Over a ring R, let $P_R$ be a finitely generated projective right R-module. Then we define the G-injector (G-projector) if $P_R$ preservers Gorenstein injective modules (Gorenstein projective modules), the Gflator if $P_R$ preservers Gorenstein flat modules. G-injector (G-flator) and G-injector are characterized focus primarily on the cases where R is a Gorenstein ring, and under this condition we also study the relations between the injector (projector, flator) and the G-injector (G-projector, G-flator). Over any ring we also give the characteristics of G-injector (G-flator) by the Gorenstein injective (Gorenstein flat) dimensions of modules.
The aim of the Paper is to Obtain information about the flat covers and minimal flat resolutions of Artinian modules over a Noetherian ring. Let R be a commutative Noetherian ring and let A be an Artinian R-module. We prove that the flat cover of a is of the form $\prod_{p\epsilonAtt_R(A)}T-p$, where $Tp$ is the completion of a free R$_{p}$-module. Also, we construct a minimal flat resolution for R/xR-module 0: $_AX$ from a given minimal flat resolution of A, when n is a non-unit and non-zero divisor of R such that A = $\chiA$. This result leads to a description of the structure of a minimal flat resolution for ${H^n}_{\underline{m}}(R)$, nth local cohomology module of R with respect to the ideal $\underline{m}$, over a local Cohen-Macaulay ring (R, $\underline{m}$) of dimension n.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2010.05a
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pp.17.2-17.2
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2010
Printed electronics is an emerging technology to realize various microelectronic devices via a cost-effective method. Here we demonstrated a high performance of p-channel and n-channel top-gate/bottom contact polymer field-effect transistors (FETs), and applications to elementary organic complementary inverter and ring oscillator circuits by inkjet processing. We could obtained high field-effect mobility more than $0.4\;cm^2/Vs$ for both of p-channel and n-channel FETs, and successfully measured inkjet-printed polymer inverters. The performance of devices highly depends on the selection of dielectrics, printing condition and device architecture. Optimized CMOS ring oscillators with p-type and n-type polymer transistors showed as high as 50 kHz operation frequency. This research was financially supported by development of next generation RFID technology for item level applications (2008-F052-01) funded by the ministry of knowledge economy (MKE).
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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v.45
no.3
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pp.386-392
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1996
Zinc-Borosilicate is used as a side insulator wall to make high breakdown voltage with one Field Limiting Ring in a power p-n junction device in simulation. It is known that surface charge density can be yield at the interface of Zinc-Borosilicate glass / silicon system. When the glass is used as a side insulator wall, surface charge varied potential distribution and breakdown voltage is improved 1090 V under the same structure.The breakdown voltage under varying the surface charge density has a limit value. When the epitaxial thickness is varied, the position of FLR doesn't influence to the breakdown characteristic not only under non punch-through structure but also under punch-through structure. (author). 7 refs., 12 figs., 2 tabs.
Kim, Chan Gyeong;Lee, In Yeong;Kim, Jang Geun;Lee, Ik Chun
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.21
no.5
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pp.477-482
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2000
Phenyl group migration within protonated 1,2-diphenyl hydrazines has been studied theoretically using the semi-empirical AM1 method. This reaction proceeds through a 3-membered cyclic transition state and requires high activation energy. In the reactant, there was no resonance stabilization for the moving Z-ring, however, hammett $p_Z^+$ values are large due to the direct involvement of the Z-ring inthe reaction, and the development of a negative charge on the reaction center gives them a posifive value. In the case of the non-moving ring, $p_Y^+$ values are small and negative owing to the smaller positive charge increase in the reaction center. The cross-interaction constant, $p_YZ^+$, was obtained from the activation enthalpies, using the multipe linear regression methdo, and the interaction between two substituents, Y and Z, is examined.
The principal aim of this paper is to study the connection between the structure of a quotient ring R/P and the behavior of special additive mappings of R. More precisely, we characterize the commutativity of R/P using derivations (generalized derivations) of R satisfying algebraic identities involving the prime ideal P. Furthermore, we provide examples to show that the various restrictions imposed in the hypothesis of our theorems are not superfluous.
Let R be a ring and P be a prime ideal of R. A mapping d : R → R is called a multiplicative derivation if d(xy) = d(x)y + xd(y) for all x, y ∈ R. In this paper, our main motive is to obtain the well-known theorem due to Posner in the ring R/P for generalized derivations associated with a multiplicative derivation defined by an additive mapping F : R → R such that F(xy) = F(x)y + xd(y), where d : R → R is a multiplicative derivation not necessarily additive. This article discusses the use of generalized derivations associated with a multiplicative derivation to investigate the commutativity of the quotient ring R/P.
In this paper, we study a special class of linear codes, called skew cyclic codes, over the ring $R=F_p+vF_p$, where $p$ is a prime number and $v^2=v$. We investigate the structural properties of skew polynomial ring $R[x,{\theta}]$ and the set $R[x,{\theta}]/(x^n-1)$. Our results show that these codes are equivalent to either cyclic codes or quasi-cyclic codes. Based on this fact, we give the enumeration of distinct skew cyclic codes over R.
In this paper, we present a method of characterizing minimal polynomials on the ring 𝐙p of p-adic integers in terms of their coefficients for an arbitrary prime p. We first revisit and provide alternative proofs of the known minimality criteria given by Larin [11] for p = 2 and Durand and Paccaut [6] for p = 3, and then we show that for any prime p ≥ 5, the proposed method enables us to classify all possible minimal polynomials on 𝐙p in terms of their coefficients, provided that two prescribed prerequisites for minimality are satisfied.
In this paper, we introduce the concept of P(r,m) $\Gamma$-near-ring and obtain some characterization of P(r,m) $\Gamma$-near-rings through regularity conditions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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