Journal of Sensor Science and Technology (센서학회지)
- Volume 1 Issue 1
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- Pages.5-12
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- 1992
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- 1225-5475(pISSN)
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- 2093-7563(eISSN)
Characteristics of a-Si:H Multilayer for Contact-type Linear Image Sensor
밀착형 1차원 영상감지소자를 위한 a-Si:H 다층막의 특성
- Oh, Sang-Kwang (Dept. of Electronics Changshin Junior College) ;
- Kim, Ki-Wan (Dept. of Electronics Kyungpook Nat'l Univ.) ;
- Choi, Kyu-Man (Dept. of Electronics Kwandong Univ.)
- Published : 1992.08.31
Abstract
We have fabricated a-Si:H multilayer for contact-type linear image sensor by means of RF glow discharge decomposition method. The ITO/i-a-Si:H/Al structure has relatively high dark current due to indium diffusion and carrier injection from both electrodes, resulting in low photocurrent to dark current. To suppress the dark current and to enhance interface electric field between ITO and i-a-Si:H film we have fabricated ITO/insulator/i-a-S:H/p-a-S:H/Al multilayer film with blocking structure. The photocurrent of ITO/
팩시밀리용 1차원 영상감지소자로 사용 가능한 수소화된 비정질 실리콘 다층막을 RF 글로방전 분해법으로 제작하였다. ITO/i-a-Si:H/Al 구조는 양전극으로부터의 캐리어주입과 인듐확산으로 인한 암전류가 상대적으로 크므로 본 논문에서는 이 암전류를 억제하고, ITO/i-a-Si:H의 계면에 임듐확산으로 인한 광전변환특성의 저하를 막기 위하여
Keywords