• 전자공학회논문지A
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• 제32A권7호
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• pp.69-76
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• 1995

A new device structure has been developed for p-i-n switches. In this structure, the phosphorus-diffused n$^{+}$ layter adjacent to the boron-doped anode is used to short the p$^{+}$ anode-channel(i-region). This change in the anode electrode structure results in a significant improvement in the threshold voltage-to-holding voltage($V_{Th}/V_{h}$) ratio, which is due to the suppression of the hold injection from the anode by the n$^{+}$ layer. The shorted anode p-i-n devices of a 100 .mu.m channel length show an extremely high threshold voltage in the 250~300 V range and a low holding voltage in the 5~9 V range. These features of the device are expected to acdelerate their practical application to power switching circuits.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권11호
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• pp.974-979
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• 2009

We studied solution-processed single-layered phosphorescent organic light-emitting diodes (PHOLEDs), doped with ionic salt and treated with simultaneous electrical and thermal annealing. Because the simultaneous annealing causes the accumulation of salt ions at the electrode surfaces, the energy levels of the organic molecules are bent by the electric fields due to the adsorbed ions, i.e., the simultaneous annealing can induce the proper formation of an ionic p-i-n structure. As a result, an ionic p-i-n PHOLED with a peak luminescence of over ${\sim}35,000\;cd/m^2$ and efficiency of 27 cd/A was achieved through increased and balanced carrier-injections.

• 대한수학회보
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• 제34권4호
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• pp.549-560
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• 1997

For positive integers $n_i \geq 2, i = 1, 2, 3, 4$, such that $\Sigma \frac{n_i}{1} < 2$, there exists a quadrilateral $P = P_1 P_2 P_3 P_4$ in the hyperbolic plane $H^2$ with the interior angle $\frac{n_i}{\pi}$ at $P_i$. Let $\Gamma \subset Isom(H^2)$ be the (discrete) group generated by reflections in each side of $P$. Then the quotient space $H^2/\gamma$ is a differentiable orbifold of type $(^* n_1 n_2 n_3 n_4)$. It will be shown that the deformation space of $Rp^2$-structures on this orbifold can be mapped continuously and bijectively onto the cell of dimension 4 - \left$\mid$ {i$\mid$n_i = 2} \right$\mid$$.

• 센서학회지
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• 제1권1호
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• pp.5-12
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• 1992

팩시밀리용 1차원 영상감지소자로 사용 가능한 수소화된 비정질 실리콘 다층막을 RF 글로방전 분해법으로 제작하였다. ITO/i-a-Si:H/Al 구조는 양전극으로부터의 캐리어주입과 인듐확산으로 인한 암전류가 상대적으로 크므로 본 논문에서는 이 암전류를 억제하고, ITO/i-a-Si:H의 계면에 임듐확산으로 인한 광전변환특성의 저하를 막기 위하여 $SiO_{2}$ 혹은 $SiO_{x}N_{y}$막이 사이에 끼인 ITO/유전체/i-a-Si:H/p-a-Si:H/Al구조를 제작하였다. 이는 계면의 전장을 증가시켜 양호한 광전변환특성을 얻기 위한 것이다. $SiO_{2}$막의 두께가 $300{\AA}$이고 p-a-Si:H막의 두께가 $1500{\AA}$일 때 암전류는 0.1nA이하로 억제되고 광전류도 5V의 인가전압에서 20nA로 포화되었다. 또한 광이용률을 향상시키기 위해 $SiO_{x}N_{y}$막을 ITO와 함께 이중 반반사약으로 형성시켜 ITO/a-$SiO_{x}N_{y}$/i-a-Si:H/p-a-Si:H/Al구조의 다층막을 제작하였다. 이 때 $SiO_{x}N_{y}$막 및 p-a-Si:H막의 두께는 각각 $300{\AA}$ 및 $1500{\AA}$으로 하였다. 광도 $20{\mu}W/cm^{2}$ 및 인가바이어스 5V하에서 광전류는 30nA, 암전류는 0.08nA로 각각 좋은 특성을 나타내었으며 광전류도 5V게서 포화되었다. 또한 분광감도특성의 결과로부터 단층막의 최대감도를 나타내는 파장은 약 630nm이었으며 다층막의 경우는 약 560nm정도이었다. 제작된 다층막의 균일도는 약 5%의 오차를 가졌으며 광응답시간은 0.3msec였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제18권2호
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• pp.70-73
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• 2017

We investigated n-i-p type single junction hydrogenated amorphous silicon oxide solar cells. These cells were without front surface texture or back reflector. Maximum power point efficiency of these cells showed that an optimized device structure is needed to get the best device output. This depends on the thickness and defect density ($N_d$) of the active layer. A typical 10% photovoltaic device conversion efficiency was obtained with a $N_d=8.86{\times}10^{15}cm^{-3}$ defect density and 630 nm active layer thickness. Our investigation suggests a correlation between defect density and active layer thickness to device efficiency. We found that amorphous silicon solar cell efficiency can be improved to well above 10%.

• 대한의용생체공학회:의공학회지
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• 제18권3호
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• pp.307-313
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• 1997

비정질 실리콘에서의 photoconductive gain mechanism을 방사선 계측시 이용하기 위한 연구를 수행하였다. p-i-n, n-i-n, n-i-p-i-n과 같은 여러 형태의 비정질 실리콘 계측기를 제작하고 시험하였다. Photoconductive gain은 두 가지의 시간적 범위에서 측정하였다. : 하나는 고에너지의 하전입자나 감마선의 통과를 모사하기 위해서 $1{\mu }$ sec 보다 짧은 가시광선 펄스를 사용하였고, 다른 하나는 의학영상에 사용되는 x-선을 모사하기 위하여 보다 긴 1msec 정도의 가시광선 펄스를 사용하였다. 두 가지의 photoconductive gain-current gain과 charge gain-을 정의하여 실험하였으며, charge gain은 current gain을 시간에 따라 적분한 값이다. 10 mA/$cm^2$의 dark current density level에서, 짧은 펄스에 대해서는 3~9정도의 charge gain을 얻을 수 있었고 긴 펄스에 대해서는 수백의 charge gain을 얻을 수 있었다. 여러 가지의 gain에 대한 결과를 계측기의 구조, 부가전압, dark current density와의 관계를 통하여 논의하였다.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권7호
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• pp.56-61
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• 1997

I $n_{0.53}$G $a_{0.47}$As/I $n_{0.52}$A $l_{0.48}$As pseudomorphic high electron mobility transistor (P-HEMT) structures were grown on semi-insulating InP substrates by molecular beam epitzxy method. The hall effect measuremetn was used to measure the electrical properties and the photoluminescence (PL) measurement was used to measure the electrical properties and the photoluminescence(PL) measurement for optical propety. By the cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) investigation of the V and X shape defects including slip with angle of 60.deg. C and 120.deg. C to surface in the sampel, the defects formation mecahnism in the I $n_{0.52}$A $l_{0.48}$As epilayers on InP substrates could be explained with the different thermal expansion coefficients between I $n_{0.52}$A $l_{0.48}$As epilayers and InP substrate.d InP substrate.

• 한국정보과학회논문지:데이타베이스
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• 제29권1호
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• pp.58-71
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• 2002

일반적으로 이미지나 공간 데이터베이스와 같은 다차원의 특징을 갖는 데이터들은 대용량의 저장공간을 요구한다. 이 대량의 데이터를 하나의 워크스테이션에 저장하고 검색을 수행하는 데는 한계가 있다. 최근 활발히 연구되고 있는 병렬 컴퓨팅 환경에서 이들에 대한 저장 및 검색을 수행한다면 훨씬 더 높은 성능 향상을 가져 올 수 있을 것이다. 이 논문에서는 기존에 존재하는 병렬 컴퓨팅 환경의 장점을 최대한 이용하는 병렬 고차원 색인구조를 제안한다. 제안하는 색인구조는 nP(프로세서)-nD(디스크)와 lP-nD의 결합 형태인 nP-n$\times$mD의 구조라고 볼 수 있다. 노드 구조는 팬-아웃을 증가시키고 트리의 높이를 줄일 수 있도록 설계되었다. 또한 I/O의 별렬성을 최대화하는 범위 탐색 알고리즘을 제안하고 이것을 K-최근접 탐색 알고리즘에 적용하여 탐색 성능향상을 꾀한다. 마지막으로, 다양한 환경에서의 실험을 통해 제안하는 색인구조의 탐색 성능을 테스트하고 기존에 제안된 병렬 다차원 색인구조와의 비교를 통해 제안한 방법의 우수함을 보인다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1469-1471
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• 1994

This paper describes the structure and electrical characteristics of a shorted anode p-i-n switch. The device showed a significant improvement in the threshold voltage-to-holding voltage ratio, which is due to the suppression of the hole injection from the anode and to the gold gettering at the anode side. The shorted anode devices with a $100{\mu}m$ channel length have a threshold voltage of 300 volts and a holding voltage of 5.5 volts.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.230-230
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• 2013

In amorphous or microcrystalline thin-film silicon solar cells, p-i-n structure is used instead of p/n junction structure as in wafer-based Si solar cells. Hence, these p-i-n structured solar cells inevitably consist of many interfaces and the cell efficiency critically depends on the effective control of these interfaces. In this study, in-situ plasma treatment process of the interfaces was developed to improve the efficiency of a-Si:H solar cell. The p-i-n cell was deposited using a single-chamber VHF-PECVD system, which was driven by a pulsed-RF generator at 80 MHz. In order to solve the cross-contamination problem of p-i layer, high RF power was applied without supplying SiH4 gas after p-layer deposition, which effectively cleaned B contamination inside chamber wall from p-layer deposition. In addition to the p-i interface control, various interface control techniques such as thin layer of TiO2 deposition to prevent H2 plasma reduction of FTO layer, multiple applications of thin i-layer deposition and H2 plasma treatment, H2 plasma treatment of i-layer prior to n-layer deposition, etc. were developed. In order to reduce the reflection at the air-glass interface, anti-reflective SiO2 coating was also adopted. The initial solar cell efficiency over 11% could be achieved for test cell area of 0.2 $cm^2$.