형 전극을 동크롬(75:25 [wt%])으로 제작하여 진공 챔버 내에서 실험을 통해 아크 전압과 전류를 측정하였으며, 이를 통해 아크 저항과 손실 전력을 구하였다.

• Journal of Veterinary Clinics
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• v.17 no.2
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• pp.395-402
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• 2000

흡입마취에서 마취를 유지하기 위해서는 도입 마취가 필수적이다. 도입 마취제는 작용시간이 짧고 기관 튜브를 용이하게 삽입할 수 있으며. 투여로 인한 생리적 영향이 적이야 한다 Acepromazine/ketamine(Group-AK) 병용 투여와 propofol(Group-P) 단독 투여로 마취 유도한 후 Enflurane으로 마취를 유지하였을 때 나타나는 생리적 변화를 비교하였다 체온, 호흡수, 평균 동맥압, Pa$CO_2$, PaO$_2$, pH, toe-wep pinch reflex 및 jaw tone reflex는 두 군간에서 유의성 있는 차이가 나타나지 않는다. Group-P은 group-AK보다 회복시간이 유의성 있게 짧았다 심박수는 group-AK군이 마취 추 5분에서 group-P보다 유의성 있게 증가하였다. 동성 빈 맥은 group-AK군에서는 5및 10분에 각각 2미터에서 관찰되었고 group-P에서는 5분에 2마리, 10분에 1마리가 관찰되었다. Acepromazine/ketamine propofol은 모두 enflurane 마취를 위한 도입마취제로서 양호한 효과를 나타내었다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2014.11a
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• pp.1018-1020
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• 2014

본 논문에서는 통학버스에서의 안전사고에 관련된 여러 사례 중 출입문의 끼임을 방지하기 위하여 통학버스에 영상장치와 전원센서를 부착, 사각지대를 없애고 운전자에게 경보음으로 사고를 미연에 방지하고자 하는 시스템을 제안하고자 한다. 출입문의 배경영상을 적용적으로 수집하고 실시간으로 수집되는 영상과 배경영상을 차 연산 하여 문의 끼임을 인식한다. 실험결과 문에 대해서 끼임이 검출되는 것을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Society for Rock Mechanics Conference
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• 2002.10a
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• pp.1-15
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• 2002

동복터널의 현장지질은 편마암과 석탄층(Coal Beds)이 협재된 암질이 매우 불량한 편암으로 구성되어 있으며, 설계 시에는 석탄층의 발달이 확인되지 않아 그 영향을 충분히 고려되지 않았다. 석탄층(두께 2~8m)은 편암의 Rock Cleavage와 같은 방향과 45~55도의 경사를 가지며 pinch out and swelling 형태로 발달이 불규칙하다. 하행선굴착 중 약 290m구간에 걸쳐 석탄층이 나타났으며, 90m 구간은 천단 및 측벽부에서 집중 발달되어 쳐대일변위가 20mm이상인 지점이 발생하는 등 상반굴착 시 111.2mm의 수평방향 내공변위가, 하반굴착 시에는 최대 127.8mm의 내공변위가 발생하였고 하반관통이후 수렴되었다. 내공변위 과다발생에 대한 대책으로 지보타입을 하향 조정하였고 측벽부는 하향 록볼트를 포함한 추가록볼트 보강을 실시하였다. 한편 터널 바닥부의 석탄층은 도로포장 후 침하문제가 예상되어 인버트를 기존 강지보공과 H-beam으로 연결.폐합한 후 콘크리트로 치환(140m구간)하여 추가변위를 최소화하였으며 무근콘크리트로 설계된 라이닝은 철근콘크리트 라이닝으로 변경 시공하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.518-518
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• 2013

자외선이 생체를 파괴하거나 탄생시킬 수 있는 중요한 요소라는 것은 잘 알려져있다. 이 때문에 생체 시료를 보통 자외선 파장대인 250~350 nm보다 짧은 10 nm 영역에 있는 극자외선에 노출되었을 때 그 상호작용 및 변화를 찾아서 분석하는 것을 목표로 삼는다. 먼저 이에 대한 기초내용으로, 앞으로 활용하게 될 플라즈마 집속장치에서의 전극형태에 따른 EUV 광원의 특성을 알아보는 실험을 진행하였다. 이 실험은 집속 플라즈마 발진장치의 2가지 전극인 마테르 (Mather) 형태의 전극과, 초사이클로이달 핀치(Hypercycloidal pinch) 핀치 형태의 전극에서 발진된 극자외선(Extreme Ultraviolet : EUV) 집속 플라즈마의 전자온도와, 전자밀도, power를 분석하였다. 그리고 EUV 광원 발생장치에 Ar 가스와, Ne-Xe 가스내 환경에서 2 종류의 전극에 의해 만들어진 고밀도 플라즈마로부터 발생된 EUV의 특성을 알아보았다.